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肖特基勢壘二極管

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　　肖特基勢壘二極管，又稱熱載流子二極管。利用金屬-半導體（M-S）接觸特性制成，有點接觸型和面結合型兩種管芯結構。

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肖特基勢壘二極管技術

SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結合，提升電力轉換性能

使用反向并聯的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉換應用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFE...

2025-03-20 標簽：MOSFET SiC 肖特基勢壘二極管 231 0

支持電子設備進一步降低功耗的第5代平面型肖特基勢壘二極管

ROHM第5代平面肖特基勢壘二極管的效率比上一代產品又提高了25%，有助于進一步提高開關電源的效率。

2024-08-09 標簽：電子設備 Rohm 肖特基勢壘二極管 1.4萬 0

具有低導通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設計

北京工業大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結構肖特基勢壘二極管（SBD）的性能

2024-02-19 標簽：SBD SiC GaN 1768 0

6種二極管的特性分析

整流二極管 (Rectifier Diode) 顧名思義，是指對商用頻率的交流電進行整流的二極管。整流的主要目的是將交流轉換為直流，其具有高電壓、高電流...

2023-11-28 標簽：二極管半導體整流二極管 2258 0

SiC產品和Si產品的兩點比較 SiC肖特基勢壘二極管的特征

我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特...

2023-07-18 標簽：變壓器 SBD SiC 749 0

一種基于全HVPE生長的垂直GaN肖特基勢壘二極管

近日，由深圳大學和深圳信息職業技術學院組成的科研團隊，研發出了“基于全HVPE生長、具有創紀錄的高品質優值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘...

2023-06-13 標簽：二極管功率器件 GaN 1707 0

在功率二極管中損耗最小的SiC-SBD

ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前...

2023-02-13 標簽：二極管功率二極管 SiC 905 0

肖特基勢壘二極管的特征介紹

再次談及Si二極管，將說明肖特基勢壘二極管（以下簡稱為SBD）的相關特征和應用。 Si-SBD的特征：如前文所述，Si-SBD并非PN結，而是利用硅稱之...

2023-02-09 標簽：二極管 SBD 肖特基勢壘二極管 1090 0

SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優勢

關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優勢。

2023-02-08 標簽：SBD SiC 肖特基勢壘二極管 1695 0

SiC-SBD的發展歷程

為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發展到第2代，性能得到了提升。

2023-02-08 標簽：二極管 SBD SiC 834 0

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較

下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特...

2023-02-08 標簽：二極管 PND SBD 954 0

SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管的比較

繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管：下面從SiC肖...

2023-02-08 標簽：二極管 SBD SiC 1117 0

什么是肖特基勢壘二極管？可以在任何地方使用嗎

肖特基勢壘二極管是一種利用稱為肖特基勢壘的現象的二極管，其中當半導體和金屬接合時，電流僅沿一個方向流動。由于其結構不同于一般二極管的P型/N型半導體制成...

2022-03-30 標簽：肖特基二極管肖特基勢壘肖特基勢壘二極管 7977 0

碳化硅材料的特性和優勢分析

碳化硅半導體一、碳化硅材料的特性 SiC（碳化硅）是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導體。與 Si 相比，SiC 具有十倍的介電擊穿場強、三倍的帶...

2021-06-15 標簽：碳化硅肖特基勢壘二極管 1.0萬 0

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