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標簽 > 脈沖測試
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隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件在電動汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應用日益廣泛。這些應用對功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動...
雙脈沖測試系統(tǒng):該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號,以模擬實際工作中的開關(guān)動作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率,以滿足測試需求。
2024-03-11 標簽:測試系統(tǒng)IGBT功率器件 3170 0
如何利用IGBT雙脈沖測試電路改變電壓及電流測量探頭的位置?
利用IGBT雙脈沖測試電路,改變電壓及電流測量探頭的位置,即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(下文簡稱FRD)的相關(guān)參數(shù)進行測量與評估。
IGBT雙脈沖測試的實測原理及電路拓撲結(jié)構(gòu)
通常我們對某款I(lǐng)GBT的認識主要是通過閱讀相應的datasheet,數(shù)據(jù)手冊中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測試得來的,而實際應用中的外部...
功率開關(guān)器件的規(guī)格書上有著多種多樣的數(shù)據(jù),如靜態(tài)特性參數(shù),動態(tài)特性參數(shù),開關(guān)特性參數(shù)等等。其中靜態(tài)特性參數(shù)大多數(shù)可以通過靜態(tài)參數(shù)一體化測試機或者源表等設...
通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性ー總結(jié)ー
在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中,重點關(guān)注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數(shù)校正(PFC)電路等是兩個MOSFET串聯(lián)...
雙脈沖測試(Double Pulse Test)是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的常用測試,通過雙脈沖測試可以便捷的評估功率器件的性能,獲得穩(wěn)態(tài)和動態(tài)過程中的...
2022-11-04 標簽:MOSFET脈沖測試功率開關(guān)器件 4431 0
雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。...
雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
一般,我們是通過閱讀器件廠商提供的datasheet來了解一個器件的參數(shù)特性,但是datasheet中所描述的參數(shù)是在特定的外部參數(shù)條件測試得來的,因此...
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