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在半導體制造中,3納米工藝是繼5納米MOSFET 技術節點之后的下一個芯片縮小。截至2019年,三星和臺積電已宣布計劃將3 nm 半導體節點投入商業生產。它基于GAAFET(全能柵極場效應晶體管)技術,這是一種多柵極MOSFET技術。
用于四頻 GSM / GPRS / ED Tx-Rx iPAC FEM 雙頻 GS Tx-Rx iPAC? FEM 雙頻 G 用于 LTE / EUTRAN 頻段 V 用于 LTE / EUTRAN 頻段 V WCDMA / HSDPA / HSUP 前端模塊 WCDMA/HSDPA 前端模塊 WCDMA/HSDPA/HSU 用于 LTE / EUTRAN 頻段 I Tx-Rx iPAC FEM 四頻 GS 用于四頻 GSM / GPRS 的 Tx 用于 GSM / GPRS(824–91
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