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標(biāo)簽 > DDR內(nèi)存
DDR內(nèi)存全稱是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM,雙倍速率SDRAM)。它是SDRAM 的升級版本,因此也稱為「SDRAM II」。
DDR SDRAM模塊部分與SDRAM模塊相比,改為采用184針(pin),4~6 層印刷電路板,電氣接口則由「LVTTL」改變?yōu)椤窼STL2」。在其它組件或封裝上則與SDRAM模塊相同。DDR SDRAM模塊一共有184個接腳,且只有一個缺槽,與SDRAM的模塊并不兼容。
沒有阻抗控制的話,將引發(fā)相當(dāng)大的信號反射和信號失真,導(dǎo)致設(shè)計失敗。常見的信號,如PCI總線、PCI-E總線、USB、以太網(wǎng)、DDR內(nèi)存、LVDS信號等,...
2023-12-18 標(biāo)簽:lvdsDDR內(nèi)存PCB 847 0
ZYNQ開發(fā)案例之DMA控制器系統(tǒng)設(shè)計
1. DMA外設(shè)特點: 1. DMA引擎擁有一個靈活的指令設(shè)置DMA的傳輸; 2. 擁有8個cache線,每一個cache線寬度是4個字; 3. 擁有8...
2020-12-05 標(biāo)簽:dmaDDR內(nèi)存 4265 0
嵌入式DDR總線結(jié)構(gòu)介紹及硬件信號布線分析
嵌入式DDR(Double Data Rate,雙數(shù)據(jù)速率)設(shè)計是含DDR的嵌入式硬件設(shè)計中最重要和最核心的部分。隨著嵌入式系統(tǒng)的處理能力越來越強大,實...
2018-04-14 標(biāo)簽:嵌入式DDR內(nèi)存 4492 0
用于VR13 CPU VCORE和DDR內(nèi)存的兩相D-CAP+?降壓控制器數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-25 標(biāo)簽:降壓控制器DDR內(nèi)存
DDR內(nèi)存布線指導(dǎo),DDR_Layout_Guide_[1]..立即下載
類別:PCB設(shè)計規(guī)則 2013-04-12 標(biāo)簽:LayoutDDR內(nèi)存
由運算放大器和場效應(yīng)管組成的DDR內(nèi)存2.5V供電電路原理圖立即下載
類別:信號處理電路 2012-09-23 標(biāo)簽:場效應(yīng)管運算放大器DDR內(nèi)存
DDR(Double Data Rate)內(nèi)存的頻率與帶寬之間存在緊密的關(guān)系,具體可以從以下幾個方面進行介紹: 一、頻率與帶寬的基本概念 頻率 :DDR...
2024-11-29 標(biāo)簽:帶寬頻率數(shù)據(jù)交換 1381 0
DDR內(nèi)存的工作原理 DDR內(nèi)存的常見故障及解決辦法
DDR內(nèi)存的工作原理 DDR(Double Data Rate)內(nèi)存,即雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器,是一種高速的內(nèi)存技術(shù)。它允許在時鐘周期的上升沿和...
2024-11-29 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)傳輸數(shù)據(jù)DDR內(nèi)存 673 0
測試DDR內(nèi)存的穩(wěn)定性是確保計算機系統(tǒng)穩(wěn)定運行的重要步驟。以下是一些常用的測試DDR內(nèi)存穩(wěn)定性的方法: 一、使用專業(yè)測試軟件 MemTest86 : 功...
DDR內(nèi)存與SDRAM的區(qū)別 DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存哪個好
DDR內(nèi)存與SDRAM的區(qū)別 1. 定義與起源 SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) :同步...
2024-11-29 標(biāo)簽:SDRAM存儲器DDR內(nèi)存 1025 0
DDR內(nèi)存與數(shù)據(jù)傳輸速度的關(guān)系
在計算機系統(tǒng)中,內(nèi)存是至關(guān)重要的組件之一,它直接影響到數(shù)據(jù)的處理速度和系統(tǒng)的響應(yīng)時間。DDR內(nèi)存作為一種高效的內(nèi)存技術(shù),其數(shù)據(jù)傳輸速度是衡量其性能的關(guān)鍵...
2024-11-20 標(biāo)簽:存儲器數(shù)據(jù)傳輸計算機系統(tǒng) 1073 0
隨著計算機技術(shù)的飛速發(fā)展,內(nèi)存作為計算機的核心組件之一,其穩(wěn)定性和可靠性對整個系統(tǒng)的運行至關(guān)重要。DDR(Double Data Rate)內(nèi)存以其高速...
DDR內(nèi)存,全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(雙倍數(shù)據(jù)速率同步動...
2024-11-20 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)傳輸電子設(shè)備DDR內(nèi)存 840 0
檢測DDR內(nèi)存性能是一個涉及硬件和軟件的綜合過程,可以通過以下幾個步驟來進行: 1. 硬件檢查 1.1 確認內(nèi)存規(guī)格 查看內(nèi)存條標(biāo)簽 :檢查內(nèi)存條上的標(biāo)...
隨著計算機硬件技術(shù)的快速發(fā)展,內(nèi)存的性能越來越受到重視。DDR內(nèi)存作為計算機運行不可或缺的一部分,其性能直接影響到計算機的響應(yīng)速度和數(shù)據(jù)處理能力。超頻,...
消息稱三星Q2供應(yīng)超微HBM3E 下半年啟動大規(guī)模量產(chǎn)
HBM,即高帶寬內(nèi)存,以其獨特的“樓房設(shè)計”概念,打破了傳統(tǒng)DDR內(nèi)存的設(shè)計局限,憑借出色的性能在市場中贏得了廣泛認可。
2024-04-15 標(biāo)簽:DDR內(nèi)存HBM三星 963 0
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