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標(biāo)簽 > NAND芯片
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閃存芯片是非揮發(fā)存儲(chǔ)芯片,廣泛用于電子產(chǎn)品,特別是如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、手機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動(dòng)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)應(yīng)用。
英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登摩爾曾預(yù)言,芯片上的晶體管數(shù)量每隔一到兩年就會(huì)增加一倍。由于圖案微型化技術(shù)的發(fā)展,這一預(yù)測(cè)被稱為摩爾定律,直到最近才得以實(shí)現(xiàn)。
TTL逆變器和NAND門(mén)實(shí)驗(yàn)研究
自20世紀(jì)60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門(mén)以來(lái),各種數(shù)字邏輯電路技術(shù)層出不窮。本次實(shí)驗(yàn)將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器(非門(mén))和2輸入NAND門(mén)配置。
TBW的概念及寫(xiě)入放大系數(shù) 如何降低寫(xiě)入放大對(duì)存儲(chǔ)器的影響
TBW(Total Bytes Written)是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫(xiě)入放大的影響,實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。
美光232層QLC NAND芯片已量產(chǎn)并出貨,推出SSD新品
美光科技近期宣布,其創(chuàng)新的232層QLC NAND芯片已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并已開(kāi)始出貨。這一里程碑式的成就標(biāo)志著美光在NAND技術(shù)領(lǐng)域再次取得了顯著進(jìn)步,鞏固...
2024-04-29 標(biāo)簽:SSD美光科技固態(tài)硬盤(pán) 804 0
三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品,采用290層雙重堆疊技術(shù)
作為九代V-NAND的核心技術(shù),雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層,主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計(jì)算領(lǐng)域。據(jù)了解,三星計(jì)劃...
大摩力推NAND存儲(chǔ) 直言英偉達(dá)“不再是首選”
分析師表示:“我們看到NAND芯片價(jià)格在第一季度連續(xù)上漲超過(guò)20%,在某些地區(qū)漲幅更大。”研究機(jī)構(gòu)TrendForce近日?qǐng)?bào)告顯示,預(yù)計(jì)2024年第一季...
2024-01-29 標(biāo)簽:人工智能Nand flash英偉達(dá) 801 0
2024年DRAM、NAND Flash合約價(jià)將如何演繹呢?
存儲(chǔ)作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最大的一個(gè)細(xì)分之一,一直以來(lái),它是行情晴雨表。2024年電子存儲(chǔ)行情如何呢?
SK海力士收購(gòu)Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重新組建的Solidigm公司非常活躍,最近披露了其近期NAND、SSD規(guī)劃路線圖,預(yù)計(jì)2023年上半年陸續(xù)落地。
存儲(chǔ)價(jià)格低迷,三星2023年?duì)I業(yè)利益率恐跌至12年最低水平
三星電子2023年?duì)I業(yè)利益率恐時(shí)隔12年跌至個(gè)位數(shù)。
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