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CMP指令是由美國斯坦福大學提出的,英文名稱是Chip multiprocessors,翻譯成中文就是單芯片多處理器,也指多核心其思想是將大規(guī)模并行處理器中的SMP(對稱多處理器)集成到同一芯片內,各個處理器并行執(zhí)行不同的進程。與CMP比較, SMT處理器結構的靈活性比較突出。
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當比較指令的操作數(shù)不完整,(如只指定一個或二個操作數(shù)),指定的操作數(shù)不符合要求(如把X D T C 指定為目標操作數(shù)),或者指定的操作數(shù)的元件超出了允許...
1)在單晶硅片制造環(huán)節(jié),單晶硅片首先通過化學腐蝕減薄,此時粗糙度在 10-20μm,在進行粗拋光、細拋光、精拋光等步驟,可將粗糙度控制在幾十個 nm 以...
SIMATIC S7-1500 PLC小于比較指令與大于等于比較指令簡述
TIA博途軟件提供了豐富的比較指令,可以滿足用戶的各種需要。TIA博途軟件中的比較指令可以對如整數(shù)、雙整數(shù)、實數(shù)等數(shù)據(jù)類型的數(shù)值進行比較。
TSV 是目前半導體制造業(yè)中最為先進的技術之一,已經應用于很多產品生產。實現(xiàn)其制程的關鍵設備選擇與工藝選擇息息相關, 在某種程度上直接決定了 TSV 的...
SIMATIC S7-1500 PLC等于比較指令與不等于比較指令簡述
TIA博途軟件提供了豐富的比較指令,可以滿足用戶的各種需要。TIA博途軟件中的比較指令可以對如整數(shù)、雙整數(shù)、實數(shù)等數(shù)據(jù)類型的數(shù)值進行比較。
拋光液必須現(xiàn)場調配,立即使用。通過測量容積或液位實時確保各種成分的配比,實現(xiàn)現(xiàn)配現(xiàn)磨。先進的芯片制程采用非接觸式的稱重計量法來做配比,采用自動化的高精密...
濕法刻蝕利用化學溶液溶解晶圓表面的材料,達到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學反應的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
寄存器CMP_CTRLSTS的CMPBLANKING[2:0]位用于選擇比較器消隱窗口的來源,該功能可以用于防止電流調節(jié)在PWM起始時刻產生的尖峰電流。
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