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標(biāo)簽 > ddr
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫(xiě),即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
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Versal ACAP:精簡(jiǎn)設(shè)計(jì)進(jìn)程的最佳實(shí)踐
隨著AI、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等技術(shù)在各行各業(yè)廣泛應(yīng)用 相應(yīng)的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)內(nèi)容也變得日益復(fù)雜 目前的應(yīng)用開(kāi)發(fā)速度已無(wú)法滿足企業(yè)的需求 如何簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)進(jìn)程,提高...
2021-05-31 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)RAM 1978 0
1. 為什么使用PCIe傳輸 在FPGA需要和處理器打交道時(shí),無(wú)論是X86,還是PowerPC,以及一些嵌入式的ARM等,對(duì)外的接口常見(jiàn)如下表。 而PC...
2021-05-31 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)DDR 1.7萬(wàn) 0
存儲(chǔ)器以及DDR5技術(shù)及完整的測(cè)試方案
· 寄語(yǔ) ·? 小伙伴們,我們又見(jiàn)面了,上一期?「IC手記 ? 點(diǎn)沙成金的半導(dǎo)體行業(yè)」給大家介紹了芯片簡(jiǎn)史和PA測(cè)試的內(nèi)容,這一期,我們繼續(xù)為大家?guī)?lái)數(shù)...
前言 上文中,我們介紹了DDR芯片的物理層及協(xié)議測(cè)試,本文我們繼續(xù)給大家揭秘如何利用是德科技的ADS仿真軟件輔助進(jìn)行DDR的電路仿真,驗(yàn)證和分析。 是德...
Phison會(huì)進(jìn)入RAM-based Storage這個(gè)市場(chǎng)嗎?
隨著PCIe Gen5, Gen6的普及,SSD的速度會(huì)越來(lái)越快。NAND Flash自身的速度也在增加,2年前一個(gè)Channel只能支持1.2GB/s...
杰銳思將從六個(gè)方面進(jìn)行優(yōu)化進(jìn)一步提升公司的綜合競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力
摘要 杰銳思目前正在從單機(jī)供應(yīng)商向分段整合交付的系統(tǒng)解決方案提供商轉(zhuǎn)變升級(jí)。 3C數(shù)碼電池和動(dòng)力電池領(lǐng)域新一輪擴(kuò)產(chǎn)潮釋放出的市場(chǎng)需求,給鋰電設(shè)備企業(yè)帶來(lái)...
2021-05-06 標(biāo)簽:動(dòng)力電池DDREv 2417 0
關(guān)于DDR應(yīng)用的一般注意要點(diǎn)的詳細(xì)介紹
DDR應(yīng)用的一般注意要點(diǎn) 上周的文章我們介紹了應(yīng)用 DDR 時(shí)需要先從電源、時(shí)鐘兩個(gè)方面必須遵循的固定法則,以保證存儲(chǔ)的正常使用。本次文章,我們主要圍繞...
DDR5內(nèi)存和數(shù)據(jù)中心正迎來(lái)發(fā)展新契機(jī)
回顧2020年,在新基建的驅(qū)動(dòng)下,數(shù)據(jù)中心正迎來(lái)發(fā)展的新契機(jī)。這一趨勢(shì)加速推動(dòng)了DDR向更快、更高效的新一代產(chǎn)品迭代,國(guó)內(nèi)各大廠商紛紛布局DDR5內(nèi)存并...
2021-05-01 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器DDR服務(wù)器 2431 0
關(guān)于DDR3和FPGA部分的20個(gè)設(shè)計(jì)規(guī)范總結(jié)
DQ0-7 八根線必須連到同一T塊(也稱為字節(jié)組)上,一旦分在一起,這個(gè)字節(jié)組就不能放地址線和控制線了,只能放數(shù)據(jù)線。 每組數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的DQS必須連到N...
針對(duì)DDR2和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)介紹
本文章主要涉及到對(duì)DDR2和DDR3在PCB設(shè)計(jì)時(shí),考慮信號(hào)完整性和電源完整性的設(shè)計(jì)事項(xiàng),這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。 文章重點(diǎn)是討論在盡可能少的PCB...
Hermes SI工具如何進(jìn)行封裝中Serdes與DDR建模仿真?
在高速信號(hào)中,Serdes、DDR技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)階段成熟的主流技術(shù)。無(wú)論是傳統(tǒng)的通信業(yè)務(wù),還是火熱的汽車(chē)電子、自動(dòng)駕駛技術(shù),Serdes、DDR技術(shù)的相...
該設(shè)計(jì)元素是專用的輸入寄存器,旨在將外部雙數(shù)據(jù)速率(DDR)信號(hào)接收到Xilinx FPGA中。IDDR可用的模式可以在捕獲數(shù)據(jù)的時(shí)間和時(shí)鐘沿或在相同的...
2021-03-13 標(biāo)簽:寄存器DDRXilinx FPGA 6581 0
國(guó)產(chǎn)品牌阿斯加特推首款DDR5內(nèi)存
2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級(jí)換代元年,DDR5內(nèi)存下半年就會(huì)正式亮相。今天國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內(nèi)存,起步頻率就達(dá)到DDR5-4...
紫光國(guó)芯成功研發(fā)基于DDR4的NVDIMM-N
我們知道,傳統(tǒng)的DDR DIMM內(nèi)存是易失性的,也就是必須維持通電才能保持?jǐn)?shù)據(jù),一旦斷電就都沒(méi)了。
2021-02-19 標(biāo)簽:閃存DDR數(shù)據(jù)中心 2566 0
Intel將在本季度末發(fā)布代號(hào)Ice Lake-SP的新一代至強(qiáng)處理器,面向單路、雙路領(lǐng)域,首次在服務(wù)器上引入10nm工藝,和此前推出的四路/八路型14...
塵埃落定,1月份DDR4內(nèi)存合約價(jià)全面上漲
從去年11月、12月開(kāi)始,內(nèi)存市場(chǎng)變得敏感了,美光的內(nèi)存工廠還出現(xiàn)了火災(zāi)事故,再加上全球性的半導(dǎo)體缺貨,漲價(jià)風(fēng)聲不斷。現(xiàn)在2021年1月份過(guò)去了,可以確...
內(nèi)存已經(jīng)部分漲價(jià) 供不應(yīng)求會(huì)持續(xù)好多年
經(jīng)過(guò)兩年多的低潮期之后,內(nèi)存市場(chǎng)已經(jīng)在2020年底開(kāi)始變天,價(jià)格止跌,部分產(chǎn)品甚至已經(jīng)開(kāi)始漲價(jià)了。 由于三星、美光、SK海力士三大內(nèi)存巨頭從2019到2...
2021-02-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)DDR內(nèi)存 1913 0
歷代DRAM的訊號(hào)規(guī)格演進(jìn)介紹
在開(kāi)始介紹 DDR 之前,首先要了解內(nèi)存的功用為何。大多數(shù)的 3C 產(chǎn)品在運(yùn)作時(shí),會(huì)將正在使用的程式存放到一個(gè)短期數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū),該空間即為內(nèi)存,所以有了內(nèi)...
威剛將為英特爾 12 代 Alder Lake 平臺(tái)開(kāi)發(fā)最高 64GB 容量的 DDR5-8400 內(nèi)存模組
WCCFTech 報(bào)道稱,威剛(ADATA)已透露將為英特爾 12 代 Alder Lake 平臺(tái)開(kāi)發(fā)最高 64GB 容量的 DDR5-8400 內(nèi)存模...
金泰克:致力于打造存儲(chǔ)全產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展模式
2021中國(guó)IC風(fēng)云榜“年度新銳公司”征集現(xiàn)已啟動(dòng)!入圍標(biāo)準(zhǔn)要求為營(yíng)收過(guò)億元的未上市、未進(jìn)入IPO輔導(dǎo)期的半導(dǎo)體行業(yè)優(yōu)秀企業(yè)。評(píng)選將由中國(guó)半導(dǎo)體投資聯(lián)盟...
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