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DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。

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在多樣化的教育信創(chuàng)解決方案之外,聯(lián)想開天、清華同方、銳捷在第83屆中國教育裝備展示會上還率先展示了基于兆芯新一代開先KX-7000系列處理器打造的高性能...

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全球半導(dǎo)體存儲芯片正在全面上漲

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從DDR4到DDR5高速連接器如何助一臂之力

當(dāng)前,數(shù)據(jù)中心的運營商均致力于跟上數(shù)據(jù)傳輸方面的要求。他們必須尋求各種方式來滿足數(shù)據(jù)和存儲上日新月異的需求,同時確保服務(wù)質(zhì)量、降低成本。

2019-12-25 標(biāo)簽:DDR4高速連接器 1672 0

Cadence首個DDR4 Design IP解決方案在28納米級芯片上得到驗證

Cadence宣布業(yè)內(nèi)首個DDR4 Design IP解決方案在28納米級芯片上得到驗證

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面對2023年最嚴(yán)重的供過于求局面,第四季度行業(yè)價格上漲近10%。

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存儲芯片漲價風(fēng)潮進一步蔓延,這一次NOR Flash行業(yè)即將迎來拐點。摩根士丹利最新報告指出,2024年全球NOR Flash市場將從供過于求轉(zhuǎn)向供不應(yīng)...

2024-01-04 標(biāo)簽:DDR4存儲芯片Nand flash 1633 0

英特爾Arria 10 SOC FPGA開發(fā)板硬件支持32位 DDR4 SDRAM

英特爾的SoC開發(fā)套件提供了開發(fā)定制ARM快速和簡單的方法*處理器的SoC設(shè)計。設(shè)計生產(chǎn)率是Arria 10 SoC架構(gòu)的驅(qū)動理念之一。Arria 10...

2020-05-20 標(biāo)簽:fpga英特爾DDR4 1617 0

DDR仿真需要提取到多少頻率?

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有源的模型這個沒什么好說的,就擺在這里,我們也只能管管模型對不對。那我們說說提取鏈路的無源參數(shù)吧。我們以DDR4的數(shù)據(jù)信號(2400Mbps)為例來說明。

2022-04-07 標(biāo)簽:DDR4有源數(shù)據(jù)信號 1583 0

南亞科技明年初試產(chǎn)DDR5內(nèi)存顆粒,四款1Bnm制程DRAM產(chǎn)品已投產(chǎn)

據(jù)悉,現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計劃下半年少量推出DDR5產(chǎn)品并逐步提高產(chǎn)量,...

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DDR4或年內(nèi)停產(chǎn),三大廠商引發(fā)內(nèi)存市場變局

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1月份DDR4等內(nèi)存價格全面上漲

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三星歷史首款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)完成

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紫光DDR4內(nèi)存正在路上 預(yù)計明年推向市場

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2017-12-28 標(biāo)簽:ddr4紫光國芯 1503 0

美光提出3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS”或成DDR4基石

美光科技今天表示,正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作,爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化,并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。

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工控與嵌入式儲存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商—宜鼎國際(Innodisk),今日宣布推出全球首個全系列DDR4 2666嵌入式內(nèi)存模塊解決方案,這是迄今全球最快的嵌...

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基于3D Xpoint技術(shù)的傲騰DC非易失DDR4內(nèi)存面世:單條容量起步128GB

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三星再次減產(chǎn),刺激DDR4價格上漲

三星公司計劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能,而今年以來這一減產(chǎn)主要針對DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期,三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一...

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AMD的7nm銳龍3000將支持DDR4-5000內(nèi)存

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DDR5內(nèi)存具體有哪些變化

從增強現(xiàn)實到人工智能、云計算再到物聯(lián)網(wǎng),5G正在燃爆新技術(shù)增長,同時也在燃爆它們生成的數(shù)據(jù)量。數(shù)據(jù)量越來越大,隨之而來的是存儲和快速訪問需求,DDR5之...

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