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標(biāo)簽 > ddr4
DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。
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聯(lián)想開天、同方、銳捷KX-7000信創(chuàng)整機亮相中國教育裝備展示會
在多樣化的教育信創(chuàng)解決方案之外,聯(lián)想開天、清華同方、銳捷在第83屆中國教育裝備展示會上還率先展示了基于兆芯新一代開先KX-7000系列處理器打造的高性能...
用于個人電腦(PC)和智能手機的半導(dǎo)體存儲芯片DRAM的價格已經(jīng)停止下跌。根據(jù)存儲芯片制造商和設(shè)備制造商參考8月份的交易價格確定,作為指標(biāo)的8GB DD...
突破創(chuàng)新!長工微電子提供高密度DDR4電源解決方案,授權(quán)世強硬創(chuàng)代理
日前,世強先進(深圳)科技股份有限公司(下稱“世強先進”)和東莞長工微電子有限公司(下稱“長工微電子”)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,授權(quán)世強先進全線代理其旗下電源...
當(dāng)前,數(shù)據(jù)中心的運營商均致力于跟上數(shù)據(jù)傳輸方面的要求。他們必須尋求各種方式來滿足數(shù)據(jù)和存儲上日新月異的需求,同時確保服務(wù)質(zhì)量、降低成本。
Cadence首個DDR4 Design IP解決方案在28納米級芯片上得到驗證
Cadence宣布業(yè)內(nèi)首個DDR4 Design IP解決方案在28納米級芯片上得到驗證
存儲芯片價格過去2個月內(nèi)上漲約六至七成,2024年一季度是觀察重點
存儲芯片漲價風(fēng)潮進一步蔓延,這一次NOR Flash行業(yè)即將迎來拐點。摩根士丹利最新報告指出,2024年全球NOR Flash市場將從供過于求轉(zhuǎn)向供不應(yīng)...
2024-01-04 標(biāo)簽:DDR4存儲芯片Nand flash 1633 0
英特爾Arria 10 SOC FPGA開發(fā)板硬件支持32位 DDR4 SDRAM
英特爾的SoC開發(fā)套件提供了開發(fā)定制ARM快速和簡單的方法*處理器的SoC設(shè)計。設(shè)計生產(chǎn)率是Arria 10 SoC架構(gòu)的驅(qū)動理念之一。Arria 10...
有源的模型這個沒什么好說的,就擺在這里,我們也只能管管模型對不對。那我們說說提取鏈路的無源參數(shù)吧。我們以DDR4的數(shù)據(jù)信號(2400Mbps)為例來說明。
2022-04-07 標(biāo)簽:DDR4有源數(shù)據(jù)信號 1583 0
南亞科技明年初試產(chǎn)DDR5內(nèi)存顆粒,四款1Bnm制程DRAM產(chǎn)品已投產(chǎn)
據(jù)悉,現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計劃下半年少量推出DDR5產(chǎn)品并逐步提高產(chǎn)量,...
DDR4或年內(nèi)停產(chǎn),三大廠商引發(fā)內(nèi)存市場變局
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,日前,日媒報道由于DRAM內(nèi)存芯片價格持續(xù)下滑,全球三大原廠三星、SK海力士和美光計劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)...
2025-02-21 標(biāo)簽:DDR4 1565 0
從去年11月、12月開始,內(nèi)存市場變得敏感了,美光的內(nèi)存工廠還出現(xiàn)了火災(zāi)事故,再加上全球性的半導(dǎo)體缺貨,漲價風(fēng)聲不斷。
三星歷史首款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)完成
三星電子今天宣布,已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā),并采用30nm級工藝制造了首批樣品。
紫光DDR4內(nèi)存正在路上 預(yù)計明年推向市場
回首過去一年的存儲芯片市場,漲價永遠(yuǎn)都是關(guān)鍵詞,一連7個季度的漲價,這是由于閃存、內(nèi)存漲價有市場供需失衡的原因,中國在這個領(lǐng)域毫無發(fā)言權(quán)。紫光生產(chǎn)的DD...
美光提出3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS”或成DDR4基石
美光科技今天表示,正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作,爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化,并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。
宜鼎國際推出全球首個全系列DDR4 2666嵌入式內(nèi)存模塊解決方案
工控與嵌入式儲存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商—宜鼎國際(Innodisk),今日宣布推出全球首個全系列DDR4 2666嵌入式內(nèi)存模塊解決方案,這是迄今全球最快的嵌...
基于3D Xpoint技術(shù)的傲騰DC非易失DDR4內(nèi)存面世:單條容量起步128GB
Intel的傲騰(Optane)存儲產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋SSD領(lǐng)域,其中包括提供系統(tǒng)/機械硬盤加速的小容量、也有完全可以做主力存儲使用的大容量。
三星公司計劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能,而今年以來這一減產(chǎn)主要針對DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期,三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一...
AMD的7nm銳龍3000將支持DDR4-5000內(nèi)存
本月底的臺北電腦展上,AMD CEO蘇姿豐將會正式發(fā)布基于7nm工藝、Zen2架構(gòu)的銳龍3000系列處理器,之前公開展示的是8核16先承辦,但7nm銳龍...
從增強現(xiàn)實到人工智能、云計算再到物聯(lián)網(wǎng),5G正在燃爆新技術(shù)增長,同時也在燃爆它們生成的數(shù)據(jù)量。數(shù)據(jù)量越來越大,隨之而來的是存儲和快速訪問需求,DDR5之...
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