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DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。

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ddr4資訊

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2024-05-20 標(biāo)簽:處理器SSDDDR4 1042 0

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一款基于Mobility Edge的超堅(jiān)固5G移動數(shù)據(jù)終端—霍尼韋爾CT47

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2024-02-29 標(biāo)簽:處理器無線網(wǎng)絡(luò)DDR4 1026 0

美光JEDEC合作制定3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)或成DDR4技術(shù)

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2011-12-17 標(biāo)簽:內(nèi)存美光DDR4 1023 0

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2023-09-15 標(biāo)簽:amd英特爾DDR4 1011 0

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2024-08-01 標(biāo)簽:控制器內(nèi)存Marvell 1006 0

DRAM市場面臨雙重壓力:庫存調(diào)整與需求疲軟影響價格走勢

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評測丨造極DDR4內(nèi)存條,穩(wěn)定為先

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“登峰造極境,國潮顯崢嶸。”造極系列DDR4內(nèi)存,承載著 云彣(UniWhen?) 對卓越工藝的不懈追求與極限性能的勇敢挑戰(zhàn)。造極以匠心獨(dú)運(yùn),將千年的文...

2024-06-23 標(biāo)簽:內(nèi)存條DDR4 988 0

三季度DRAM和NAND閃存價格跌幅放緩

今年Q3,存儲產(chǎn)品價格有望迎來拐點(diǎn)。

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存儲三巨頭欲拉動DRAM價格上漲 目標(biāo)漲幅7-8%

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2021-08-27 標(biāo)簽:SSDDDR4固態(tài)硬盤 894 0

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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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