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finfet存儲器

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　　與平面工藝相比，F(xiàn)inFET的復雜性一般會導致更加昂貴的制造工藝，F(xiàn)inFET降低了工作電壓，提高了晶體管效率，對靜態(tài)功耗（線性）和動態(tài)功耗（二次方）都有積極作用。可節(jié)省高達50%的功耗。性能也更高——在0.7V上，性能（吞吐量）比平面工藝高37%。

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finfet存儲器技術

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2019-01-03 標簽：FinFET FinFET存儲器 STAR存儲器 4903 0

FinFET存儲器的設計挑戰(zhàn)以及測試和修復方法

現(xiàn)在，隨著FinFET存儲器的出現(xiàn)，需要克服更多的挑戰(zhàn)。這份白皮書涵蓋：FinFET存儲器帶來的新的設計復雜性、缺陷覆蓋和良率挑戰(zhàn)；怎樣綜合測試算法以檢...

2016-09-30 標簽：SoC FinFET存儲器 STAR存儲器 3452 0

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