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      標簽　>　finfet存儲器

      finfet存儲器

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      　　與平面工藝相比，F(xiàn)inFET的復雜性一般會導致更加昂貴的制造工藝，F(xiàn)inFET降低了工作電壓，提高了晶體管效率，對靜態(tài)功耗（線性）和動態(tài)功耗（二次方）都有積極作用。可節(jié)省高達50%的功耗。性能也更高——在0.7V上，性能（吞吐量）比平面工藝高37%。

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