FinFET制造工藝的具體步驟

本文介紹了FinFET（鰭式場效應晶體管）制造過程中后柵極高介電常數(shù)金屬柵極工藝的具體步驟。

2025-01-20 標簽：晶圓晶體管柵極 1069 0

從平面晶體管到FinFET的演變

在90納米制程之前，每一代集成電路技術(shù)節(jié)點的縮放不僅帶來了更高的器件密度，還提升了器件性能。然而，當CMOS IC從90納米發(fā)展到65納米節(jié)點時，縮放并...

2024-12-04 標簽：MOSFETNMOS晶體管 434 0

3D-IC中三個不同層次的3D是什么

隨著晶體管尺寸的逐步縮小，其特征尺寸也在不斷縮小，當特征尺寸到了22nm，平面晶體管由于其柵極對于溝道的控制能力較弱而出現(xiàn)短溝道效應，逐漸被一種新型的晶...

2024-04-02 標簽：摩爾定律晶體管場效應晶體管 702 0

FinFET是什么？22nm以下制程為什么要引入FinFET呢？

隨著芯片特征尺寸的不斷減小，傳統(tǒng)的平面MOSFET由于短溝道效應的限制，難以繼續(xù)按摩爾定律縮小尺寸。

2024-03-26 標簽：MOSFET摩爾定律晶體管 4110 0

深度解析finFET設(shè)計規(guī)則

inFET 技術(shù)有幾個含義。最重要的是，硅鰭片的高度和寬度尺寸是由制造工藝決定的，而不是由電路設(shè)計者決定的。這意味著每個晶體管的寬度尺寸是由柵極多晶硅穿...

2024-02-21 標簽：多晶硅晶體管集成芯片 2198 0

為什么半導體行業(yè)試圖取代 FinFET？

納米片晶體管并不能拯救摩爾定律，也不能解決代工廠在最先進工藝節(jié)點上面臨的所有挑戰(zhàn)。為了克服這些問題，代工廠正在尋求各種創(chuàng)新，例如背面供電（BSPD），以...

2024-01-22 標簽：srameda晶體管 834 0

FinFET工藝之self-heating概念介紹

當做到FinFET工藝時才了解到這個名詞，在平面工藝時都沒有接觸SHE（self-heating effect）這個概念。為什么到FinFET下開始需要...

2023-12-07 標簽：MOSSOIFinFET 2580 0

22nm技術(shù)節(jié)點的FinFET制造工藝流程

半導體器件的制造由許多步驟組成，這些步驟必須產(chǎn)生定義明確的結(jié)構(gòu)，并且從一個器件到下一個器件的偏差很小。每一步都必須考慮之前和隨后的制造步驟，以確保實現(xiàn)所...

2023-12-06 標簽：制造工藝22nm工藝流程 5920 0

數(shù)字后端先進工藝知識科普

DPT Double Patterning Technology。double pattern就是先進工藝下底層金屬/poly加工制造的一種技術(shù)，先進工...

2023-12-01 標簽：MOS管FinFET數(shù)字后端 2820 0

22nm平面工藝流程介紹

今天分享另一篇網(wǎng)上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process ...

2023-11-28 標簽：半導體晶片22nm 1.3萬 0

為什么要提升芯片良率？良率為什么難提升？

提高芯片的良率變得越來越困難，很多新建的晶圓廠通線數(shù)年仍難以量產(chǎn)，有的雖勉強量產(chǎn)，但是良率始終無法爬坡式的提升，很多朋友會問：芯片的良率提升真的有那么難...

2023-09-06 標簽：半導體晶圓芯片制造 5845 0

背面電力傳輸 下一代邏輯的游戲規(guī)則改變者

背面電力傳輸打破了在硅晶圓正面處理信號和電力傳輸網(wǎng)絡的長期傳統(tǒng)。通過背面供電，整個配電網(wǎng)絡被移至晶圓的背面。硅通孔 (TSV) 將電源直接從背面?zhèn)魉偷秸?..

2023-08-30 標簽：處理器晶體管電源完整性 886 0

科普一下先進工藝22nm FDSOI和FinFET的基礎(chǔ)知識

泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個主要問題。從下圖看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，le...

2023-07-12 標簽：晶體管NPN晶體管FinFET 7980 0

FinFET到底是什么呢？

提到FET，學電子的人都比較熟悉，F(xiàn)ET就是Field-Effect Transistor，場效應管。

2023-07-12 標簽：MOSFET場效應管FET 3748 0

半導體前端工藝：金屬布線—為半導體注入生命的連接

生成接觸孔后，下一步就是連接導線。在半導體制程中，連接導線的過程與一般電線的生產(chǎn)過程非常相似，即先制作線的外皮。在一般的電路連接中，直接采用成品電線即可...

2023-07-11 標簽：半導體TSMC晶體管 3303 0

什么是FinFET？鰭式場效應晶體管有哪些優(yōu)缺點？

推動半導體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢之一是采用FinFET工藝。工程師介紹，另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵（GAA）晶體管。這提供了柵極和溝...

2023-07-07 標簽：場效應管晶體管FinFET 8818 0

3nm及以下的5D提取需求

有據(jù)可查的是，與平面晶體管相比，從16nm/14nm開始的FinFET技術(shù)大大增加了必須提取的寄生值的數(shù)量。這些類似3D架構(gòu)的鰭片會產(chǎn)生許多電容值，必須...

2023-05-25 標簽：電容晶圓FinFET 499 0

金屬布線的工藝為半導體注入生命的連接

經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會形成各種半導體元件。半導體制造商會讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；

2023-04-28 標簽：DRAM晶圓晶體管 1004 0