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GaN器件

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gan器件技術(shù)

GaN可靠性測試新突破：廣電計量推出高壓性能評估方案

氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，憑借卓越的功率轉(zhuǎn)換效率、超快的開關(guān)速度以及出色的耐高溫性能，在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中...

2024-11-28 標(biāo)簽：SiC GaN 可靠性測試 445 0

淺析電源功率模組完整的設(shè)計和驗證流程

電動汽車、新能源、光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域廣泛使用高功率開關(guān)電源功率模組。IGBT和MOSFET是模組中常用器件。

2024-05-07 標(biāo)簽：電動汽車 IGBT 電磁兼容性 1133 0

聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問題

熱設(shè)計是一個至關(guān)重要的課題，其中的各種規(guī)則、縮略語和復(fù)雜方程時常讓人感到它似乎是個深不可測的神秘領(lǐng)域；

2024-04-24 標(biāo)簽：集成電路 PCB板 QFN封裝 1393 0

氮化鎵技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀分析

GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。

2023-08-21 標(biāo)簽：放大器導(dǎo)通電阻氮化鎵 518 0

半導(dǎo)體，微電子，集成電路都是什么關(guān)系？

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往往指以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的整個產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)，這里可以包括半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)（屬于化學(xué)產(chǎn)業(yè)），利用半導(dǎo)體材料生產(chǎn)加工的產(chǎn)業(yè)，幫助半導(dǎo)體材料生產(chǎn)加工的...

2023-07-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體驅(qū)動芯片 CMOS反相器 6901 0

從模塊電源技術(shù)發(fā)展角度看模塊電源的統(tǒng)型與選型

模塊電源（BMP）因其高效、安全、可靠、系統(tǒng)升級容易等特點，廣泛的應(yīng)用于工業(yè)自動化、繼電保護、配網(wǎng)自動化、軌道交通、汽車電子、航空航天等高可靠性高性能的領(lǐng)域。

2023-06-19 標(biāo)簽：電磁兼容 BMP PCB工藝 1593 0

AIGC可編輯的圖像生成方案

ControlNet給出的實驗結(jié)果實在是過于驚艷了，近期視覺領(lǐng)域最讓人興奮的工作。

2023-03-03 標(biāo)簽：Clip GaN器件 OpenAI 4066 0

硅基氮化鎵用途

當(dāng)前軍事與航天領(lǐng)域是氮化鎵技術(shù)最大的市場。最早就是在美國國防部的推動下，開始了氮化鎵技術(shù)的研究，慢慢地就行成了現(xiàn)在GaN器件的市場。據(jù)統(tǒng)計，軍事和航天領(lǐng)...

2023-02-12 標(biāo)簽：雷達硅基氮化鎵技術(shù)GaN器件 576 0

全電飛機航空電子系統(tǒng)的設(shè)計方案解析

SOI獨特的“Si/絕緣層/Si”三層結(jié)構(gòu)，帶來了諸多優(yōu)勢：首先，“絕緣埋層”實現(xiàn)了器件功能有源部分和襯底的全介質(zhì)隔離，減小了寄生電容，開關(guān)頻率得以提高。

2023-01-10 標(biāo)簽：電機驅(qū)動 SiC 碳化硅 2978 0

探索寬帶隙WBG半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識和應(yīng)用

不同種類的 GaN 可能具有不同的柵極驅(qū)動要求，這可能是使用 GaN 組件進行設(shè)計時面臨的最大挑戰(zhàn)之一。

2022-11-10 標(biāo)簽：CGD dcdc轉(zhuǎn)換器 GaN器件 2854 0

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GaN器件的LLC諧振變換器的優(yōu)化設(shè)計_馬煥立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2017-01-08 標(biāo)簽：LLC 諧振變換器 GaN器件 1243 0

gan器件資訊

泰克與遠山半導(dǎo)體合作推進1700V GaN器件

近日，泰克科技與遠山半導(dǎo)體的合作再次取得了突破性進展，雙方共同對遠山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進行了全面深入的測試與評估，取得了令...

2025-01-20 標(biāo)簽：測試設(shè)備泰克科技 GaN器件 243 0

京東方華燦光電亮相2024功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國際論壇

3月24日，SEMICON China 2024展會在上海盛大開展,同期在上海召開功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國際論壇，京東方華燦光電氮化鎵電力電子研發(fā)總監(jiān)邱...

2024-04-19 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體華燦光電 717 0

Innergie的AC適配器通過搭載可提高電源系統(tǒng)效率的羅姆EcoGaN“GNP1150TCA-Z”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co，Ltd（以下簡稱“羅姆”）的650V GaN器件（EcoGaN），被臺達電子（Delta Electronics，I...

2024-03-06 標(biāo)簽：電源管理適配器功率器件 403 0

Tagore Tech和Inventchip聯(lián)合開發(fā)一款500W電源參考設(shè)計解決方案

Tagore Technology 與 Inventchip Technology（上海瞻芯電子科技有限公司，簡稱：瞻芯電子）共同參加業(yè)界知名的2024...

2024-02-29 標(biāo)簽：電源設(shè)計控制器 PFC 875 0

面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢

近年來，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場導(dǎo)入速度加快，但與硅相比成本較高的問題依然存在。

2023-12-26 標(biāo)簽：電動汽車逆變器晶體管 1229 0

NexGen垂直GaN半導(dǎo)體預(yù)計2023年第三季度全面生產(chǎn)

該公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月發(fā)布的700V 和 1200V樣品。

2023-07-04 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 通用汽車 393 0

新品推薦 | 東科推出業(yè)內(nèi)首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片

DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉(zhuǎn)換芯片。它具有超高集成度，內(nèi)置有源箝位拓撲所需的兩顆GaNHEMT功率管，邏輯控制電...

2022-06-21 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN GaN器件 3419 0

垂直GaN 器件：電力電子的下一個層次

NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 襯底上的同質(zhì)外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化鎵或垂直 GaN）。垂直 GaN...

2022-07-27 標(biāo)簽：電容電力電子功率器件 5020 0

納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片加速進入快充市場

氮化鎵（GaN）功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以...

2022-05-05 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片 GaN器件 1876 0

全球SiC和GaN功率器件市場規(guī)模將達到56.436億美元

第三代半導(dǎo)體指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表的化合物半導(dǎo)體，該類半導(dǎo)體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV，因此也被稱...

2021-12-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 GaN器件 2911 0

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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手機快充

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
浪涌抑制器

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USB-PD

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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
醫(yī)療電源

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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
系統(tǒng)電源

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
LT8705

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”

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