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gan技術(shù)技術(shù)

使用集成GaN技術(shù)實現(xiàn)小尺寸ACDC適配器應(yīng)用資料

隨著快速充電系統(tǒng)的趨勢和不斷增長的電力需求，迫切需要創(chuàng)建占地面積小、方便、便攜的設(shè)計。小型化、高功率密度的電源設(shè)計在消費類AC/DC市場中占據(jù)了迫在眉睫...

2025-02-25 標(biāo)簽：適配器充電系統(tǒng)開關(guān)頻率 348 0

如何使用GaN HEMT抽取Self-heating效應(yīng)和Trapping效應(yīng)模型參數(shù)？

氮化鎵(GaN)技術(shù)在5G基站、衛(wèi)星通信、國防系統(tǒng)和其他應(yīng)用中的迅速普及提高了晶體管建模的門檻。

2024-05-19 標(biāo)簽：晶體管 ASM 氮化鎵 1552 0

一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)—U8722

氮化鎵充電器是一種新型的快充技術(shù)，在充電速度、安全性做到了突破。

2024-04-09 標(biāo)簽：充電器氮化鎵驅(qū)動電流 1105 0

高頻率高性能CCM同步整流芯片U7612介紹

同步整流芯片U7612是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。

2023-09-06 標(biāo)簽：MOSFET 整流二極管肖特基二極管 2208 0

激光功率對金剛石缺陷產(chǎn)生的原因及反應(yīng)機理簡析

具有通孔結(jié)構(gòu)的金剛石在高精度引線成型及高功率微波器件散熱領(lǐng)域，具有良好的應(yīng)用前景。

2023-08-12 標(biāo)簽：激光器 XPS 激光功率計 2718 0

Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。

2023-08-09 標(biāo)簽：MOSFET 功率半導(dǎo)體碳化硅 1096 0

GaN與SiC功率器件的特點 GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

　SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...

2023-08-09 標(biāo)簽：驅(qū)動器 SiC 氮化鎵 1412 0

襯底工程對氮化物L(fēng)ED的影響研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-08 標(biāo)簽：led 激光器發(fā)光二極管 527 0

基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測器件研究

一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外光探測器。日盲紫外探測器對可見光具有很低的響應(yīng)，在環(huán)境監(jiān)測、太陽輻射測量、航天科學(xué)、太陽能電池優(yōu)化和軍事應(yīng)用等...

2023-08-04 標(biāo)簽：太陽能電池探測器 MOCVD 2235 0

PI氮化鎵的質(zhì)量與可靠性介紹

氮化鎵(GaN) 是一種寬禁帶的直接帶隙半導(dǎo)體，它有著很寬的直接帶隙，很高的擊穿場強，很高的熱導(dǎo)率和非常好的物理、化學(xué)穩(wěn)定性。正因其各方面都有著非常好的...

2023-07-27 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體芯片 GaN技術(shù) 2083 0

表面終端金剛石場效應(yīng)晶體管的研究

金剛石不僅具有包括最高的硬度、極高的熱導(dǎo)率、達5.5eV的寬帶隙、極高的擊穿電場和高固有載流子遷移率等多種卓越性質(zhì)

2023-07-25 標(biāo)簽：傳感器 MOSFET FET 1622 0

金剛石基GaN問世化合物半導(dǎo)體行業(yè)進入第三波材料技術(shù)浪潮

材料往往因特定優(yōu)勢而聞名。金剛石正因為在室溫下具有最高的熱導(dǎo)率(2000W/m.K)，兼具帶隙寬、擊穿場強高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗...

2023-07-19 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體技術(shù)晶體管 1036 0

求一種可控漏感的磁集成變壓器設(shè)計方案

所謂磁集成技術(shù)，就是將多個電感、變壓器繞在一個磁芯上；再通俗一點，就是把電感集成在變壓器之中。

2023-07-03 標(biāo)簽：PCB設(shè)計諧振變換器 GaN技術(shù) 2312 0

為什么GaN的管子動態(tài)電流比靜態(tài)電流小？

性質(zhì)不同：靜態(tài)電流是沒有信號輸入時的電流，也就是器件本身在不受外部因素影響下的本身消耗電流。動態(tài)電流是把單位時間里通過導(dǎo)體任一橫截面的電量。

2023-02-25 標(biāo)簽：GaN 靜態(tài)電流電源芯片 1295 0

GaN技術(shù)的電源是如何開發(fā)的

在英語里，“ready”是很有意思的一個詞，它在不同的語境下會有完全不同的意思。有一大屋子女兒時，“ready”的意思就是為做好準(zhǔn)備而準(zhǔn)備；而準(zhǔn)備的時間...

2022-02-06 標(biāo)簽：電源控制器 GaN技術(shù) 1129 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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