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      標簽　>　gan

      gan

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      文章：1904個 瀏覽：76224次 帖子：160個

      gan技術

      DC/DC隔離電源助力綠色低碳新發展

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      2024-04-07 標簽：MOSFET電池充電隔離電源 817 0

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      GANs真正的能力來源于它們遵循的對抗訓練模式。生成器的權重是基于判別器的損失所學習到的。因此，生成器被它生成的圖像所推動著進行訓練，很難知道生成的圖像...

      2024-03-29 標簽：gpuGaN生成器 5620 0

      二維材料異質外延GaN及其應用探索

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      傳統的GaN異質外延主要在藍寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底，在剝離的過程中，如藍寶石就特別困難，會產生較大的材料損耗和額外成本，且剝離技術也有待進一步提高。

      2024-03-28 標簽：功率器件石墨烯GaN 1319 0

      四種將被氮化鎵革新電子設計的中壓應用

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      除了業界已經采用的高壓 GaN（額定值 >=600V）外，新的中壓 GaN 解決方案（額定值 80V-200V）也日益受到歡迎，可在高壓 GaN ...

      2024-03-15 標簽：逆變器電池電壓氮化鎵 6227 0

      同軸分流器在SiC和GaN器件中的測量應用

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      隨著現代電力電子的高速發展，SiC/GaN 功率器件的應用越來越廣泛，工程師經常要測量頻率高達數百 kHz，電流高達數十安培的功率電路。

      2024-03-13 標簽：功率器件SiCGaN 1481 0

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      2024-03-08 標簽：GaN單晶硅半導體制造 2153 0

      新型隔離式Σ-Δ調制器如何提高和增強系統電流測量精度

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      最新的隔離式調制器通過優化內部模擬設計和使用最新斬波技術來改善失調和增益誤差相關的性能，這極大地簡化了系統設計并減少了校準時間。最新ADuM770x器件...

      2024-03-07 標簽：adcSiC調制器 954 0

      集成柵極驅動器的GaN ePower超快開關

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      氮化鎵場效應晶體管在許多電力電子應用中持續獲得關注，但氮化鎵技術仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質因數還有很大的提升空間，但GaN...

      2024-03-05 標簽：氮化鎵GaN激光驅動器 3374 0

      適配MOSFET柵極驅動器以驅動GaN FETs

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      GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優勢，為電力電子產業帶來了革命性的變化。然而，GaN技術的快速發展有時超出了專門為GaN設計的柵...

      2024-02-29 標簽：MOSFETGaN柵極驅動 1337 0

      為什么GaN被譽為下一個主要半導體材料？

      擁有能夠在高頻下高功率運行的半導體固然很好，但盡管 GaN 提供了所有優勢，但有一個主要缺點嚴重阻礙了其在眾多應用中替代硅的能力：缺乏 P -類型。

      2024-02-29 標簽：CMOSNMOS半導體材料 648 0

      目前存在哪些與800V電動汽車動力總成架構有關的設計和測試挑戰

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      2024-02-19 標簽：電動汽車逆變器功率轉換器 1163 0

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      2024-02-19 標簽：SBDSiCGaN 1960 0

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      LED顯示屏是一種基于LED（Light Emitting Diode）技術的顯示裝置，用于在各種場合中展示文字、圖像、視頻等內容。它由多個LED像素點...

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      作者：Bill Schweber 投稿人：DigiKey 北美編輯 盡管電池技術和低功耗電路不斷取得進步，但對于許多應用來說，完全不依賴純電池設計可能是...

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      這是電力電子領域令人興奮的時代。在硅占據主導地位數十年后，兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經開始占領價值數十億美元的市場。例如，碳化硅現在是電動汽...

      2024-01-18 標簽：半導體晶體管SiC 518 0

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      自從 40 多年前，第一款開關電源問世以來，PCB 的布局就一直是電力電子設計中不可或缺的一環。無論采用哪種晶體管技術，我們必須理解和管理 PCB 布局...

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      性能重大提升的背后往往是模型設計的改變。不過有些時候對模型進行微調也可以提升機器學習的性能。最終的判斷可能會取決于你對相應任務的基準測試結果。

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      氮化鎵是一種無機化合物，化學式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學性質，使其在科學研究和工業應用領域中具有廣泛的應用。 氮化鎵是...

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