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氮化鎵和Sslicon在各種性能指標上的比較

硅制造技術已經足夠成熟，可以大規模生產直徑達18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底選擇范圍從硅或藍寶石基底（便宜但較大的晶...

2021-05-26 標簽：微處理器晶體管氮化鎵 1822 0

GaN晶體管的應用場景有哪些

GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩定性以及...

2024-08-15 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 1810 0

數明半導體SiLM824x系列隔離雙通道門級驅動器介紹

數明半導體最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔離雙通道門級驅動器。SiLM8243和SiLM8244配置為高、低邊驅動，而SiLM824...

2023-08-15 標簽：驅動器功率器件 GaN 1805 0

安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰？粉末純度、SiC晶錠一致性

硅通常是半導體技術的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領域，設計人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導體。本文為白皮...

2025-01-05 標簽：安森美 SiC GaN 1803 0

利用GaN的帶寬和功率密度優勢對抗RCIED

氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構建RF功率放大器（PA）的主要技術。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻...

2023-05-24 標簽：功率放大器 RF GaN 1786 0

垂直GaN功率器件徹底改變功率半導體

使用GaN（氮化鎵）的功率半導體作為節能/低碳社會的關鍵器件而受到關注。兩家日本公司聯手創造了一項新技術，解決了導致其全面推廣的問題。

2023-10-20 標簽：充電器晶圓氮化鎵 1785 0

Si/SiC和GaN HEMT器件的結構比較！

碳化硅（SiC）技術改進了各種應用中的多個系統和子系統組件。與硅相比，碳化硅通過更快的開關、在整個溫度范圍內的平坦RDS（on）和更好的體二極管性能表現...

2023-02-24 標簽：晶體管 SiC GaN 1781 0

65W高性能磁耦通訊GaN快充方案

隨著GaN功率器件的可靠性提升及成本逐漸接近常規MOS，相關中大功率快充方案備受市場青睞。為了滿足市場新需求，晶豐明源通過不斷創新，推出了集成GaN磁耦...

2023-05-08 標簽：驅動器充電器寄存器 1779 0

GaN功率開關會對EMI造成怎樣的影響

由于這些新電源開關的快速開關速度與相關更高效率，因此我們希望看到他們能適用于開關模式電源和射頻（RF）功率放大器。他們可廣泛取代現有的金屬氧化物半導體場...

2019-03-26 標簽：emi 功率開關 gan 1777 0

GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同

GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進的功率半導體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領域展現出了顯著的優勢。然而，它們在材料...

2024-08-15 標簽：晶體管 SiC GaN 1771 0

利用SiC和GaN實現AC-AC轉換器薄型化

　最近，采用可大幅削減電力損耗的新一代功率元件的試制示例接連出現。此次邀請了安川電機，針對采用SiC功率元件的AC-AC轉換器以及采用GaN功率元件的功...

2013-09-22 標簽：SiC GaN AC-AC轉換器 1754 0

AlN鈍化器件電流崩塌分析

本研究采用PEALD沉積AlN材料作柵絕緣層的同時，利用其作為器件表面鈍化層材料，本節即采用脈沖測試方法研究了PEALD沉積AlN鈍化器件的電流崩塌特性...

2023-02-14 標簽：微波 GaN HEMT 1753 0

如何提高系統功率密度

在功率器件領域，除了圍繞傳統硅器件本身做文章外，材料的創新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談論功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復原、低輸出電荷...

2023-05-18 標簽：功率器件 SiC GaN 1750 0

硅基氮化鎵未來發展趨勢分析

GaN 技術持續為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化...

2023-09-14 標簽：射頻無線電氮化鎵 1746 0

使用GaN設計PFC整流器

650V GaN FET 較低的寄生電容降低了開關損耗。此外，與 650-V Si MOSFET 相比，650-V GaN FET 在相同芯片尺寸內具有...

2022-08-05 標簽：MOSFET 整流器 GaN 1744 0

SL27517到底是如何應用的？

UPS（不間斷電源）作為一種保障電力供應穩定和可靠的設備，被廣泛應用在計算機、通訊和工業等領域。

2023-04-18 標簽：MOSFET 驅動器 UPS 1736 0

探索GaN-on-Si技術難點

GaN-on-Si LED技術是行業夢寐以求的技術。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；

2023-03-10 標簽：led 氮化鎵 GaN 1735 0

如何化解第三代半導體的應用痛點

所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁...

2023-05-18 標簽：半導體 SiC GaN 1732 0

GaN智能功率模塊(IPM)實現高效電機驅動

氮化鎵(GaN)在電力轉換應用中的優勢為電源轉換器帶來了系統級的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機控制驅動。在本文中，我們將...

2024-06-17 標簽：電機驅動 GaN 智能功率模塊 1725 0

GaN-on-Si功率技術:器件和應用

在過去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應用的半導體技術中顯示出巨大的潛力。與硅基半導體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩定的寬帶隙 (WB...

2022-07-29 標簽：升壓轉換器氮化鎵 GaN 1718 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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