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數據中心能夠完全滿足AI規模應用的要求呢？

數智時代的最大特點，就是AI人工智能的廣泛應用。

2024-01-25 標簽：SSD 人工智能 SCM 2342 0

堆疊式DRAM存儲節點相關部分的結構分析

在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲節點相關部分的結構圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲節點接觸(SNC)結構。

2023-09-08 標簽：電容 DRAM 存儲器 3412 0

內存芯片制造工藝 DRAM工藝流程堆疊式DRAM工藝流程

內存芯片在驅動ic市場和ic技術發展方面發揮了重要作用。市場上兩個主要的內存產品分別是DRAM和NAND。

2023-09-01 標簽：存儲器內存芯片 DRAM控制器 8577 0

如何簡化光刻膠圖形化過程呢？

摻雜少量鉑元素的鎳硅化物的穩定性也不盡相同，還與物質的具體結構有關，舉個例子來說，NiPtSi，比NiSi要穩定。

2023-08-27 標簽：接觸器 CMP 光刻機 1272 0

ICT技術高k金屬柵(HKMG)的工藝過程簡析

下圖(a)中的沉積塊狀層是必需的，這是為了SEG可以生長在設計的區域。下圖(c)顯示了KOH硅刻蝕，這種刻蝕對＜111＞晶體硅具有高的選擇性。

2023-08-25 標簽：控制器 CMP ICT技術 5923 0

具有銅互連的IC芯片設計

銅互連是一種比較新的技術。在經過深入的研究和開發后，具有銅互連的IC芯片產品第一次在1999年出現。

2023-08-18 標簽：CMOS IC芯片碳化硅 1553 0

半導體之ICT技術先通孔的過程詳解

對于先通孔的過程，首先沉積通孔刻蝕停止層(ESL)的層間介質(ILD)、低k電介質、溝槽ESL、低k電介質的和覆蓋層(下圖(a))。

2023-08-14 標簽：CMP 光刻膠 ICT技術 2392 0

半導體行業之ICT技術介紹（四）

所謂的鍵合SOI是使用兩片晶圓，一片晶圓通過高電流氫離子注入在硅表面以下形成富氫層，另一片晶圓在硅表面生長二氧化硅層(見下圖)。

2023-08-04 標簽：MOSFET 半導體 CMP 2087 0

半導體行業之ICT技術簡介

有兩個因素影響CMOS集成電路的速度，即柵延遲和互連延遲。柵延遲是指MOSFET開關的時間;互連延遲由芯片設計、工藝技術，以及互連的導體和電介質材料決定。

2023-07-31 標簽：MOSFET 半導體芯片設計 1834 0

華為配電自動化解決方案，為智能電網的發展提供了新思路

華為配電自動化解決方案利用先進的xPON、LTE等ICT技術，為智能電網時代的配電自動化發展提供了新的思路。

2018-09-10 標簽：智能電網 xpon ict技術 9058 0

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