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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3034個 瀏覽：253532次 帖子：482個

      igbt技術

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      2024-01-19 標簽：MOSFETIGBT晶體管 2.1萬 1

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      摘要：隨著人們環保意識的不斷提高，傳統的化石能源越來越無法滿足人們的要求，以太陽能為代表的可再生新能源逐漸引起人們的關注。而并網逆變器作為新能源與電網連...

      2024-01-19 標簽：逆變器IGBT晶體管 2746 0

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      由于IGBT高電壓、大電流和高頻特性，IGBT需要一個專門的驅動電路來控制其開通和關斷。本文將介紹IGBT驅動電路。 一、IGBT驅動電路的作用 IGB...

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      在當今的半導體市場，公司成功的兩個重要因素是產品質量和可靠性。而這兩者是相互關聯的，可靠性體現為在產品預期壽命內的長期質量表現。任何制造商要想維續經營，...

      2024-01-17 標簽：半導體安森美IGBT 1985 0

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      自20世紀70年代全球爆發石油危機以來，太陽能光伏發電技術引起了各國高度重視，光伏行業在全球迅速發展，經過多年的研究和技術開發，太陽能光伏組件價格已大幅...

      2024-01-15 標簽：太陽能IGBT光伏發電 1711 0

      ?IGBT模塊的損耗特性介紹

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      變頻器風扇不轉會不會影響變頻器？

      嚴重影響變頻器的正常運行。逆變器的核心器件都是IGBT功率半導體開關元件。

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      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導體器件，具有MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的高輸入阻抗和GTR（大功率晶體管）的低導通壓降的優點...

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      文章提出的IGBT模塊是設計針對風力應用的，但如果在其它設計方案中也需要采用IGBT模塊，或者其他需要定期進行單向功率流的高功率應用也可以參考。例如，在...

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