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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 161 0
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2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 211 0
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2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 196 0
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2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 168 0
UCC27512-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 4A/8A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
UCC27512 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件能夠 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流,UCC27512 能...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 182 0
UCC27527 具有 5V UVLO、使能、雙 CMOS 輸入的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
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2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 170 0
UCC27524A 具有 5V UVLO、使能和負(fù)輸入電壓處理能力的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
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2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 198 0
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2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 183 0
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2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 172 0
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UCC27528-Q1 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流,UCC...
2025-05-19 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 240 0
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ISO5852S-EP 5.7kVrms,2.5A/5A 增強(qiáng)型 1 通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
ISO5852S-EP 器件的電壓為 5.7kV ~RMS~ 、增強(qiáng)型隔離柵極 用于具有分離輸出、OUTH 和 OUTL 的 IGBT 和 MOSFET...
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