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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象,可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個電極,分別測出其正、反向...
目前國內大部分生產廠商已經采用IGBT結構的感應加熱電源,這種結構的加熱電源能夠維持長時間高效工作,且安全性比較高,因此比較受到生產商和消費群體的歡迎。
UPS是一種含有儲能裝置,以逆變器為主要組成部分的恒電壓、恒頻率輸出的不間斷電源系統。對于整個系統而言,各功能電路的工作電源的重要性是不言而喻的,因為一...
IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT和MOS組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,它既有功率MOSFET易于驅動,控制簡單、開關頻率高的優點,又有...
制造商已經為高壓直流 (HVDC) 應用開發出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對其性能進行了優化 。
2014-10-28 標簽:IGBT英飛凌科技FZ1200R45HL3 4134 0
本文通過等效電路分析,通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用,并精簡的指出了IGBT的特點。可以說,IGBT是一個非通即斷的開關,兼有MOSFET的高輸...
本文介紹的是主要要求不可避免地需采用電源并聯技術,即功率管并聯或電源裝置的并聯。對于 20kA直流電源,若采用功率管IGBT并聯,每個橋臂則至少需15只...
用于點火線圈充電的開關元件已經歷了很大演變:從單個機械開關、分電器中的多個斷電器觸點,到安裝在分電器中或單獨電子控制模塊中的高壓達林頓雙極晶體管,再到直...
在此應用中IGBT的總功率損耗包含導通損耗、導電損耗、關閉損耗及二極管損耗。二極管損耗在總功率損耗中所占比例可以忽略不計,而如果使用了零電壓開關(ZVS...
2013-12-18 標簽:IGBT 2263 0
兼顧高耐壓與低Vce(sat)性能的650V場截止溝槽式IGBT受熱捧
絕緣閘雙極電晶體(IGBT)是一種少數載子功率元件,擁有高輸入阻抗和高雙極電流功能,這些特性使其適用于多種電力電子產品,特別是馬達驅動器、不斷電系統(U...
2013-08-28 標簽:IGBT 1957 0
為讓電子產品設計人員在最短時間內,完成新一代絕緣閘雙極電晶體(IGBT)元件特性評估作業,功率半導體業者研發出更精密的線上設計工具,不僅能提供溫度和頻...
2013-08-15 標簽:IGBT 985 0
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