完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
文章:3034個(gè) 瀏覽:253534次 帖子:482個(gè)
熱限制就是我們脈沖功率,時(shí)間比較短,它可能不是一個(gè)長(zhǎng)期的工作點(diǎn),可能突然增加,這個(gè)時(shí)候就涉及到另外一個(gè)指標(biāo),動(dòng)態(tài)熱阻,我們叫做熱阻抗。這個(gè)波動(dòng)量會(huì)直接影...
兩個(gè)IGBT比一個(gè)IGBT好在哪里?IGBT使用注意事項(xiàng),IGBT控制電路模塊
IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的,它們的作用和工作原理基本一樣,IGBT模塊可以看成是多個(gè)IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了...
igbt封裝,單管IGBT,IPM和IMP的區(qū)別,四種igbt通用測(cè)量?jī)x器
IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng),各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術(shù),從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電...
場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的區(qū)別,IGBT所有型號(hào)大全
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)...
2017-05-14 標(biāo)簽:電阻場(chǎng)效應(yīng)管igbt 3.8萬(wàn) 0
IGBT與MOS管的區(qū)別,IGBT與可控硅的區(qū)別,IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
多的這個(gè)P層因內(nèi)有載流子,有電導(dǎo)調(diào)制作用,可以使IGBT在跟高電壓和電流下,有很低的壓降,因此IGBT可以做到很高電壓(目前最大6500V),但由于載流...
2017-05-14 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶閘管mos管 5.5萬(wàn) 0
當(dāng)集電極被施加一個(gè)反向電壓時(shí), J1 就會(huì)受到反向偏壓控制,耗盡層則會(huì)向N-區(qū)擴(kuò)展。因過(guò)多地降低這個(gè)層面的厚度,將無(wú)法取得一個(gè)有效的阻斷能力,所以,這個(gè)...
IGBT自適應(yīng)平衡控制系統(tǒng)設(shè)計(jì),IGBT串聯(lián)平衡穩(wěn)壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)
目前柔性直流輸電技術(shù)正朝著更高電壓、更大容量方向發(fā)展,由于絕緣柵雙極晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管...
雙電壓整流電路設(shè)計(jì),IGBT模塊適用于整流電路嗎?
不用兩個(gè)整流橋。用一個(gè)即可,把2個(gè)18伏交流接到整流橋的交流輸入端,把變壓器抽頭0伏接地線(線路板的地線),整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波,電容器2...
2017-05-03 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶閘管整流電路 1.3萬(wàn) 1
什么是IGBT?如何使用此模塊實(shí)現(xiàn)“雙面水冷”,IGNT未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)又是如何?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管...
2017-04-27 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)散熱器igbt 1.1萬(wàn) 0
電動(dòng)汽車(chē)逆變器用IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)及可用性測(cè)試
電動(dòng)汽車(chē)逆變器用于控制汽車(chē)主電機(jī)為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力,IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車(chē)逆變器的核心功率器件,其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。
2017-04-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器igbt 1637 0
如何用一顆IGBT撬動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)逆變器?
電動(dòng)汽車(chē)逆變器用于控制汽車(chē)主電機(jī)為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力,IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車(chē)逆變器的核心功率器件,其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。
2017-04-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器IGBT 9719 0
TDK集團(tuán)推出新型愛(ài)普科斯 (EPCOS) 直流支撐電容器。該元件專(zhuān)為英飛凌科 技公司 (Infineon Technologies) HybridPA...
IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計(jì)集錦—電路精選(48)
GBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗...
2017-02-04 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路半導(dǎo)體器件 2.0萬(wàn) 0
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT過(guò)流和短路保護(hù)的問(wèn)題及處理方法
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是:更高的 短路電...
2016-10-09 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT短路保護(hù) 2.2萬(wàn) 0
本文根據(jù)IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)設(shè)計(jì)了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測(cè)電路,采用兩級(jí)di/dt檢測(cè)IGBT兩類(lèi)短路狀態(tài)的實(shí)用方法。
2016-08-17 標(biāo)簽:igbt 5955 0
IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用、工作特性與使用要求
IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大,以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提,驅(qū)動(dòng)電路起到...
2016-08-05 標(biāo)簽:電路圖igbt驅(qū)動(dòng)電路 2.5萬(wàn) 0
幾種IGBT驅(qū)動(dòng)電路的保護(hù)電路原理圖
本文為您介紹幾種常見(jiàn)的IGBT驅(qū)動(dòng)電路原理及其保護(hù)電路,EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)電路、2SD315A集成驅(qū)動(dòng)模塊,并...
2016-08-04 標(biāo)簽:電路圖igbt驅(qū)動(dòng)電路 1.9萬(wàn) 0
關(guān)于變頻器控制電機(jī)有漏電問(wèn)題的解決方案
有的現(xiàn)場(chǎng)使用變頻器控制電機(jī),會(huì)出現(xiàn)漏電問(wèn)題,漏電電壓有幾十伏到二百伏電壓不等。針對(duì)這個(gè)問(wèn)題,在這里特對(duì)此故障產(chǎn)生的原因進(jìn)行理論的分析和說(shuō)明如下。
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |