igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) IGBT選型

igbt技術(shù)

如何鑒定IGBT的真?zhèn)?，IGBT選型須知

熱限制就是我們脈沖功率，時(shí)間比較短，它可能不是一個(gè)長(zhǎng)期的工作點(diǎn)，可能突然增加，這個(gè)時(shí)候就涉及到另外一個(gè)指標(biāo)，動(dòng)態(tài)熱阻，我們叫做熱阻抗。這個(gè)波動(dòng)量會(huì)直接影...

2017-05-14 標(biāo)簽：萬(wàn)用表電壓 igbt 7153 0

兩個(gè)IGBT比一個(gè)IGBT好在哪里？IGBT使用注意事項(xiàng)，IGBT控制電路模塊

IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的，它們的作用和工作原理基本一樣，IGBT模塊可以看成是多個(gè)IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了...

2017-05-14 標(biāo)簽：萬(wàn)用表 igbt 晶體管 1.4萬(wàn) 0

igbt封裝，單管IGBT，IPM和IMP的區(qū)別，四種igbt通用測(cè)量?jī)x器

IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng)，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電...

2017-05-14 標(biāo)簽：萬(wàn)用表 igbt 晶體管 1.4萬(wàn) 0

場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的區(qū)別，IGBT所有型號(hào)大全

IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor） IGBT是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)...

2017-05-14 標(biāo)簽：電阻場(chǎng)效應(yīng)管 igbt 3.8萬(wàn) 0

IGBT與MOS管的區(qū)別，IGBT與可控硅的區(qū)別，IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

多的這個(gè)P層因內(nèi)有載流子，有電導(dǎo)調(diào)制作用，可以使IGBT在跟高電壓和電流下，有很低的壓降，因此IGBT可以做到很高電壓（目前最大6500V），但由于載流...

2017-05-14 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)晶閘管 mos管 5.5萬(wàn) 0

IGBT是什么，IGBT工作原理,IGBT的特性是什么

當(dāng)集電極被施加一個(gè)反向電壓時(shí)， J1 就會(huì)受到反向偏壓控制，耗盡層則會(huì)向N-區(qū)擴(kuò)展。因過(guò)多地降低這個(gè)層面的厚度，將無(wú)法取得一個(gè)有效的阻斷能力，所以，這個(gè)...

2017-05-14 標(biāo)簽：電阻 igbt 晶體管 6.9萬(wàn) 0

IGBT的工作特性與IGBT的檢測(cè)

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管...

2017-05-10 標(biāo)簽：igbt 晶體管 5303 1

IGBT自適應(yīng)平衡控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)，IGBT串聯(lián)平衡穩(wěn)壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)

目前柔性直流輸電技術(shù)正朝著更高電壓、更大容量方向發(fā)展，由于絕緣柵雙極晶體管(insulated gate bipolar transistor，IGBT...

2017-05-08 標(biāo)簽：串聯(lián)晶閘管 igbt 1705 0

IGBT淺析，IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管...

2017-05-03 標(biāo)簽：igbt 晶體管 8847 1

雙電壓整流電路設(shè)計(jì)，IGBT模塊適用于整流電路嗎？

不用兩個(gè)整流橋。用一個(gè)即可，把2個(gè)18伏交流接到整流橋的交流輸入端，把變壓器抽頭0伏接地線（線路板的地線），整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波，電容器2...

2017-05-03 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)晶閘管整流電路 1.3萬(wàn) 1

什么是IGBT？如何使用此模塊實(shí)現(xiàn)“雙面水冷”，IGNT未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)又是如何？

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管...

2017-04-27 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)散熱器 igbt 1.1萬(wàn) 0

電動(dòng)汽車(chē)逆變器用IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)及可用性測(cè)試

電動(dòng)汽車(chē)逆變器用于控制汽車(chē)主電機(jī)為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力，IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車(chē)逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。

2017-04-22 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)逆變器 igbt 1637 0

如何用一顆IGBT撬動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)逆變器？

2017-04-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)逆變器 IGBT 9719 0

用于新型IGBT模塊的直流支撐電容器

TDK集團(tuán)推出新型愛(ài)普科斯（EPCOS）直流支撐電容器。該元件專(zhuān)為英飛凌科技公司（Infineon Technologies） HybridPA...

2017-04-11 標(biāo)簽：電容器 igbt 1637 0

IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計(jì)集錦—電路精選（48）

GBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗...

2017-02-04 標(biāo)簽：IGBT 驅(qū)動(dòng)電路半導(dǎo)體器件 2.0萬(wàn) 0

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT過(guò)流和短路保護(hù)的問(wèn)題及處理方法

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管（IGBT）導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的短路電...

2016-10-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 IGBT 短路保護(hù) 2.2萬(wàn) 0

基于兩級(jí)di/dt檢測(cè)IGBT模塊短路策略

本文根據(jù)IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)設(shè)計(jì)了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測(cè)電路，采用兩級(jí)di/dt檢測(cè)IGBT兩類(lèi)短路狀態(tài)的實(shí)用方法。

2016-08-17 標(biāo)簽：igbt 5955 0

IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用、工作特性與使用要求

IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動(dòng)電路起到...

2016-08-05 標(biāo)簽：電路圖 igbt 驅(qū)動(dòng)電路 2.5萬(wàn) 0

幾種IGBT驅(qū)動(dòng)電路的保護(hù)電路原理圖

本文為您介紹幾種常見(jiàn)的IGBT驅(qū)動(dòng)電路原理及其保護(hù)電路，EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)電路、2SD315A集成驅(qū)動(dòng)模塊，并...

2016-08-04 標(biāo)簽：電路圖 igbt 驅(qū)動(dòng)電路 1.9萬(wàn) 0

關(guān)于變頻器控制電機(jī)有漏電問(wèn)題的解決方案

　　有的現(xiàn)場(chǎng)使用變頻器控制電機(jī)，會(huì)出現(xiàn)漏電問(wèn)題，漏電電壓有幾十伏到二百伏電壓不等。針對(duì)這個(gè)問(wèn)題，在這里特對(duì)此故障產(chǎn)生的原因進(jìn)行理論的分析和說(shuō)明如下。

2016-05-30 標(biāo)簽：濾波器變頻器 IGBT 3328 0

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IoT是Internet of Things的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱(chēng)傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專(zhuān)家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無(wú)線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過(guò)模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒(méi)有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
TMS320F28335

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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
ESP8266

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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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