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標(biāo)簽 > micro-led
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QLED, Mini LED, Micro LED 技術(shù)解析
QLED 基本原理: 傳統(tǒng) LED TV 採(cǎi)用了白光 LED 作為背光,經(jīng) TFT-LCD 控制像素光暗、RGB 叁原色濾色片控制顏色,不過色彩準(zhǔn)確度通...
Micro-LED電流驅(qū)動(dòng)的原理與應(yīng)用
無源選址驅(qū)動(dòng)模式把陣列中每一列的LED像素的陽極(P-electrode)連接到列掃描線(Data Current Source),同時(shí)把每一行的LED...
2019-05-16 標(biāo)簽:led驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)micro-led 7155 0
不同發(fā)光方式的量子點(diǎn)分類 量子點(diǎn)與OLED結(jié)合技術(shù)
與 LCD 和 OLED 的斷面結(jié)構(gòu)進(jìn)行對(duì)比可以發(fā)現(xiàn),從理論上說微型 LED 的結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單。目前尚處于研發(fā)階段,產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后,其結(jié)構(gòu)可能會(huì)在一些方面得到提升。
定義顯示終極形態(tài) 柔宇下一代彈性Micro-LED顯示屏技術(shù)震撼SID國(guó)際顯示周
可拉伸的彈力柔性顯示屏或是柔性屏幕的終級(jí)版本??衫觳⒉皇侵赋槔降木磔S設(shè)計(jì),而是柔性屏幕本身具有一定的彈性和形變能力,在顯示圖像的同時(shí)可以像氣球或橡皮...
Mini/Micro-LED封裝的不同技術(shù)路線及難點(diǎn)解析
目前LED顯示封裝技術(shù)分為三個(gè)階段,分別是:傳統(tǒng)LED封裝、Mini-LED封裝和Micro-LED封裝,隨著像素尺寸的不斷縮小,整個(gè)的產(chǎn)品對(duì)比度也得到...
基于顯微成像系統(tǒng)的Micro-LED表面亮度檢測(cè)
廈門大學(xué)與臺(tái)灣新竹交通大學(xué)的科研團(tuán)隊(duì)近期合作開發(fā)了一種基于顯微成像系統(tǒng)的Micro-LED表面亮度檢測(cè)系統(tǒng),可以快速測(cè)量Micro-LED陣列在工作時(shí)任...
2018-10-05 標(biāo)簽:micro-led 3989 0
基于標(biāo)準(zhǔn)200mm Si平臺(tái)的顛覆性3D LED技術(shù)
Aledia于2011年從Cea-Leti剝離出來,開發(fā)了一種基于標(biāo)準(zhǔn)200mm Si平臺(tái)的顛覆性3D?LED技術(shù),與傳統(tǒng)的2D?LED技術(shù)相比,這將降...
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)最新動(dòng)態(tài):滾輪轉(zhuǎn)印、流體自組裝、磁動(dòng)力
在轉(zhuǎn)移成本方面,根據(jù)估算表明,對(duì)于5.8英寸2K分辨率的智能手機(jī)(LED器件尺寸約為10μm)和55英寸4K分辨率的電視(LED器件尺寸約為20μm)這...
化合物半導(dǎo)體光電及功率器件的仿真設(shè)計(jì)、數(shù)理模型與制備
近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
在超高清顯示、萬物智能交互、移動(dòng)智能終端柔性化等需求的推動(dòng)下,各種新型顯示技術(shù)有望在各自的細(xì)分市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)良好的發(fā)展?;诖耍琈icro-LED顯示技術(shù)被認(rèn)...
Micro-LED全彩顯示技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展
由于CsPbBr3向γ-CsPbI3傳遞能量,因此γ-CsPbI3會(huì)表現(xiàn)出CsPbBr3的激發(fā)特性,可以調(diào)節(jié)該結(jié)構(gòu)的最佳激發(fā)波長(zhǎng)。
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