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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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電子世界的開關(guān)大師:MOS場效應(yīng)晶體管
屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,也就是我們熟知的MOSFET。它就像是高速信息公路上的交通警察,控制著電流的方向和大小,讓整個(gè)系統(tǒng)高效而穩(wěn)定地運(yùn)行。
SDA和SCL都是雙向線路,都通過一個(gè)電流源或上拉電阻連接到正的電源電壓。當(dāng)總線空閑時(shí),這兩條線路都是高電平,連接到總線的器件輸出級必須是漏極開路或集電...
2024-04-10 標(biāo)簽:芯片振蕩器場效應(yīng)管 446 0
ACM5807是一款同步升壓控制器,同步升壓效率高,對于大功率應(yīng)用非常重要。升壓范圍在5-36V,更寬的電壓符合大部分應(yīng)用。
2024-03-29 標(biāo)簽:電壓MOS電源系統(tǒng) 1437 0
深度解析MOS場效應(yīng)管應(yīng)用實(shí)例
MOSFET的輸入電阻很高,高達(dá)109Ω以上,從導(dǎo)電溝道來分,可以分為N溝道和P溝道兩種,無論是N溝道還是P溝道,又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。
當(dāng) SDA2 輸出低電平時(shí):MOS 管不導(dǎo)通,但是它有體二極管,MOS 管里的體二極管把 SDA1 拉低到低電平,此時(shí) Vgs 約等于 3.3V,MOS...
LLC天王大功率設(shè)計(jì)的12個(gè)工作狀態(tài)解析
諧振LLC技術(shù),ZVS和ZCS使得提高了效率,正玄波形式,可以提高開關(guān)頻率,使得MOS少,變壓器小,可磁集成,所以功率密度提升;另外高Q值的旋波電流,使...
一個(gè)簡單的MOS驅(qū)動電路設(shè)計(jì)
看了一眼這個(gè)電路,我感覺有問題,MOS管應(yīng)該不會導(dǎo)通,就跟同事講了,同事說這個(gè)電路是之前用過的,認(rèn)為沒有問題,于是就上電了。
Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時(shí),漂移層會變厚,導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問題。
當(dāng)帶電離子、電子或射線通過MOS結(jié)構(gòu)的硅和二氧化硅絕緣層時(shí),引起原子電離而產(chǎn)生電子—空穴對,在外加電場條件下,電子在1ps(1×10-12s)時(shí)間內(nèi)被電...
2024-02-27 標(biāo)簽:元器件電子系統(tǒng)MOS 3544 0
同步整流降壓轉(zhuǎn)換器是一種高效率的DC-DC轉(zhuǎn)換器,它利用低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET代替?zhèn)鹘y(tǒng)的二極管作為整流元件,以減少整流過程中的能量損耗。盡管同步整...
2024-02-26 標(biāo)簽:MOS降壓轉(zhuǎn)換器同步整流 909 0
MOS在控制器電路中的工作狀態(tài):開通過程(由截止到導(dǎo)通的過渡過程)、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程(由導(dǎo)通到截止的過渡過程)、截止?fàn)顟B(tài)。
2024-02-26 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻驅(qū)動器控制器 5739 0
MOSFET柵極電路的常見作用 PNP加速關(guān)斷驅(qū)動電路
首先說一下電源IC直接驅(qū)動,下圖是我們最常用的直接驅(qū)動方式,在這類方式中,我們由于驅(qū)動電路未做過多處理,因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化。
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