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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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如何區(qū)分P-MOS和N-MOS?如何區(qū)分MOS的G、D、S管腳?MOS管如何導(dǎo)通?
三極管是流控型器件,MOS管是壓控型器件,兩者存在相似之處。三極管機(jī)可能經(jīng)常用,但MOS管你用的可能較少。對(duì)于MOS管先拋出幾個(gè)問(wèn)題:
以上MOS開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的是信號(hào)切換(高低電平切換)。再來(lái)看個(gè)MOS開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)電壓通斷的例子吧,MOS開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)電壓通斷的例子:由+1.5V_SUS產(chǎn)生+1.5V電路
常用MOS電源開(kāi)關(guān)電路圖 NMOS、PMOS高低側(cè)電源開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)
隨著對(duì)器件的控制需求提升,越來(lái)越多的電源開(kāi)關(guān)電路出現(xiàn)在設(shè)計(jì)中。這些設(shè)計(jì)的目的各有不同:有的需要快速開(kāi)通與關(guān)斷,有的需要低導(dǎo)通電阻+大電流,有的需要閑時(shí)0...
2023-08-23 標(biāo)簽:電源電路圖開(kāi)關(guān)電路 6.1萬(wàn) 0
mos管電平轉(zhuǎn)換電路原理與mos電平轉(zhuǎn)換電路分析
先來(lái)分享一下經(jīng)典MOS管電平轉(zhuǎn)換電路: 電平轉(zhuǎn)換在電路設(shè)計(jì)中非常常見(jiàn),因?yàn)樽鲭娐吩O(shè)計(jì)很多時(shí)候就像在搭積木,這個(gè)電路模塊,加上那個(gè)電路模塊,拼拼湊湊連起來(lái)...
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
2018-12-27 標(biāo)簽:MOS功率半導(dǎo)體 5.1萬(wàn) 0
如何使用MOS管控制達(dá)到電源緩啟動(dòng)的目的
MOS管有導(dǎo)通阻抗Rds_on低和驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單的特點(diǎn),在周圍加上少量元器件就可以構(gòu)成緩慢啟動(dòng)電路。雖然電路比較簡(jiǎn)單,但只有吃透MOS管的相關(guān)開(kāi)關(guān)特性后才能對(duì)...
mosfet的三個(gè)電極怎么區(qū)分 mos管三個(gè)極電壓關(guān)系
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)有三個(gè)主要電極,分別是柵極(Gate)、漏極(Source)和源極(Drain)。這三個(gè)電極的區(qū)分方法如下
最近,做了一款小功率的開(kāi)關(guān)電源,在進(jìn)行調(diào)試的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)MOS管發(fā)熱很嚴(yán)重,為了解決MOS管發(fā)熱問(wèn)題,要準(zhǔn)確判斷是否是這些原因造成,最重要的是進(jìn)行正確的測(cè)...
2018-08-20 標(biāo)簽:變壓器開(kāi)關(guān)電源MOS 3.8萬(wàn) 0
開(kāi)關(guān)電源MOS開(kāi)關(guān)損耗推導(dǎo)過(guò)程!
電流上升到Ip1后,此時(shí)電流的上升斜率(Ip1-Ip2段)相對(duì)0-Ip1這一瞬間是非常緩慢的,我們可以近似把上升到Ip1之后繼續(xù)上升的斜率認(rèn)為是0,把電...
2018-09-08 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS電源系統(tǒng) 3.6萬(wàn) 0
在模擬IC電路設(shè)計(jì)中,會(huì)經(jīng)常使用到電容。芯片內(nèi)部的電容一般使用金屬當(dāng)作上下基板,但是這種金屬電容缺點(diǎn)是消耗面積太大。為了作為替代,在一些對(duì)電容要求不是很...
基于驅(qū)動(dòng)IC控制的MOS管開(kāi)關(guān)電路講解
基于驅(qū)動(dòng)IC控制的MOS管開(kāi)關(guān)電路講解
2022-04-07 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOS 3.2萬(wàn) 0
為什么MOS管要并聯(lián)個(gè)二極管有什么作用?mos管并聯(lián)二極管的作用深度分析
原文來(lái)自公眾號(hào)硬件工程師看海 加微信[chunhou0820],拉你進(jìn)群 下圖是NMOS的示意圖,從圖中紅色框內(nèi)可以看到, MOS在D、S極之間并聯(lián)了一...
DC-DC開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)波形產(chǎn)生高頻振蕩的原因
這一期為大家分享的是:DC-DC開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)波形產(chǎn)生高頻振蕩的原因,以及優(yōu)化方案。
2022-07-28 標(biāo)簽:二極管開(kāi)關(guān)電源DC-DC 2.9萬(wàn) 0
與非門(mén)(英語(yǔ):NANDgate)是數(shù)字邏輯中實(shí)現(xiàn)邏輯與非的邏輯門(mén),功能見(jiàn)左側(cè)真值表。若當(dāng)輸入均為高電平(1),則輸出為低電平(0);若輸入中至少有一個(gè)為...
SGT-MOS結(jié)構(gòu)及轉(zhuǎn)移特性詳解
MOS器件第一個(gè)深溝槽(Deep Trench)作為“體內(nèi)場(chǎng)板”在反向電壓下平衡漂移區(qū)電荷,這樣可以降低漂移區(qū)的電阻率,從而降低器件的比導(dǎo)通電阻(RSP...
mos管高端驅(qū)動(dòng)電路 高手才可以搞定的mos管調(diào)壓電路
? ? MOS驅(qū)動(dòng),有幾個(gè)特別的需求 這就提出一個(gè)要求,需要使用一個(gè)電路,讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管,同時(shí)高壓側(cè)的MOS管也同樣會(huì)面對(duì)1和2...
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