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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

DRAM與NAND的有什么樣的區(qū)別

DRAM是目前常見的存儲之一，但DRAM并非唯一存儲器件，NAND也是存儲設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別...

2020-10-31 標(biāo)簽：DRAM NAND 儲存器 5.2萬 0

3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM為什么拼不過它

3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項(xiàng)存儲技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者：...

2018-04-19 標(biāo)簽：dram nand 3dxpoint 5.1萬 0

什么是3D NAND閃存？有什么優(yōu)勢？

層數(shù)的增加也就意味著對工藝、材料的要求會提高，要想達(dá)到140層堆疊就必須使用新的基礎(chǔ)材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚...

2018-05-28 標(biāo)簽：閃存 NAND 5.0萬 0

使用與非門或或非門實(shí)現(xiàn)非門的案例解析

下一步是使用卡諾圖來化簡邏輯表達(dá)式。從上面的最終卡諾圖（f）可以立即看出，可以將其簡化為三個項(xiàng)。像往常一樣，我們一次一次地完成每一步。

2021-01-19 標(biāo)簽：NAND NOR 晶體管 4.4萬 0

什么是UFS？UFS需要做哪些仿真？UFS的發(fā)展史、組成及特點(diǎn)

UFS（Universal Flash Storage）即通用閃存存儲，是一種將Nand Flash和Flash controller 協(xié)議接口封裝在一...

2023-12-22 標(biāo)簽：NAND FlaSh 仿真 4.2萬 0

固態(tài)硬盤Trim指令是什么有什么作用如何正常工作

在固態(tài)硬盤的發(fā)展過程中，Trim指令起了很大的作用。如果不是它的出現(xiàn)，我們現(xiàn)在使用的固態(tài)硬盤性能都會下降一大截。Trim為何會有這樣神奇的作用？如何能確...

2018-12-23 標(biāo)簽：NAND 操作系統(tǒng)固態(tài)硬盤 2.6萬 0

遇到Nand Flash壞塊怎么處理？

Nand Flash存儲器是Flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于...

2017-10-10 標(biāo)簽：Nand 周立功 2.5萬 0

固態(tài)硬盤存儲的數(shù)據(jù)會丟失嗎

閃存（NAND）的數(shù)據(jù)存儲是把電子禁錮在柵極里，實(shí)際上，溫度越高，電子越活躍，越有可能跑掉一部分，時間一長，很多電子跑掉后，數(shù)據(jù)就有可能丟失。實(shí)際上JE...

2020-02-22 標(biāo)簽：NAND SSD 固態(tài)硬盤 2.3萬 0

Nand-flash存儲器工作原理及其操作實(shí)例（以K9F1208UOB為例）

NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NORflash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)...

2017-10-11 標(biāo)簽：nand flash存儲器 k9f1208uob 2.3萬 0

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別

2016-12-27 標(biāo)簽：DRAM NAND RAM 2.2萬 0

pSLC帶來的“新”存儲容量偽SLC如何兼顧耐用性和經(jīng)濟(jì)性

（作者：Swissbit AG 存儲解決方案總經(jīng)理 Roger Griesemer）如今，在 NAND 閃存行業(yè)中，隨處可見存儲密度又達(dá)到新高的各種新...

2021-11-16 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲 1.9萬 0

深度剖析NAND門

NAND門是一個邏輯門，如果其所有輸入均為真，則產(chǎn)生低輸出（0），否則產(chǎn)生高輸出（1）。因此，NAND門是AND門的反面，其電路是通過將AND門連接到N...

2023-05-23 標(biāo)簽：NAND 邏輯門 AND 1.9萬 0

25款經(jīng)典芯片你認(rèn)識多少

Camenzind回憶稱：“當(dāng)時這個微芯片差一點(diǎn)就沒有成功。” 在萌發(fā)設(shè)計555的想法的時候，Camenzind正在設(shè)計一種被稱為鎖相環(huán)的系統(tǒng)。

2019-11-12 標(biāo)簽：芯片 NAND 1.7萬 0

DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別

現(xiàn)如今隨著手機(jī)的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機(jī)的存儲就陷入了茫然。

2016-04-21 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲器 1.6萬 0

SPI NAND完全解讀-基于GD5F1GM7xExxG

本文以具體型號為GD5F1GM7xExxG的GD的NAND為例,對SPI NAND Flash進(jìn)行介紹。不同廠家的不同型號都大同小異了解一款其他的也就都了解了。

2023-06-08 標(biāo)簽：嵌入式 NAND FlaSh 1.6萬 0

什么是閃存顆粒？2D NAND和3D NAND間的區(qū)別跟聯(lián)系又是什么？

如果用一個詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事，包括閃...

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閃存的兩種架構(gòu)：NOR和NAND工作原理及應(yīng)用

NOR架構(gòu)的布線和結(jié)構(gòu)如下圖所示。每個記憶單元互相獨(dú)立，都有一段直連到地，組成一個類似NOR閘（或稱“或非門”）的電路。

2022-12-05 標(biāo)簽：閃存 NAND 1.5萬 0

詳解三維NAND集成工藝（3D-NAND Integration Technology）

在20nm 工藝節(jié)點(diǎn)之后，傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達(dá)到了微縮的極限。為了實(shí)現(xiàn)更高的存儲容量，NAND集...

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一文詳解SSD中的掉電保護(hù)（熱插拔）原理

作為企業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)NVMe塊設(shè)備接口的固態(tài)硬盤固件，需要保證在存儲系統(tǒng)遇到異常掉電的情況下，或?qū)ΡP進(jìn)行熱插拔操作的情況下，保證盤上數(shù)據(jù)的可用性，正確性和一致性。

2023-12-12 標(biāo)簽：Nand 熱插拔 SSD 1.3萬 0

FLASH器件特性 FLASH操作的電路原理詳解

Flash 分為 NAND flash和 NOR flash。均是使用浮柵場效應(yīng)管(FloatingGate FET) 作為基本存儲單元來存儲數(shù)據(jù)的，浮...

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