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標簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備,在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品,NAND被證明極具吸引力。
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TBW(Total Bytes Written)是衡量閃存存儲器壽命和耐用性的重要指標。但由于寫入放大的影響,實際TBW值可能會偏離理論值。本文將介紹T...
SSD 銷售額同比下降 14%,從 2021 年的 340 億美元降至 2022 年的 290 億美元;就單位而言,這相當于約 3.52 億臺,低于 2...
Hyperstone引入用例追蹤器來優化NAND閃存的配置和管理
通過啟用追蹤和分析應用程序使用閃存方式的能力,制造商現在可以為任何用例確定最優的閃存存儲技術。
2019-04-23 標簽:閃存NANDHyperstone 722 0
美光已經在完成 232 層 NAND 的訂單,而且不甘示弱,SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D ...
imec展示了一種基于鑭摻雜鋯酸鉿(La:HZO)的鐵電電容器。該電容器具有高耐久性(1011個周期)、高最終剩余極化強度(1.8MV/cm時2P R ...
分析師熱議美光并購恒憶案 美光(Micron)以12.7億美元總價并購恒憶(Numonyx),為內存產業版圖又創新局,究竟后續可能對市場影響為何,以下...
“憑借先進的封裝技術,一些公司已經在 CPU 上堆疊 SRAM,”Lee 說。“但是在 3 級之后,我們可以有 4 級,一個額外的緩存層嗎?根據工作負載...
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