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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

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2024-02-04 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 862 0

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2024-02-13 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體SiC 1137 0

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適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計與基準(zhǔn)IGBT對比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)

2024-01-26 標(biāo)簽:電容器逆變器SiC 551 0

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2024-01-25 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 490 0

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隨著能源轉(zhuǎn)換和輸電技術(shù)的發(fā)展,對高效、高速、高溫工作的半導(dǎo)體器件需求日益增長。

2024-01-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管功率器件 1204 0

深度解讀第三代半導(dǎo)體—碳化硅

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2024-01-24 標(biāo)簽:二極管MOSFET半導(dǎo)體 3238 0

了解柵極-源極電壓浪涌

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由于這種開關(guān)工作,受開關(guān)側(cè)LS電壓和電流變化的影響,不僅在開關(guān)側(cè)的LS產(chǎn)生浪涌,還會在同步側(cè)的HS產(chǎn)生浪涌。

2024-01-24 標(biāo)簽:MOSFETSiC同步升壓 770 0

碳化硅晶片的化學(xué)機械拋光技術(shù)研究

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為實現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光,提高碳化硅拋光的成品率,降低加工成本,對現(xiàn)有的碳化硅化學(xué)機械拋光 技術(shù)進行了總結(jié)和研究。針對碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微...

2024-01-24 標(biāo)簽:SiC晶片碳化硅 2315 0

SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢

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碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。

2024-01-20 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET晶體管 1250 0

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摘要:隨著人們環(huán)保意識的不斷提高,傳統(tǒng)的化石能源越來越無法滿足人們的要求,以太陽能為代表的可再生新能源逐漸引起人們的關(guān)注。而并網(wǎng)逆變器作為新能源與電網(wǎng)連...

2024-01-19 標(biāo)簽:逆變器IGBT晶體管 2204 0

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SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物,即百分之五十的硅(Si)和百分之五十的碳(C),其基本結(jié)構(gòu)單元為 Si-C 四面體。

2024-01-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC晶片 1852 0

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這是電力電子領(lǐng)域令人興奮的時代。在硅占據(jù)主導(dǎo)地位數(shù)十年后,兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經(jīng)開始占領(lǐng)價值數(shù)十億美元的市場。例如,碳化硅現(xiàn)在是電動汽...

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碳化硅功率器件的應(yīng)用與市場前景

碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿場強、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將對碳化硅功...

2024-01-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 819 0

碳化硅單晶襯底的常用檢測技術(shù)

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碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色,已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向...

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第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越,應(yīng)用場景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ),經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場景提出更高的要求,以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三...

2024-01-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1114 0

晶圓級立方碳化硅單晶生長研究進展

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碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-...

2024-01-16 標(biāo)簽:晶圓晶體管SiC 846 0

碳化硅特色工藝模塊簡介

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碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點。由于這些優(yōu)異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光...

2024-01-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 961 0

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摘要:通過調(diào)節(jié)中頻感應(yīng)線圈的輸出功率來改變碳化硅升華生長坩堝的加熱溫度,并采用 NaCl 和 Al2O3 進行燒結(jié)實驗,觀察不同輸出功率下燒結(jié)后的形貌變...

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設(shè)計SiC逆變器有哪些流程

SiC(碳化硅)逆變器是一種新型的電力電子器件,具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于電動汽車、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。設(shè)計SiC逆變器需...

2024-01-10 標(biāo)簽:元器件逆變器SiC 624 0

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2024-01-10 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)光伏SiC 330 0

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    共享充電寶
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
電機驅(qū)動器 步進驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護電路 看門狗
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