基于長線列紅外焦平面探測(cè)器冷箱組件開展焦面熱應(yīng)力變形研究

隨著紅外焦平面探測(cè)器陣列規(guī)模的不斷擴(kuò)大，由多層結(jié)構(gòu)低溫?zé)崾湫巫儗?dǎo)致的杜瓦可靠性問題愈發(fā)突出，對(duì)焦面低溫形變的定量化表征需求越來越迫切。

2023-10-13 標(biāo)簽：CCD仿真器SiC 1631 0

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢(shì)

設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時(shí)，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有...

2023-10-12 標(biāo)簽：SiC氮化鎵電子開關(guān) 2548 1

車規(guī)模塊系列：賽米控SKiN技術(shù)介紹

芯片互連技術(shù)包括兩大類，有綁定線和無綁定線兩大類。其中，有綁定線的，我們?cè)偈煜げ贿^了，也是技術(shù)最為成熟的一類

2023-10-10 標(biāo)簽：散熱器IGBTSiC 1864 0

SiC器件如何顛覆不間斷電源設(shè)計(jì)?

不間斷電源 (UPS) 和其他基于電池的儲(chǔ)能系統(tǒng)可以確保住宅、電信設(shè)施、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備和其他關(guān)鍵設(shè)備的持續(xù)供電。憑借先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)，這些...

2023-10-10 標(biāo)簽：UPS安森美不間斷電源 1138 0

寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里？

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。

2023-10-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC 1040 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：

2023-10-09 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 4406 1

新型SIC功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制造技術(shù)

　　柵極電壓。上升過程，P阱中電子流向溝道，空穴流出P阱，在流經(jīng)P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時(shí)，P阱瞬態(tài)電位上升，等效閾值電壓升高; 　　漏極電壓下...

2023-10-08 標(biāo)簽：新能源汽車電阻功率器件 700 0

車規(guī)模塊系列（四）：Cu-Clip互連技術(shù)簡(jiǎn)析

在上篇討論TPAK封裝時(shí)，我們聊到了Cu-Clip技術(shù)，當(dāng)然它可以應(yīng)用在很多模塊封裝形式當(dāng)中

2023-10-07 標(biāo)簽：IGBTSiC寄生電感 2315 0

SiC器件在光伏發(fā)電領(lǐng)域中的作用能否達(dá)到降本增效的效果？

全球化能源變革不斷推進(jìn)，綠色、低碳發(fā)展成為時(shí)代的主旋律，太陽能光伏發(fā)電成為未來清潔能源利用的重要組成部分。

2023-10-07 標(biāo)簽：濾波器光伏發(fā)電SiC 1150 0

SiC材料及器件介紹

SiC，作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。

2023-09-28 標(biāo)簽：晶圓場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基二極管 3973 0

如何將第三代 SiC MOSFET 應(yīng)用于電源設(shè)計(jì)以提高性能和能效

作者：Bill Schweber 在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、AC/DC 和 DC/DC逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲(chǔ)能系統(tǒng)等，人們不遺余力...

2023-10-03 標(biāo)簽：電源MOSFET電源設(shè)計(jì) 4996 0

碳化硅MOSFET在新能源行業(yè)有怎樣的應(yīng)用和發(fā)展

在碳化硅電力電子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受關(guān)注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天，SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點(diǎn)...

2023-09-27 標(biāo)簽：新能源MOSFETMOS 1907 0

碳化硅晶片生產(chǎn)工藝流程

采用碳化硅的器件具有耐高溫、耐高壓、大功率，還可以提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積等特點(diǎn)。

2023-09-27 標(biāo)簽：SiC電磁感應(yīng)硅晶片 6715 0

碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術(shù)

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。

2023-09-27 標(biāo)簽：BGASiC芯片封裝 772 0

面向5G通訊的高性能LLSAW壓電異質(zhì)聲學(xué)諧振器設(shè)計(jì)

近年來移動(dòng)通訊技術(shù)不斷快速迭代革新，為支持更快的數(shù)據(jù)傳輸速率，射頻器件正向更高的頻譜范圍進(jìn)行拓展遷移。

2023-09-25 標(biāo)簽：濾波器諧振器SiC 815 0

碳化硅多芯片模塊現(xiàn)狀分析

現(xiàn)代電力電子正面臨著提高效率，同時(shí)減小系統(tǒng)尺寸和成本的巨大需求，適用于廣泛的領(lǐng)域，包括電動(dòng)汽車、可再生能源、工業(yè)電機(jī)和發(fā)電機(jī)以及配電網(wǎng)應(yīng)用。為了跟上這種...

2023-09-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝技術(shù)SiC 471 0

碳化硅功率器件封裝技術(shù)解析

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些...

2023-09-24 標(biāo)簽：封裝技術(shù)BGA功率器件 795 0

寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢(shì)

本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢(shì)，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗，開關(guān)損耗會(huì)被...

2023-09-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC電子開關(guān) 813 0