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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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2023-05-19 標簽：MOSFET SiC GaN 1037 0

半導體工藝之氣相外延介紹

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MOS_DS電壓尖峰產生的原因

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所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁...

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