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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

優(yōu)化汽車應(yīng)用的駕駛循環(huán)仿真

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Wolfspeed EAB450M12XM3 是一款車規(guī)級(jí) SiC 功率模塊,已針對(duì)牽引逆變器市場(chǎng)進(jìn)行了優(yōu)化。這款功率模塊具備很多優(yōu)點(diǎn),但設(shè)計(jì)人員還是要...

2023-05-19 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)SiC 1492 0

SpeedVal Kit平臺(tái)采用模塊化方法簡(jiǎn)化評(píng)估

新一代功率半導(dǎo)體將以碳化硅(SiC)技術(shù)為推動(dòng)力,服務(wù)于快速增長(zhǎng)的純電動(dòng)汽車(BEV)市場(chǎng)和充電基礎(chǔ)設(shè)施,滿足日益提高的能效標(biāo)準(zhǔn)要求,并滿足工業(yè)和可再生...

2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體SiC 414 0

SpeedVal Kit生態(tài)系統(tǒng)簡(jiǎn)化碳化硅部件評(píng)估過(guò)程并縮短設(shè)計(jì)時(shí)間

SpeedVal Kit生態(tài)系統(tǒng)簡(jiǎn)化碳化硅部件評(píng)估過(guò)程并縮短設(shè)計(jì)時(shí)間

新一代功率半導(dǎo)體的高功率應(yīng)用正在越來(lái)越多地使用碳化硅 (SiC) 部件,來(lái)滿足電動(dòng)汽車 (EV)、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和可再生能源領(lǐng)域?qū)Ω吖β拭芏取⒏咝?..

2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體SiC 613 0

Wolfspeed 的碳化硅 MOSFET 滿足大功率應(yīng)用需求

碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無(wú)限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET 就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)境...

2023-05-19 標(biāo)簽:二極管MOSFETSiC 975 0

SiC助力軌道交通駛向“碳達(dá)峰”

SiC助力軌道交通駛向“碳達(dá)峰”

本文我們將重點(diǎn)介紹第三代半導(dǎo)體中的碳化硅(SiC),與下文氮化鎵(GaN)的形式統(tǒng)一如何助力軌道交通完成“碳達(dá)峰”目標(biāo),并為大家推薦貿(mào)澤電子在售的領(lǐng)先的...

2023-05-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 1122 0

為什么礦機(jī)電源對(duì)效率和可靠性要求越來(lái)越高

為什么礦機(jī)電源對(duì)效率和可靠性要求越來(lái)越高

作為半導(dǎo)體材料,SiC具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),這便給SiC器件帶來(lái)了諸多特征參數(shù)方面的提升,比如更低的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)...

2023-05-19 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體SiC 1841 0

殺入新能源汽車市場(chǎng)的GaN,勝算幾何

SiC的耐高壓能力是硅的10倍,耐高溫能力是硅的2倍,高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品,采用SiC材料可縮小體積50%,降低能量損耗80%。同樣,G...

2023-05-19 標(biāo)簽:MOSFETSiCGaN 1037 0

半導(dǎo)體工藝之氣相外延介紹

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在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中,氣相外延發(fā)揮了重要作用,該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。

2023-05-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC電源系統(tǒng) 3914 0

MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因

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SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。

2023-05-19 標(biāo)簽:MOSFETMOS管SiC 7137 0

連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料研究與應(yīng)用進(jìn)展

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連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料(以下簡(jiǎn)稱陶瓷基復(fù)合材料)發(fā)明于20世紀(jì)70年代,歷經(jīng)近40年的發(fā)展,陶瓷基復(fù)合材料已成為戰(zhàn)略性尖端材料,許多國(guó)外機(jī)構(gòu)已具備了...

2023-05-18 標(biāo)簽:纖維SiC復(fù)合材料 4005 0

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

所謂第三代半導(dǎo)體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見(jiàn)的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁...

2023-05-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 1647 0

如何提高系統(tǒng)功率密度

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在功率器件領(lǐng)域,除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外,材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來(lái)巨大的性能提升。比如,在談?wù)摴β拭芏葧r(shí),GaN(氮化鎵)憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷...

2023-05-18 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 1647 0

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

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碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。

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SiC碳化硅單晶的生長(zhǎng)原理

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碳化硅單晶襯底材料(Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials,以下簡(jiǎn)稱SiC襯底)也是晶體材...

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與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比,GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小和抗輻射能力強(qiáng)等特...

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本文介紹了激光在碳化硅(SiC)半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理,并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片...

2023-05-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光晶圓 2594 0

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碳化硅 (SiC) 技術(shù)能在大幅提高當(dāng)前電力系統(tǒng)效率的同時(shí)降低其尺寸、重量和成本,因此市場(chǎng)需求不斷攀升。但是SiC 解決方案并不是硅基解決方案的直接替代...

2023-05-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器SiC碳化硅 542 0

微電網(wǎng) - 脫離公共電網(wǎng)的高效選擇

我們中許多擁有電動(dòng)汽車的人不得不考慮充電問(wèn)題 — 重點(diǎn)在于節(jié)約能源,所以微電網(wǎng)從當(dāng)?shù)乜稍偕茉粗蝎@取電能絕對(duì)符合時(shí)代精神。電動(dòng)車電池是一種大型充電負(fù)載,...

2023-05-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC可再生能源 1144 0

基于國(guó)產(chǎn)單晶襯底的150mm 4H-SiC同質(zhì)外延技術(shù)進(jìn)展

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本文研究了一種用于5G通信的射頻微系統(tǒng)與天線一體化三維扇出型集成封裝技術(shù). 通過(guò)在玻璃晶圓 上使用雙面布線工藝,實(shí)現(xiàn)毫米波天線陣列的制作. 將TSV轉(zhuǎn)接...

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SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device),是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝,由IXYS(現(xiàn)在是Littelfuse公...

2023-05-12 標(biāo)簽:MOSFET封裝功率器件 2838 0

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