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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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純SiC晶體是通過Lely升華技術生長的。晶體主要是6H-SiC,但包括其它多型體。1978年,Tairov和Tsvetkov發明了一種可復制的SiC晶...
使用物理氣相傳輸法(PVT)制備出直徑 209 mm 的 4H-SiC 單晶,并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標準 8 英寸 SiC 單...
一旦硅開始達不到電路需求,碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導體材料浮出水面。與單獨的硅相比,這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復雜的電子產...
傳統上,半導體生產中最常用的材料是硅(Si),因為它豐富且價格合理。但是,半導體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數還提供額外的好處,例如碳...
到20世紀中葉,電力已然在人們的生活中發揮著重要作用。愛迪生發明的電燈通過照亮街道、工廠和住宅,提高了生產力、生活質量和安全性;通過高效電機實現的制冷,...
本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關動作中,SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產生什么樣的電流和電壓。
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體,可在更高溫度、電壓及頻率環境正常工作,同時消耗電力更少,持久性和可靠性更強,將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...
在過去幾年中,半導體行業出現了新一代高功率開關,并開始商業化。使用基于碳化硅(SiC)的器件有望顯著降低開關損耗,并允許比目前使用純硅(Si)器件更高的...
硅功率器件已經達到了它們的材料極限,已經達到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟,為汽車行業提供快速開關、高效的器件性能。然而,它們距離充分發揮...
宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估
汽車行業發展創新突飛猛進,車載充電器(OBC)與DCDC轉換器(HV-LV DCDC)的應用因此也迅猛發展,同應對大多數工程挑戰一樣,設計人員把目光投向...
大家好,看到TI一篇關于IGBT和SiC器件柵極驅動應用的文檔,雖然比較基礎,但是概括的比較好,適合電力電子專業的初學者,總體內容如下。
如何在使用SiC MOSFET時最大限度地降低EMI和開關損耗
碳化硅 (SiC) MOSFET 的快速開關速度、高額定電壓和低導通 RDS(on) 使其對電源設計人員極具吸引力,這些設計人員不斷尋找提高效率和功率密...
電力電子轉換器在快速發展的工業格局中發揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加,并且在眾多新技術中發揮著核心作用,包括電動汽車、牽引系統、太空探索任務、深...
SiC(碳化硅)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。表1-1顯示了每種半導體材料的電氣特性。SiC具有優異的介電擊穿場強(擊穿場)和帶隙...
SiC(碳化硅)是由硅和碳化物組成的化合物半導體。與硅相比,SiC具有許多優勢,包括10倍的擊穿電場強度,3倍的帶隙,以及實現器件結構所需的更廣泛的p型...
碳化硅(SiC)是化合物半導體材料之一,具有獨特的材料性能。例如,它具有高電擊穿強度(硅的十倍)和導熱性(硅的三倍)。這些特性吸引了研究人員和工程師的更...
比較SiC開關的數據資料并非易事。由于導通電阻的溫度系數較低,SiC MOSFET似乎占據了優勢,但是這一指標也代表著與UnitedSiC FET相比,...
高頻開關等寬帶隙半導體是實現更高功率轉換效率的助力。SiC FET就是一個例子,它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構成。
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