SiC 技術相對于 Si 具有不可否認的優勢

在逆變器、電機驅動和充電器等應用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、降低的冷卻需求和更低的整體系統成本等優勢。盡管SiC器件的成本高于硅器件，但...

2024-08-08 標簽：MTTFSiCGaN 563 0

PCIM2024論文摘要｜新型400V SiC MOSFET用于高效三電平工業電機驅動

/摘要/400VSiCMOSFET技術商用化彌補了長期存在的200V中壓MOSFET與600V超級結MOSFET之間產品和技術空缺。400VSiCMOS...

2024-08-08 標簽：MOSFET電機驅動SiC 2393 0

碳化硅功率器件的優勢和分類

碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應用。相比傳統的硅（Si）基功率器件，碳化硅功率器件具有...

2024-08-07 標簽：功率器件SiC碳化硅 1172 0

碳化硅晶體的生長原理

碳化硅晶體的生長原理 在自然界中，晶體不勝枚舉，其分布及應用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體；此外，半導體晶體、激光晶體、...

2024-08-03 標簽：晶體SiC襯底 4015 0

國產車規級智能隔離柵極驅動器概述

電機控制器是新能源汽車中的重要組成部分，負責控制電機的運轉，而柵極驅動器則是電機控制器中的關鍵元件之一。今天就給大家推薦一款國產車規級智能隔離柵極驅動器...

2024-08-01 標簽：MOSFETSiC柵極驅動器 1185 1

直接液體冷卻功率半導體器件的影響

在電力電子領域，面臨的挑戰是如何在更小的設備中實現更高的功率傳輸并降低成本。這些目標往往相互矛盾，導致必須做出妥協。更高的電流會導致器件內部的熱應力增加...

2024-07-25 標簽：SiC功率半導體半導體器件 468 0

Qorvo SiC FET在ZVS軟開關技術應用中的卓越表現

從石器時代到信息時代，人類對高效率的追求從未停止。如今，隨著人工智能、電動汽車和可再生能源系統等前沿科技的蓬勃發展，電力電子設備面臨的挑戰與日俱增。開關...

2024-07-25 標簽：ZVS軟開關SiC 1636 0

源漏嵌入SiC應變技術簡介

源漏區嵌入SiC 應變技術被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度，它是通過外延生長技術在源漏嵌入 SiC 應變材料，利用硅和碳晶格常數...

2024-07-25 標簽：NMOSSiC晶格 1353 0

PCIM2024論文摘要｜并聯SiC MOSFET的均流研究

/摘要/并聯SiCMOSFET面臨著許多技術挑戰,包括電流不平衡、不同的熱性能、過電壓等。本文介紹了不同參數對并聯SiCMOSFET分流影響的理論分析和...

2024-07-25 標簽：MOSFET驅動電路SiC 899 0

使用SiC技術應對能源基礎設施的挑戰

本文簡要回顧了與經典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前，先探討了 Si...

2024-07-25 標簽：MOSFETSiC碳化硅 629 0

用SiC JFET技術徹底改變電路保護

20世紀中葉，住宅和工業電氣系統經歷了重大創新。其中最具影響力的進展之一是從傳統的可更換保險絲轉向微型斷路器(MCB)。雖然保險絲提供了基本的保護，但在...

2024-07-24 標簽：斷路器電路保護SiC 806 0

詳解電力電子領域碳化硅(SiC)的熱行為

碳化硅(SiC)在功率電子學中相比傳統的硅工藝技術具有眾多優勢。它結合了更高的電子遷移率、更寬的帶隙和更好的熱導率。得益于這些特性，SiC器件相比于同等...

2024-07-19 標簽：SiC碳化硅功率電子 4.8萬 0

三種功率器件的應用區別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶...

2024-07-18 標簽：MOSFET半導體晶體管 9896 0

驅動SiC MOSFET有多容易？

得益于寬禁帶半導體的材料優勢，SiCMOSFET在電力電子行業中的應用越來越廣泛。SiCMOSFET很多性能與傳統Si基器件不同，對驅動設計也提出了更高...

2024-07-12 標簽：MOSFET驅動SiC 499 0

基于安森美碳化硅模塊的換電站中充電電路設計

在電動車發展的過程當中，充電和換電是兩個同時存在的方案。車載充電OBC可以通過兩相或三相電給汽車充電，但其無法滿足快充的需求。現在充電樁發展迅速，已經有...

2024-07-08 標簽：安森美SiC充電站 935 0

SiC功率器件性能和可靠性的提升

在電力電子領域，碳化硅(SiC)技術對于推動向電動移動性的轉變和提高可再生能源系統的效率至關重要。隨著市場需求的增加，功率半導體公司面臨著迅速擴大生產能...

2024-07-04 標簽：功率器件SiC器件 1933 0

AI數據中心電力飆升，安森美高能效MOSFET如何見招拆招？

安森美的中低壓 T10 PowerTrench MOSFET 采用了新型屏蔽柵極溝槽技術，降低了開關損耗和導通損耗，并進而顯著降低了其 Qg，RDS(O...

2024-06-29 標簽：MOSFET安森美數據中心 1062 0

UPS系統設計方案解讀

UPS的應用場景日趨多樣化，每個場景都有其獨特的需求，對應不同的方案。UPS系統方案指南繼續上新，本文將聚焦UPS設計方案展開講述。

2024-06-26 標簽：充電器安森美SiC 1423 0

一文了解SiC MOS的應用

作為第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統電力轉換...

2024-06-21 標簽：半導體MOSSiC 768 0