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標(biāo)簽 > sram
SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
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FPGA產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析
現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 是提供適應(yīng)性強且可更改的硬件功能的半導(dǎo)體。它們包含各種可變邏輯單元和可編程連接,允許個人制作和執(zhí)行個性化數(shù)字電路,而無需...
SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來,SRAM一直是開發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動力。
2023-12-06 標(biāo)簽:CMOSsram靜態(tài)存儲器 1865 0
現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA,F(xiàn)ield-Programmable Gate Array)是當(dāng)今電子領(lǐng)域不可或缺的一部分,具有出色的靈活性和可配置性。不過...
芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下,DRAM——尤其是高帶寬存儲器(HBM)——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄,也...
2023-11-22 標(biāo)簽:DRAMSRAM數(shù)據(jù)中心 1063 0
SRAM是目前唯一一種跟先進CMOS工藝完全兼容且能大規(guī)模量產(chǎn)的存儲介質(zhì),這也是支持大算力的關(guān)鍵所在:從單獨存算一體宏單元的角度,SRAM跟先進工藝的兼...
EC SRAM映射到CPU Memory空間的共享內(nèi)存設(shè)計
ShareMemory,顧名思義就是共享內(nèi)存。這個概念在很多計算機系統(tǒng)中都存在,本文特指 EC SRAM 映射到 CPU Memory 空間的共享內(nèi)存設(shè)計。
CWQ2P690T型現(xiàn)場可編程門陣列電路產(chǎn)品概述
CWQ2P690T是基于 SRAM 配置的高密度可編程邏輯陣列電路。其中,6輸入查找表數(shù)量433200個,嵌入式存儲器容量為52920Kbit,用戶I/...
DMA傳輸不經(jīng)過CPU處理的地址空間復(fù)制解決方案
DMA傳輸將數(shù)據(jù)從一個地址空間復(fù)制到另一個地址空間,提供在外設(shè)和存儲器之間或者存儲器和存儲器之間的高速數(shù)據(jù)傳輸。
2023-10-25 標(biāo)簽:存儲器cpu數(shù)據(jù)傳輸 1012 0
CSP的高效優(yōu)點體現(xiàn)在:用于板級組裝時,能夠跨出細(xì)間距(細(xì)至0.075mm)周邊封裝的界限,進入較大間距(1,0.8,0.75,0.5,0.4mm)區(qū)域...
基于32位RISC-V CPU架構(gòu)的Trikarenos微控制器
研究人員解釋說,針對太空條件的常見對策通常依賴于專有的抗輻射技術(shù)、低密度制造節(jié)點和廣泛的復(fù)制。這些因素導(dǎo)致成本高、性能和效率低。Trikarenos 旨...
如何用Calibre給版圖加Metal fill/dummy呢?
Layout中對metal/poly/AA和via等有density的要求(window based max density和min density還有其他)。
淺談人工智能/機器學(xué)習(xí)計算的內(nèi)存挑戰(zhàn)
CXL – CXL 提供了大幅擴展內(nèi)存容量和提高帶寬的機會,同時還從處理器中抽象出內(nèi)存類型。通過這種方式,CXL 為整合新的內(nèi)存技術(shù)提供了一個很好的接口...
硬件面試的時候,看到應(yīng)聘者簡歷上寫著,有過AMD工作或?qū)嵙?xí)經(jīng)歷,熟悉CPU和內(nèi)存。于是我問,那請你畫一下SRAM和DRAM的基本cell出來,然后簡要說...
作為后摩爾時代發(fā)展的必然趨勢之一,存算一體越來越受到行業(yè)的關(guān)注。在存算十問的前六問中,我們梳理了存算一體的技術(shù)路線、挑戰(zhàn)和通用性等問題,這一次我們從技術(shù)...
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