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vds技術(shù)

SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記1：短路保護(hù)時(shí)間

IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時(shí)間（short circuit withstand time SCWT）

2023-05-30 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 晶閘管 3546 0

主要介紹MOSFET電性能相關(guān)的參數(shù)

BVDSS 是反向偏壓的體二極管被擊穿，且雪崩倍增引發(fā)大量的電流在源極和漏極之間流動(dòng)的電壓。

2023-05-29 標(biāo)簽：MOSFET 電壓源 VDS 1.2萬 1

介紹MOSFET絕對(duì)最大額定值相關(guān)的參數(shù)

VDS是指MOSFET的漏-源極的絕對(duì)最大值電壓，在管子工作時(shí)，這兩端的電壓應(yīng)力不能超過最大值。在MOSFET選型時(shí)，VDS電壓都要降額80%選用。

2023-05-29 標(biāo)簽：MOSFET 示波器 IGBT 9656 0

開關(guān)電源調(diào)試時(shí)常見的十種問題及解決辦法

在高壓或低壓輸入下開機(jī)(包含輕載，重載，容性負(fù)載)，輸出短路，動(dòng)態(tài)負(fù)載，高溫等情況下，通過變壓器(和開關(guān)管)的電流呈非線性增長

2023-05-25 標(biāo)簽：變壓器開關(guān)電源 VDS 2634 0

MOSFET的絕對(duì)最大額定值相關(guān)參數(shù)

本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第三篇，主要介紹絕對(duì)最大額定值相關(guān)的參數(shù)。主要包括VDS、VGS、ID、IDM、IAS、EAS、PD、T...

2023-04-26 標(biāo)簽：負(fù)載 MOSFET 電壓 6898 0

半橋LLC電路中上管VDS的尖峰

我們發(fā)現(xiàn)，在模塊從空載到短路跳變，短路關(guān)機(jī)后到短路態(tài)的過程中，短路態(tài)到空載的過程中上管還是存在電壓尖峰，如圖32所示，而且這個(gè)尖峰無論是120nS還是1...

2023-03-24 標(biāo)簽：功率管 VDS 尖峰 4428 0

PFC MOS管Vds檢測(cè)詳解

通過調(diào)節(jié)頻率使PFC電感電流在每個(gè)高頻周期過零，以實(shí)現(xiàn)PFC二極管的零電流關(guān)斷，消除反向恢復(fù)損耗。PFC二極管電流過零后，PFC電感與MOSFET寄生電...

2023-03-21 標(biāo)簽：二極管 MOS管 PFC 3240 0

淺談MOS管的二階效應(yīng)

由閾值電壓的公式可看出，閾值電壓與制造工藝和所加體偏電壓VSB有關(guān)，所以在設(shè)計(jì)中把它當(dāng)成一個(gè)常數(shù)。當(dāng)器件尺寸不斷縮小時(shí)，此模型不再精確，閾值電壓與L、...

2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 NMOS 2710 0

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-低邊開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作

上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOS...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 柵極 SiC 697 0

Rdson和Vgs、Vds有怎樣的關(guān)系？

在上一篇文章中我們聊了“Rdson對(duì)應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)？”這個(gè)問題，并得出Rdson對(duì)應(yīng)的是可變電阻區(qū)的結(jié)論。在討論的過程中，提到了Vgs對(duì)MOS管...

2023-01-05 標(biāo)簽：MOS管可變電阻 VDS 9718 0

一文詳解MOS管的基本知識(shí)

MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor ...

2022-12-26 標(biāo)簽：MOS管可變電阻 VDS 1.6萬 0

橋式電路的開關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓

本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動(dòng)作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會(huì)產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。

2022-12-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC VDS 1148 0

為什么要用gmId設(shè)計(jì)方法呢？什么是gmid設(shè)計(jì)方法呢？

假設(shè)知道了Id,Vgs-vth，但發(fā)現(xiàn)，廠家給的工藝文件里，并沒有直接給出un和Cox的值，還是沒有辦法計(jì)算出管子的W和L值。

2022-09-05 標(biāo)簽：MOS管 PSPICE VDS 1.4萬 0

高壓功率MOSFET寄生電容的形成

功率MOSFET的輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性，超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場(chǎng)的電荷平衡技術(shù)，如圖1...

2021-05-02 標(biāo)簽：MOSFET 電容電壓 3736 0

Linux內(nèi)核特性之VDSO

往往內(nèi)核添加了一個(gè)功能，glibc要花很久才會(huì)用上。本來linux那邊為這個(gè)功能是否進(jìn)入內(nèi)核已經(jīng)吵半天了，glibc這邊又要為是否使用這個(gè)內(nèi)核新特性再次...

2019-04-26 標(biāo)簽：Linux VDS 1599 0

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