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標(biāo)簽 > vds
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EE工程師都會(huì)面臨MOSFET的選型問(wèn)題,無(wú)論是功率級(jí)別應(yīng)用的Power MOS還是信號(hào)級(jí)別的Signal MOSFET,他們的Datasheet中,一...
MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...
為什么要用gmId設(shè)計(jì)方法呢?什么是gmid設(shè)計(jì)方法呢?
假設(shè)知道了Id,Vgs-vth,但發(fā)現(xiàn),廠家給的工藝文件里,并沒(méi)有直接給出un和Cox的值,還是沒(méi)有辦法計(jì)算出管子的W和L值。
ADS導(dǎo)入導(dǎo)出數(shù)據(jù)的方法介紹
直接導(dǎo)出是不行的,圖形可以直接copy出去復(fù)制,但數(shù)據(jù)要采用Palette里的List,不是Rectangular Plot,生成后可以選中然后右鍵,就...
介紹MOSFET絕對(duì)最大額定值相關(guān)的參數(shù)
VDS是指MOSFET的漏-源極的絕對(duì)最大值電壓,在管子工作時(shí),這兩端的電壓應(yīng)力不能超過(guò)最大值。在MOSFET選型時(shí),VDS電壓都要降額80%選用。
如圖,電流分?jǐn)U散電流和漂移電流,工作時(shí)的mosfet電流很大,主要是漂移電流,因此忽略掉擴(kuò)散電流的成分。
2023-05-30 標(biāo)簽:電容器MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1.0萬(wàn) 0
在上一篇文章中我們聊了“Rdson對(duì)應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)?”這個(gè)問(wèn)題,并得出Rdson對(duì)應(yīng)的是可變電阻區(qū)的結(jié)論。在討論的過(guò)程中,提到了Vgs對(duì)MOS管...
在MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)中,Vgs(柵極-源極電壓)和Vds(漏極-源極電壓)之間的關(guān)系是理解MOSFET工作特性的關(guān)鍵。 一、基...
2024-09-29 標(biāo)簽:MOSFET源極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.0萬(wàn) 0
PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。它具有許多優(yōu)點(diǎn),如低功耗、高輸入阻抗、易于集成等。本文我們將討論P(yáng)M...
MOSFET的絕對(duì)最大額定值相關(guān)參數(shù)
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第三篇,主要介紹絕對(duì)最大額定值相關(guān)的參數(shù)。 主要包括VDS、VGS、ID、IDM、IAS、EAS、PD、T...
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記2:短路保護(hù)—軟關(guān)斷
想象一個(gè)場(chǎng)景:一輛高端新能源車(chē)行駛在高速公路上,作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機(jī)的核心部件,SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的,你關(guān)...
我們發(fā)現(xiàn),在模塊從空載到短路跳變,短路關(guān)機(jī)后到短路態(tài)的過(guò)程中,短路態(tài)到空載的過(guò)程中上管還是存在電壓尖峰,如圖32所示,而且這個(gè)尖峰無(wú)論是120nS還是1...
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記1:短路保護(hù)時(shí)間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力,也就是說(shuō),在一定的短路耐受時(shí)間(short circuit withstand time SCWT)
功率MOSFET的輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化,表現(xiàn)出非線性的特性,超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場(chǎng)的電荷平衡技術(shù),如圖1...
我們給大家介紹了EKV模型的基本概念以及在大信號(hào)和小信號(hào)分析中的應(yīng)用。尤其在大信號(hào)分析中,EKV圖形化的方法簡(jiǎn)單直觀,有著得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)。
MOS管驅(qū)動(dòng)電路gs兩端并接一個(gè)電阻有何作用?
如圖所示MOS管驅(qū)動(dòng)電路,定性分析可知,當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí),MOS管兩端應(yīng)力為Vds,此時(shí)Vds向Cgd和Cgs充電,可能導(dǎo)致Vgs達(dá)到Vgs(th)導(dǎo)致...
2024-02-27 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電路VDS 3606 0
通過(guò)調(diào)節(jié)頻率使PFC電感電流在每個(gè)高頻周期過(guò)零,以實(shí)現(xiàn)PFC二極管的零電流關(guān)斷,消除反向恢復(fù)損耗。PFC二極管電流過(guò)零后,PFC電感與MOSFET寄生電...
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