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vds技術(shù)

MOS結(jié)電容（上）MOS里的寄生電容到底是什么？

EE工程師都會(huì)面臨MOSFET的選型問(wèn)題，無(wú)論是功率級(jí)別應(yīng)用的Power MOS還是信號(hào)級(jí)別的Signal MOSFET，他們的Datasheet中，一...

2023-12-05 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 PN結(jié) 2.5萬(wàn) 0

NMOS管的特性曲線（一）— 輸出特性曲線詳解

輸出特性曲線：固定VGS值，且數(shù)值大于閾值電壓時(shí)，MOS晶體管的源漏電流IDS隨VDS的變化曲線。

2023-12-01 標(biāo)簽：MOS晶體管 VDS 電流電壓 1.8萬(wàn) 0

一文詳解MOS管的基本知識(shí)

MOS，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor ...

2022-12-26 標(biāo)簽：MOS管可變電阻 VDS 1.7萬(wàn) 0

為什么要用gmId設(shè)計(jì)方法呢？什么是gmid設(shè)計(jì)方法呢？

假設(shè)知道了Id,Vgs-vth，但發(fā)現(xiàn)，廠家給的工藝文件里，并沒(méi)有直接給出un和Cox的值，還是沒(méi)有辦法計(jì)算出管子的W和L值。

2022-09-05 標(biāo)簽：MOS管 PSPICE VDS 1.5萬(wàn) 0

ADS導(dǎo)入導(dǎo)出數(shù)據(jù)的方法介紹

直接導(dǎo)出是不行的，圖形可以直接copy出去復(fù)制，但數(shù)據(jù)要采用Palette里的List，不是Rectangular Plot，生成后可以選中然后右鍵，就...

2023-12-01 標(biāo)簽：dac IDS VDS 1.4萬(wàn) 0

主要介紹MOSFET電性能相關(guān)的參數(shù)

BVDSS 是反向偏壓的體二極管被擊穿，且雪崩倍增引發(fā)大量的電流在源極和漏極之間流動(dòng)的電壓。

2023-05-29 標(biāo)簽：MOSFET 電壓源 VDS 1.4萬(wàn) 1

介紹MOSFET絕對(duì)最大額定值相關(guān)的參數(shù)

VDS是指MOSFET的漏-源極的絕對(duì)最大值電壓，在管子工作時(shí)，這兩端的電壓應(yīng)力不能超過(guò)最大值。在MOSFET選型時(shí)，VDS電壓都要降額80%選用。

2023-05-29 標(biāo)簽：MOSFET 示波器 IGBT 1.1萬(wàn) 0

溝道反型層閾值電壓Vth介紹

如圖，電流分?jǐn)U散電流和漂移電流，工作時(shí)的mosfet電流很大，主要是漂移電流，因此忽略掉擴(kuò)散電流的成分。

2023-05-30 標(biāo)簽：電容器 MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 1.0萬(wàn) 0

Rdson和Vgs、Vds有怎樣的關(guān)系？

在上一篇文章中我們聊了“Rdson對(duì)應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)？”這個(gè)問(wèn)題，并得出Rdson對(duì)應(yīng)的是可變電阻區(qū)的結(jié)論。在討論的過(guò)程中，提到了Vgs對(duì)MOS管...

2023-01-05 標(biāo)簽：MOS管可變電阻 VDS 1.0萬(wàn) 0

mosfet里vgs和vds的關(guān)系

在MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）中，Vgs（柵極-源極電壓）和Vds（漏極-源極電壓）之間的關(guān)系是理解MOSFET工作特性的關(guān)鍵。一、基...

2024-09-29 標(biāo)簽：MOSFET 源極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.0萬(wàn) 0

pmos飽和條件vgs與vds關(guān)系

PMOS（P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。它具有許多優(yōu)點(diǎn)，如低功耗、高輸入阻抗、易于集成等。本文我們將討論P(yáng)M...

2024-07-31 標(biāo)簽：PMOS VDS 電子電路 7680 0

MOSFET的絕對(duì)最大額定值相關(guān)參數(shù)

本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第三篇，主要介紹絕對(duì)最大額定值相關(guān)的參數(shù)。主要包括VDS、VGS、ID、IDM、IAS、EAS、PD、T...

2023-04-26 標(biāo)簽：負(fù)載 MOSFET 電壓 7528 0

SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記2：短路保護(hù)—軟關(guān)斷

想象一個(gè)場(chǎng)景：一輛高端新能源車(chē)行駛在高速公路上，作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機(jī)的核心部件，SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的，你關(guān)...

2023-05-30 標(biāo)簽：MOSFET 比較器 SiC 7055 1

半橋LLC電路中上管VDS的尖峰

我們發(fā)現(xiàn)，在模塊從空載到短路跳變，短路關(guān)機(jī)后到短路態(tài)的過(guò)程中，短路態(tài)到空載的過(guò)程中上管還是存在電壓尖峰，如圖32所示，而且這個(gè)尖峰無(wú)論是120nS還是1...

2023-03-24 標(biāo)簽：功率管 VDS 尖峰 5075 0

SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記1：短路保護(hù)時(shí)間

IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說(shuō)，在一定的短路耐受時(shí)間（short circuit withstand time SCWT）

2023-05-30 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 晶閘管 4317 0

高壓功率MOSFET寄生電容的形成

功率MOSFET的輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性，超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場(chǎng)的電荷平衡技術(shù)，如圖1...

2021-05-02 標(biāo)簽：MOSFET 電容電壓 3967 0

如何用EKV模型秒掉拉扎維？

我們給大家介紹了EKV模型的基本概念以及在大信號(hào)和小信號(hào)分析中的應(yīng)用。尤其在大信號(hào)分析中，EKV圖形化的方法簡(jiǎn)單直觀，有著得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)。

2023-07-07 標(biāo)簽：MOS管 VDS 偏置電壓 3776 0

MOS管驅(qū)動(dòng)電路gs兩端并接一個(gè)電阻有何作用？

如圖所示MOS管驅(qū)動(dòng)電路，定性分析可知，當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí)，MOS管兩端應(yīng)力為Vds，此時(shí)Vds向Cgd和Cgs充電，可能導(dǎo)致Vgs達(dá)到Vgs(th)導(dǎo)致...

2024-02-27 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路 VDS 3606 0

PFC MOS管Vds檢測(cè)詳解

通過(guò)調(diào)節(jié)頻率使PFC電感電流在每個(gè)高頻周期過(guò)零，以實(shí)現(xiàn)PFC二極管的零電流關(guān)斷，消除反向恢復(fù)損耗。PFC二極管電流過(guò)零后，PFC電感與MOSFET寄生電...

2023-03-21 標(biāo)簽：二極管 MOS管 PFC 3571 0

淺談MOS管的二階效應(yīng)

由閾值電壓的公式可看出，閾值電壓與制造工藝和所加體偏電壓VSB有關(guān)，所以在設(shè)計(jì)中把它當(dāng)成一個(gè)常數(shù)。當(dāng)器件尺寸不斷縮小時(shí)，此模型不再精確，閾值電壓與L、...

2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 NMOS 3146 0

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Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱(chēng)叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車(chē)相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶(hù)、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷(xiāo)售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專(zhuān)注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
研華

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32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱(chēng)。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶(hù)端功能，例如車(chē)道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類(lèi)筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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