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• RRAM機(jī)制、材料及其在神經(jīng)形態(tài)計(jì)算中的應(yīng)用

  近年來(lái)，RRAM 因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、保持時(shí)間長(zhǎng)、運(yùn)行速度快、超低功耗運(yùn)行能力、能夠在不影響器件性能的情況下擴(kuò)展到更低的尺寸以及可進(jìn)行三維集成的可能性而日益受到重視。過(guò)去幾年的研究表明，RRAM 是后 CMOS 時(shí)代設(shè)計(jì)高效、智能和安全計(jì)算系統(tǒng)的最合適候選者之一。...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1635次閱讀 · 0評(píng)論 芯片存儲(chǔ)器RRAM
  

• e2studio開(kāi)發(fā)磁力計(jì)LIS2MDL(1)----輪詢(xún)獲取磁力計(jì)數(shù)據(jù)

  本文將介紹如何使用 LIS2MDL 傳感器來(lái)讀取數(shù)據(jù)。主要步驟包括初始化傳感器接口、驗(yàn)證設(shè)備ID、配置傳感器的數(shù)據(jù)輸出率和濾波器，以及通過(guò)輪詢(xún)方式持續(xù)讀取磁力數(shù)據(jù)和溫度數(shù)據(jù)。讀取到的數(shù)據(jù)會(huì)被轉(zhuǎn)換為適當(dāng)?shù)膯挝徊⑼ㄟ^(guò)串行通信輸出。 這個(gè)傳感器常用于多種電子設(shè)備中，以提供精確的磁場(chǎng)強(qiáng)度數(shù)據(jù)，從而用于指南...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1319次閱讀 · 0評(píng)論 傳感器磁力計(jì)
  

• 論基于電壓域的SRAM存內(nèi)計(jì)算技術(shù)的嶄新前景

  這篇文章總結(jié)了馮·諾伊曼架構(gòu)及其在處理數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中所面臨的性能和能耗問(wèn)題。為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，文章介紹了存內(nèi)計(jì)算技術(shù)，其中重點(diǎn)討論了基于電壓域的SRAM存內(nèi)計(jì)算技術(shù)。 在馮·諾伊曼架構(gòu)中，存儲(chǔ)器和處理器之間頻繁傳輸大量數(shù)據(jù)，導(dǎo)致性能瓶頸。為解決這個(gè)問(wèn)題，存內(nèi)計(jì)算技術(shù)被提出，其核心思想是將計(jì)算...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1113次閱讀 · 0評(píng)論 存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸sramAI存內(nèi)計(jì)算
  

• 鴻蒙開(kāi)發(fā)接口Ability框架：【AbilityDelegator】

  AbilityDelegator提供添加用于監(jiān)視指定能力的生命周期狀態(tài)更改的AbilityMonitor對(duì)象的能力，包括對(duì)AbilityMonitor實(shí)例的添加、刪除、等待ability到達(dá)OnCreate生命周期、設(shè)置等待時(shí)間等、獲取指定ability的生命周期狀態(tài)、獲取當(dāng)前應(yīng)用頂部ability...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 988次閱讀 · 1評(píng)論 接口框架鴻蒙
  

• 鴻蒙ArkUI-X跨平臺(tái)技術(shù)：【概述】

  ArkUI是一套構(gòu)建分布式應(yīng)用的聲明式UI開(kāi)發(fā)框架。它具備簡(jiǎn)潔自然的UI信息語(yǔ)法、豐富的UI組件、多維的狀態(tài)管理，以及實(shí)時(shí)界面預(yù)覽等相關(guān)能力，幫助您提升應(yīng)用開(kāi)發(fā)效率，并能在多種設(shè)備上實(shí)現(xiàn)生動(dòng)而流暢的用戶(hù)體驗(yàn)。...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 2330次閱讀 · 0評(píng)論 鴻蒙OpenHarmony
  

• 探索存內(nèi)計(jì)算—基于 SRAM 的存內(nèi)計(jì)算與基于 MRAM 的存算一體的探究

  本文深入探討了基于SRAM和MRAM的存算一體技術(shù)在計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展。首先，介紹了基于SRAM的存內(nèi)邏輯計(jì)算技術(shù)，包括其原理、優(yōu)勢(shì)以及在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的應(yīng)用。其次，詳細(xì)討論了基于MRAM的存算一體技術(shù)，包括其工作原理、優(yōu)勢(shì)以及在軍工和大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的應(yīng)用。最后，對(duì)比了SRAM的存內(nèi)計(jì)算和基于MRA...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 3233次閱讀 · 0評(píng)論 存儲(chǔ)器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sramMRAM存內(nèi)計(jì)算
  

• 鴻蒙OS開(kāi)發(fā)：【一次開(kāi)發(fā)，多端部署】（工程管理）

  DevEco Studio的基本使用，請(qǐng)參考[DevEco Studio使用指南]。本章主要介紹如何使用DevEco Studio進(jìn)行多設(shè)備應(yīng)用開(kāi)發(fā)。...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1355次閱讀 · 0評(píng)論 Common鴻蒙鴻蒙OS
  

• 存內(nèi)計(jì)算芯片的基石-存儲(chǔ)介質(zhì)匯總

  作為新的計(jì)算架構(gòu)，存內(nèi)計(jì)算（Computing In Memory，CIM）被認(rèn)為是具有潛力的革命性技術(shù)。重點(diǎn)是將存儲(chǔ)與計(jì)算融合，有效克服馮·諾依曼架構(gòu)瓶頸，并結(jié)合后摩爾時(shí)代先進(jìn)封裝、新型存儲(chǔ)器件等技術(shù)，實(shí)現(xiàn)計(jì)算能效的數(shù)量級(jí)提升。從數(shù)據(jù)保存上分，存儲(chǔ)介質(zhì)主要分為兩大類(lèi)：易失性存儲(chǔ)器（Volatile...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 2157次閱讀 · 0評(píng)論 芯片DRAM存儲(chǔ)器sram存內(nèi)計(jì)算
  

• 存內(nèi)計(jì)算芯片研究進(jìn)展及應(yīng)用

  在NOR Flash存內(nèi)計(jì)算芯片當(dāng)中，向量-矩陣乘法運(yùn)算基于電流/電壓的跨導(dǎo)與基爾霍夫定律進(jìn)行物理實(shí)現(xiàn)，如圖7(a)所示。因此，其核心是設(shè)計(jì)NOR Flash單元陣列以滿(mǎn)足大規(guī)模高能效向量-矩陣乘法運(yùn)算。同時(shí)，在核心電路的基礎(chǔ)上，根據(jù)算法特征設(shè)計(jì)芯片架構(gòu)，以充分利用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)流式的特點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片的...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1524次閱讀 · 0評(píng)論 sram頻譜存算一體存內(nèi)計(jì)算NOR
  

• 知存科技助力AI應(yīng)用落地：WTMDK2101-ZT1評(píng)估板實(shí)地評(píng)測(cè)與性能揭秘

  隨著當(dāng)今數(shù)據(jù)迅速增長(zhǎng)，傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)內(nèi)存墻正在成為計(jì)算性能進(jìn)一步提升的阻礙。新一代的存內(nèi)計(jì)算（IMC）和近存計(jì)算（NMC）架構(gòu)有望突破這一瓶頸，顯著提升計(jì)算能力和能源效率。本文將探討存算一體芯片的發(fā)展歷程、當(dāng)前研究狀態(tài)，以及基于多種存儲(chǔ)介質(zhì)（例如傳統(tǒng)的DRAM、SRAM和Flash，以及新型的非...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1894次閱讀 · 0評(píng)論 DRAMAI憶阻器存內(nèi)計(jì)算
  

• 【基于存內(nèi)計(jì)算芯片開(kāi)發(fā)板驗(yàn)證語(yǔ)音識(shí)別】訓(xùn)練手冊(cè)

  本教程展現(xiàn)語(yǔ)音識(shí)別算法在WTM2101開(kāi)發(fā)板上從訓(xùn)練到部署的全流程，包括實(shí)驗(yàn)環(huán)境搭建，語(yǔ)音數(shù)據(jù)集以及算法模型轉(zhuǎn)換燒錄。...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 750次閱讀 · 0評(píng)論 芯片語(yǔ)音識(shí)別開(kāi)發(fā)板算法模型存內(nèi)計(jì)算
  

• 工具鏈工具——映射與調(diào)度、模擬與驗(yàn)證、開(kāi)發(fā)與測(cè)試工具

  本篇文章將重點(diǎn)介紹工具鏈的工具相關(guān)知識(shí)，我們將從工具鏈的基本概念出發(fā)，重點(diǎn)介紹工具鏈中的映射和調(diào)度工具、模擬與驗(yàn)證工具、開(kāi)發(fā)和測(cè)試工具，最后提出對(duì)工具鏈發(fā)展的展望，從而對(duì)工具鏈的工具進(jìn)行一個(gè)較為系統(tǒng)的講解。...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 3353次閱讀 · 0評(píng)論 測(cè)試芯片設(shè)計(jì)映射測(cè)試工具開(kāi)發(fā)工具鏈
  

• 如何快速上手進(jìn)迭時(shí)空K1 RISC-V開(kāi)發(fā)板：Banana Pi BPI-F3

  BananaPi BPI-F3采用K1內(nèi)核、SPM8821 PMIC+外部DCDC供電方案。存儲(chǔ)采用LPDDR4X和eMMC。外圍設(shè)備有 PCIe 2.0 2 Lane M.2 KEY M、PCIe 2.0 1 Lane MINI PCIe、4xUSB3.0 TYPE-A、WIFI/BT、TF Ca...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1405次閱讀 · 0評(píng)論 開(kāi)源硬件開(kāi)發(fā)板RISC-Vbanana
  

• S32N55 車(chē)輛超級(jí)集成處理器框圖概覽

  S32N55車(chē)輛超級(jí)集成處理器非常適合集成許多實(shí)時(shí)車(chē)輛功能或集成ECU。每個(gè) iECU 都可以分配一個(gè)隔離執(zhí)行環(huán)境，其資源可以在車(chē)輛的生命周期內(nèi)根據(jù)需要進(jìn)行更改。這使汽車(chē)制造商能夠更快速地開(kāi)發(fā) iECU，促進(jìn)車(chē)輛功能在車(chē)輛上的遷移，并簡(jiǎn)化車(chē)輛增強(qiáng)的整個(gè)生命周期。 S32N55 在簡(jiǎn)化 SDV 實(shí)時(shí)車(chē)...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1616次閱讀 · 0評(píng)論 處理器恩智浦
  

• 關(guān)于步進(jìn)電機(jī)的那些常見(jiàn)問(wèn)題，教你輕松玩轉(zhuǎn)！

  步進(jìn)電機(jī)是一種將電脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)換成相應(yīng)角位移或線(xiàn)位移的電動(dòng)機(jī)，每輸入一個(gè)脈沖信號(hào)，轉(zhuǎn)子就轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)角度或前進(jìn)一步，其輸出的角位移或線(xiàn)位移與輸入的脈沖數(shù)成正比，轉(zhuǎn)速與脈沖頻率成正比。因此，步進(jìn)電機(jī)適合數(shù)字控制，在3D打印、家用電器、數(shù)控機(jī)床等多個(gè)領(lǐng)域已被廣泛應(yīng)用。但步進(jìn)電機(jī)作為一種控制用電機(jī)，無(wú)法直接接到...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1020次閱讀 · 0評(píng)論 電壓步進(jìn)電機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
  

• 基于ADI LTC1871的實(shí)例分析穩(wěn)壓器PCB布局帶來(lái)的影響

  講解如何利用LTC1871 升壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的仿真電路來(lái)檢查開(kāi)關(guān)波形，并觀(guān)察寄生電感變化時(shí)的 PCB 布局。...

  類(lèi)別：PCB設(shè)計(jì) 540次閱讀 · 0評(píng)論 pcbadi穩(wěn)壓器PCB布局寄生電感LTC1871
  

• 英飛凌CoolSiC? MOSFET G2，助力下一代高性能電源系統(tǒng)

  所有現(xiàn)代硅功率器件都基于溝槽技術(shù)，并已取代了平面技術(shù)，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，溝槽設(shè)計(jì)在性能優(yōu)勢(shì)方面與Si功率MOSFET技術(shù)的發(fā)展有許多相似之處。采用碳化硅溝槽設(shè)計(jì)還有一個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)，即可靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明顯低于橫向界面。這就為性能和魯棒性特征與可靠性的匹配提供了新的優(yōu)化...

  類(lèi)別：電源/新能源 729次閱讀 · 0評(píng)論 英飛凌MOSFET功率器件SiC電源系統(tǒng)
  

• 當(dāng)USB Type-C 遇上汽車(chē)應(yīng)用新需求，會(huì)擦出什么火花？

  盡管 USB Type-C 主要作為筆記本電腦、平板電腦和智能手機(jī)的新一代、更快充電標(biāo)準(zhǔn)而為人所熟知，但在電力輸送和連接應(yīng)用領(lǐng)域也變得日益普及。USB Type-C 的速度和效率非常高：隨著 USB 電力輸送 (USB PD) R3.1 規(guī)范的發(fā)展， 一個(gè) USB Type-C 連接器便可支持高達(dá) ...

  類(lèi)別：接口/總線(xiàn)/驅(qū)動(dòng) 885次閱讀 · 0評(píng)論 德州儀器usbUSB PDUSB Type-C
  

• 電路設(shè)計(jì)中關(guān)于瞬態(tài)過(guò)壓保護(hù)最常出現(xiàn)的三個(gè)疑問(wèn)解答

  在設(shè)計(jì)電路板布局時(shí)，如何優(yōu)化TVS器件的放置是一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題，尤其是對(duì)于瞬態(tài)過(guò)壓的保護(hù)效果來(lái)說(shuō)。當(dāng)處理ESD（靜電放電）時(shí)，抑制初始瞬態(tài)尖峰的電壓大小也會(huì)依賴(lài)于PCB布局的好壞。即使是非常好的保護(hù)電路，如果遇上比較差的PCB布局，那效果也是1-1=0。...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 31380次閱讀 · 0評(píng)論 ESD電路設(shè)計(jì)TVS過(guò)壓保護(hù)保護(hù)器件
  

• 存內(nèi)計(jì)算技術(shù)工具鏈——量化篇

  本篇文章將重點(diǎn)講述存內(nèi)計(jì)算技術(shù)工具鏈之“量化”，我們將從面向存內(nèi)計(jì)算芯片的深度學(xué)習(xí)編譯工具鏈、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中的量化（包括訓(xùn)練后量化與量化感知訓(xùn)練）、基于存內(nèi)計(jì)算芯片硬件特性的量化工具這三個(gè)方面來(lái)對(duì)存內(nèi)計(jì)算技術(shù)工具鏈的量化進(jìn)行闡述。...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1391次閱讀 · 0評(píng)論 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)機(jī)器學(xué)習(xí)深度學(xué)習(xí)量化存內(nèi)計(jì)算
  
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