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蝸桿傳動必須根據單位時間內的發熱量等于同時間內的散熱量條件進行熱平衡計算 措施:加裝散熱片以及增大散熱面積、在蝸桿軸端加裝風扇以加速空氣流動、在傳動箱內裝循環冷卻管路...
在半導體制造過程中,每個半導體元件的產品都需要經過數百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝,前道工藝是整個制造過程中最為重要的部分,它關系到半導體芯片的基本結構和特性的形成,涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟,技術難點多,操作復雜。...
CoWoS 技術概念,簡單來說是先將半導體芯片(像是處理器、記憶體等),一同放在硅中介層上,再透過Chip on Wafer(CoW)的封裝制程連接至底層基板上。...
1. 先進制程受限,先進封裝/Chiplet提升算力,必有取舍。...
Chiplet,就是小芯片/芯粒,是通過將原來集成于同一系統單晶片中的各個元件分拆,獨立為多個具特定功能的Chiplet,分開制造后再透過先進封裝技術將彼此互聯,最終集成封裝為一系統晶片組。...
全球范圍內正在經歷一場能源革命。根據國際能源署的報告,到 2026 年,可再生能源將占全球能源增長量的大約 95%。太陽能將占到這 95% 中的一半以上。...
標準開發:通過組織全球 10 000 多名業界專家,成功開發了 220多項標準,其中IPC-A-610 標準是全球應用最廣泛的標準之一,被國際電工委員會(IEC)推薦為電子組件的全球首選驗收標準;其中 IPC 中國41 個技術組已完成了31 項標準的開發。...
焊錫球是現代化三種激光焊錫工藝中的主要技術方式之一,與激光錫絲、錫膏一起為中、微小電子領域的重要加工工藝。深圳紫宸激光作為國內首批從事激光焊錫應用研發的企業,一直致力于激光錫絲、錫膏及錫球焊接技術的突破和產業化應用。...
厚度不同的兩塊鋼板對接時,為避免截面急劇變化引起嚴重的應力集中,常把較厚的板邊逐漸削薄,達到兩接邊處等厚。對接接頭的靜強度和疲勞強度比其他接頭高。在交變、沖擊載荷下或在低溫高壓容器中工作的聯接,常優先采用對接接頭的焊接。...
高質量固態納米孔的制備是DNA測序、納流器件以及納濾膜等應用的關鍵技術。當前,在無機薄膜材料中制備固態納米孔的主流方法是聚焦離子/電子束刻蝕。...
半導體芯片由許多比指甲蓋還小、比紙還薄的微觀層(layer)組成。半導體堆疊得又高又實,形成類似于高層建筑的復雜結構。...
圖1為您呈現了半導體封裝方法的不同分類,大致可以分為兩種:傳統封裝和晶圓級(Wafer-Level)封裝。傳統封裝首先將晶圓切割成芯片,然后對芯片進行封裝;而晶圓級封裝則是先在晶圓上進行部分或全部封裝,之后再將其切割成單件。...
離子注入機是芯片制造中的關鍵裝備。在芯片制造過程中,需要摻入不同種類的元素按預定方式改變材料的電性能,這些元素以帶電離子的形式被加速至預定能量并注入至特定半導體材料中,離子注入機就是執行這一摻雜工藝的芯片制造設備。...
放線電壓Bleed Voltage 控制在整個線弧成型過程當中,金 線在進行釋放動作時的超音波輸出能量.放線電壓在焊線頭完成 反向位移后開始進行線弧放線動作時被激活,直到焊線頭到達弧 型放線量的最高點,線夾關閉的時候,此時放線電壓才被關閉....
結合 FOWLP 近期技術發展和 應用的現狀, 總結了發展趨勢; 從 FOWLP 結構的工藝缺陷和失效模式出發, 闡述了 FOWLP 的工藝流程和重點工藝環節。...
DBC基板銅箔厚度較大(一般為100μm~600μm),可滿足高溫、大電流等極端環境下器件封裝應用需求(為降低基板應力與翹曲,一般采用Cu-Al2O3-Cu的三明治結構,且上下銅層厚度相同)。...
隨著三維集成技術的發展,如何將不同材料、結構、工藝、功能的芯片器件實現一體化、多功能集成化是未來系統集成發展的重點。基于TSV、再布線(RDL)、微凸點(Micro Bump)、倒裝焊(FC)等關鍵工藝的硅轉接基板集成技術是將處理器、存儲器等多種芯片集成到同一個基板上,可提供高密度引腳的再分布。...
硅是地殼中第二豐富的元素(氧是第一-) 。它天然存在于硅酸鹽(含Si-O)巖石和沙子中。半導體器件制造中使用的元素硅是由高純度石英和石英巖砂生產的,這些石英和石英砂含有相對較少的雜質。...
大家在畫板子時候,是不是經常找不到合適的封裝,有時候又懶得畫 下面給大家分享3個封裝庫,基本上常用的封裝都能找得到,還帶3D模型的!...
芯片廠為什么要使用超純水? 普通的水中含有氯,硫等雜質,會腐蝕芯片中的金屬。如果水中有Na,K等金屬雜質,會造成MIC(可動離子污染)等問題。因此芯片制造需要一個絕對干凈的水質,超純水應運而生。...