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光刻機的難度在于要滿足復雜的制程需求、高精度的要求以及大規模生產的挑戰。為了應對這些挑戰，光刻機制造商需要投入大量的研發資源和技術創新，不斷提升設備性能和穩定性。...
在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發展史。現在，讓我們繼續了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機拍照非常相似。但是具體是怎么實現的呢？...
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。...
和高通等領先芯片公司不進行自己的制造，目前通常選擇臺積電或三星制造。英特爾表示，預計將在今年晚些時候宣布其代工業務的一個關鍵客戶。...
半導體：生產過程主要可分為（晶圓制造 Wafer Fabrication） 、（封裝工序 Packaging）、（測試工序 Test） 幾個步驟。...
EUV微影技術的落實延續了摩爾定律的壽命，這里的EUV指的其實是一種紫外光源，跟過去光刻技術所采用的光源比起來，EUV的波長更短，因此有助于大幅提高分辨率。...
從技術趨勢上來看，封裝工藝的發展帶動載板發展，FC工藝已成主流，多芯片3D封裝、大尺寸高多層基板是當前發展方向。...
封裝可靠性設計是指針對集成電路使用中可能出現的封裝失效模式，采取相應的設計技術，消除或控制失效模式，使集成電路滿足規定的可靠性要求所采取的技術活動。...
廣義而言，半導體基板即為晶圓。我們可以直接在晶圓表面堆疊晶體管，即半導體電路的基本元件，也可以構建新的一層，將其作為基板并在上面形成器件。特別是用于通信、軍事和光學元件等特殊用途的晶體管，或是高性能和高質量的晶體管，它們都需要用到外延晶片。在本文中，我們將介紹這種在晶圓之上由超純硅構成的超高純層(也...
傳統上，IC芯片與外部的電氣連接是用金屬引線以鍵合的方式把芯片上的I／O連至封裝載體并經封裝引腳來實現。隨著IC芯片特征尺寸的縮小和集成規模的擴大，I／O的間距不斷減小、數量不斷增多。當I／O間距縮小到70 um以下時，引線鍵合技術就不再適用，必須尋求新的技術途徑。晶元級封裝技術利用薄膜再分布上藝，...
成品測試主要是指晶圓切割變成芯片后，針 對芯片的性能進行最終測試，需要使用的設備主要為測試機和分選機。晶圓測試（Chip Probing），簡稱 CP 測試，是指通過探針臺和測試機的配合使用，對晶圓 上的裸芯片（gross die）進行功能和電學性能參數的測試。...
低溫共燒陶瓷 （ Low Temperature Co-Fired Ceramics, LTCC ） 封裝能將不同種類的芯片等元器件組裝集成于同一封裝體內以實現系統的某些功能，是實現系統小型化、集成化、多功能化和高可靠性的重要手段。總結了 LTCC 基板所采用的封裝方式，闡述了 LTCC 基板的金屬...
隨著摩爾定律的放緩以及前沿節點復雜性和成本的增加，先進封裝正在成為將多個裸片集成到單個封裝中的關鍵解決方案，并有可能結合成熟和先進的節點。...
英特爾將其在半導體和封裝研究與技術方面的實力和專業知識與歐洲合作伙伴合作，以開發摩爾定律創新并推動歐洲的微電子技術發展。...
Info封裝與CoWoS封裝是目前2.5D封裝的典型代表，同屬于TSMC開發的2.5D封裝，那么如何區分 Info封裝與CoWoS封裝呢？主要從以下方面進行闡述。...
Info封裝與CoWoS封裝是目前2.5D封裝的典型代表，同屬于TSMC開發的2.5D封裝，那么如何區分 Info封裝與CoWoS封裝呢？主要從以下方面進行闡述。...
增材制造是一種快速成型技術，通過材料逐步堆積累加的方法實現生產，是正在高速發展的新興技術。但多年以來，由于材料發展的限制，增材制造技術多以結構件制造應用為主，在電子制造領域發展較為緩慢。...
在干法蝕刻中，氣體受高頻（主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激發。在 1 到 100 Pa 的壓力下，其平均自由程為幾毫米到幾厘米。...
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