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IEC TR 62380《電子組件、PCBs和設備的可靠性預計通用模型》是涵蓋電路、半導體分立器件、光電組件、電阻器、電容器、壓電組件、顯示器、開關等等電子元器件的可靠性預計模型，模型中包含了環(huán)境系數(shù)以及材料、工藝和結構等因素相關的系數(shù)。...
目前為止，在日常生活中使用的每一個電氣和電子設備中，都是由利用半導體器件制造工藝制造的集成電路組成。電子電路是在由純半導體材料(例如硅和其他半導體化合物)組成的晶片上創(chuàng)建的，其中包括光刻和化學工藝的多個步驟。...
一家國內頭部MCU廠商稱，公司在缺貨漲價時期已經(jīng)調整了銷售策略，基本退出低端消費電子市場，全面轉向工業(yè)、汽車市場。因此，雖然公司也會受到市場下行周期的影響，但比其他消費類MCU廠商的處境要好很多。...
極性反向：極性方位正確性與加工工程樣品裝配不一樣， 即為極性錯誤 零件倒置： SMT之零件不得倒置，另CR因底部全白無規(guī)格標示，雖無極性也不可傾倒放置...
封裝技術是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝，主要起到電氣連接、結構支持和保護、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作為模塊集成的核心環(huán)節(jié)，封裝材料、工藝和結構直接影響到功率模塊的熱、電和電磁干擾等特性。目前成熟的封裝技術主要是以銀膠或錫基釬料等連接材料、引線連接等...
隨著光刻膠層變得更薄，整體光刻膠的特性變得不那么重要，并且光刻膠（暴露與否）與顯影劑和底層之間的界面變得更加重要。...
從激光鉆孔的加工參數(shù)方面考量，開窗窗口周邊及微盲孔孔內底銅無法被二氧化碳激光鉆孔破壞;其次，孔內樹脂在吸收二氧化碳激光鉆孔足夠能量后，化學鍵能瞬間被破壞而發(fā)生燃燒反應，同時，將孔內被軟化的玻璃纖維帶出孔內。...
合金化熱處理是一種利用熱能使不同原子彼此結合成化學鍵而形成金屬合金的一種加熱工藝，半導體制造過程中已經(jīng)使用了很多合金工藝，自對準金屬硅化物工藝過程中一般形成鈦金屬硅化合物(見下圖)。...
COF(Chip On Flex,或Chip On Film，常稱覆晶薄膜)將IC固定于柔性線路板上晶粒軟膜構裝技術，是運用軟質附加電路板作封裝芯片載體將芯片與軟性基板電路接合的技術。...
我國半導體產業(yè)下游發(fā)展迅速，消費電子、新能源汽車等產業(yè)也給我國半導體產業(yè)帶來了大量的消費需求。目前，我國已成為全球第一大消費電子生產國和消費國。...
低溫共燒陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic，LTCC)技術是一種新型微電子封裝技術，它集多層互連、埋置無源元件和氣密性封裝于一體，而且高頻特性優(yōu)良，技術優(yōu)勢明顯。因此，LTCC技術在微電子領域具有十分廣闊的應用市場和發(fā)展前景。...
硅晶圓作為半導體產品最重要的原材料，其市場規(guī)模的波動方向也基本與全球半導體銷售額一致，且波動幅度更大，具有明顯的周期性。...
晶圓級封裝(Wafer Level Packaging，縮寫WLP)是一種先進的封裝技術，因其具有尺寸小、電性能優(yōu)良、散熱好、成本低等優(yōu)勢，近年來發(fā)展迅速。根據(jù)Verified Market Research 研究數(shù)據(jù)，晶圓級封裝市場 2020 年為 48.4 億美元，預計到 2028 年將達到 2...
熱載流子注入(熱載流子誘生的MOS器件退化是由于高能量的電子和空穴注入柵氧化層引起的，注入的過程中會產生界面態(tài)和氧化層陷落電荷，造成氧化層的損傷。）...
隨著 5G 和人工智能等新型基礎設施建設的不斷推進，單純通過縮小工藝尺寸、增加單芯片面積等方式帶來的系統(tǒng)功能和性能提升已難以適應未來發(fā)展的需求。晶圓級多層堆疊技術作為能夠突破單層芯片限制的先進集成技術成為實現(xiàn)系統(tǒng)性能、帶寬和功耗等方面指標提升的重要備選方案之一。對目前已有的晶圓級多層堆疊技術及其封裝...
大功率LED封裝由于結構和工藝復雜，并直接影響到LED的使用性能和壽命，一直是近年來的研究熱點，特別是大功率白光LED封裝更是研究熱點中的熱點。...
三星最新的生產工藝技術是他們的4nm節(jié)點。該節(jié)點去年年底提高了產量。這是他們最后一個基于FinFET的前沿工藝技術，盡管不是他們計劃中的最后一個。...
英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出摩爾定律：當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。...
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