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矽力杰新一代高精度電壓輸出型電流檢測放大器SA59131系列產品支持高邊或低邊雙向電流檢測，擁 那有?4V~80V的寬共模電壓范圍，可采集低于接地電壓的輸入信號。...
半導體材料目前已經發展至第三代。傳統硅基半導體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應于半導體行業的發展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導體也因而誕生。...
SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導通電阻（1/100 于Si），導通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏電流比Si 器件減少了幾個數量級，從而可以減少功率器件的功率損耗。...
國產功率半導體已在眾多領域應用，特別是低端產品，如二極管、三極管、晶閘 管、低壓 MOSFET（非車規）等，已初現“規模化效應、國產化率相對較高”等特 點。...
報告內容包含： 效率和功率密度推動變革 基本的 MOSFET 柵極驅動器功能 驅動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管） 驅動器進化以支持 SiC（碳化硅）...
隨著新能源的爆火，IGBT缺貨成了近年來的“家常便飯”。根據富昌電子的數據，目前英飛凌、安森美、意法半導體等IGBT國際大廠的訂單整體處于相對飽滿的狀態，價格整體而言也比較穩定，產品交期普遍在39周以上，尤其是風光儲IGBT等部分緊缺料交期還在52周以上。...
這種結構依然存在一些弊端， MDAC和子ADC的信號輸入路徑可能存在不匹配，也就是開關的RC時間常數的不匹配，導致在輸入頻率很高時，可能導致采樣的信號存在很大的差異(孔徑誤差)。...
Ton和Toff已經接近圖二要求的時間，MOS管24V時帶載27歐，輸出功率21.3W，輸出電壓正常，MOS管基本不發熱。 總結一：MOS管發熱原因小結（此處從網上搜集）...
驅動電路和以兩個輸入電壓作為擺幅的偏置電路，都與器件的源極軌連。但是，驅動電路和它的浮動偏置可以通過低壓電路實現，因為輸入電壓不會作用到這些電路上。...
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩定性。...
交流信號TIA電路的增益主要取決于放大器反饋環路中的電阻和電容。公式1表示圖1的理想交流和直流信號傳遞函數。...
儲能用更多的 IGBT 和 SiC，涉及到 DCDC 和 DCAC 兩個環節。兩種方案，光儲一體以及單獨儲能系統。獨立的儲能系統，功率半導體器件的用量是光伏的 1.5 倍左右。目前光儲一體可能占比超過 60-70%，單獨儲能系統占比 30%。...
隨著通道長度的縮短，電源電壓將從3.3V降到0.7V，并有望進一步下降。這為晶體管（數字和模擬）施加了更低的過驅動問題。在模擬設計中，通過定義初始條件的預充電節點的實現克服了這一問題，使設計在低過驅動下工作。...
單擊第一個自動生成的布局將顯示"動畫預覽"對話框，其中顯示以下窗口：層次結構、原理圖、布局、結果和約束。"布局"窗口顯示九個生成的布局地形。...
IGBT行業的門檻非常高。除了芯片的設計和生產，IGBT模塊封裝測試的開發和生產等環節同樣有著非常高的技術要求和工藝要求。...
共模電感的工作原理是通過電感的電磁感應作用，抵消共模噪聲。當共模噪聲出現時，它會在電路的兩個信號線上產生同樣大小和相位的電流信號。這些電流信號將在共模電感中誘導出一個磁場，進而產生一個抗拒共模噪聲的反向電動勢。...
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