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當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機(jī)等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品，國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多，但是有一個(gè)模塊需要引起行業(yè)內(nèi)的重視，那就是電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分，則是電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣...
敏感的模擬元件，例如放大器和基準(zhǔn)電壓源，必須參考和去耦至模擬接地層。具有低數(shù)字電流的 ADC 和 DAC（和其他混合信號 IC）一般應(yīng)視為模擬元件，同樣接地并去耦至模擬接地層。乍看之下，這一要求似乎有些矛盾，因?yàn)檗D(zhuǎn)換器具有模擬和數(shù)字接口，且通常有指定為模擬接地 (AGND) 和數(shù)字接地 (DGND)...
近年來，我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高，但能耗比卻居高不下，高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸...
由于模擬系統(tǒng)在現(xiàn)代電子設(shè)備中起著至關(guān)重要作用，模擬系統(tǒng)測試優(yōu)化已引起學(xué)術(shù)界和工業(yè)界廣泛關(guān)注。盡管現(xiàn)有方法能實(shí)現(xiàn)測試策略的自動(dòng)生成，但是由于復(fù)雜結(jié)構(gòu)和多變的運(yùn)行環(huán)境的影響，模擬系統(tǒng)難以有效生成診斷策略。...
摘要 ：二極管是非常常用的基礎(chǔ)元器件，本文主要聊一聊其在電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用，大概總結(jié)了二極管的如下作用防反、整流、穩(wěn)壓、續(xù)流、檢波、倍壓、鉗位、包絡(luò)線檢測。...
普通二極管是P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體結(jié)合構(gòu)成，而PIN則在P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體之間夾了一層I型半導(dǎo)體(即本征半導(dǎo)體)...
根據(jù)摻雜不同可以分為NPN管和PNP管，有E（發(fā)射極）、B（基極）、C（集電極）三個(gè)極，兩個(gè)PN結(jié)（發(fā)射結(jié)和集電結(jié)）。...
電子電路很容易在過壓、過流、浪涌等情況發(fā)生的時(shí)候損壞，隨著技術(shù)的發(fā)展，電子電路的產(chǎn)品日益多樣化和復(fù)雜化，而電路保護(hù)則變得尤為重要。電路保護(hù)元件也從簡單的玻璃管保險(xiǎn)絲，變得種類更多，防護(hù)性能更優(yōu)越。...
功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計(jì)的時(shí)候，需要多一塊區(qū)域，來承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。...
隨著新能源汽車銷量暴漲的東風(fēng)，采用碳化硅功率器件可助力新能源汽車提升加速度、降低系統(tǒng)成本、增加續(xù)航里程以及實(shí)現(xiàn)輕量化等。碳化硅的優(yōu)越性能使其在更多尖端領(lǐng)域有著迫切的需求。隨著航天技術(shù)的快速發(fā)展，作為航天器的重要組成部分——供配電系統(tǒng)和二次電源的發(fā)展面臨兩方面的挑戰(zhàn)，一方面是小型化和輕量化，另一方面是...
IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個(gè)P結(jié)，即NPNP結(jié)構(gòu)，在原理上是MOS推動(dòng)的P型BJT。...
在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中，平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候，可能會(huì)顧名思義地認(rèn)為，平面型IGBT的電流就是水平流動(dòng)的...
二極管正向?qū)〞r(shí)，電子存儲在P區(qū)，空穴存儲在N區(qū)，此現(xiàn)象叫做電荷存儲效應(yīng)。外加反向電壓時(shí)，電子和空穴分別往相反方向移動(dòng)，形成反向漂移電流，同時(shí)與其他多數(shù)載流子復(fù)合，待電子和空穴明顯減小后，反向恢復(fù)過程完成，二極管截至。...
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率MOSFET的特性，并為器件選擇提供指導(dǎo)。最后，解釋了Microsemi公司Advanced Powe...
并聯(lián)是元件之間的一種連接方式，其特點(diǎn)是將2個(gè)同類或不同類的元件、器件等首首相接，同時(shí)尾尾亦相連的一種連接方式。通常是用來指電路中電子元件的連接方式，即并聯(lián)電路。...
Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來說，MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用，而IGBT更適合高功率應(yīng)用。...
晶閘管（Silicon Controlled Rectifier）簡稱SCR,由于電流容量大，耐電壓高，以及開通可控性。...
AD202和AD204是通用型雙端口、跨前耦合隔離放大器可用于輸入信號必須測量、處理和/或在沒有電偶連接的情況下傳輸?shù)膽?yīng)用范圍--這些工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)隔離放大器提供完整的隔離功能，信號和功率隔離都是在一個(gè)緊湊的塑料SIP或DIP式封裝中提供的。...
Photo-Diode 光電二極管，內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由一個(gè)PN結(jié)組成的半導(dǎo)體器件。它和常用二極管一樣，有單向?qū)ǖ奶匦?。色彩測量、發(fā)射光譜儀、氣體探測器、渾濁度計(jì)等應(yīng)用通常都是采用光電二極管來實(shí)現(xiàn)精密光學(xué)測量。...
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