完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>
電子發燒友網技術文庫為您提供最新技術文章，最實用的電子技術文章，是您了解電子技術動態的最佳平臺。
當前的新能源車的模塊系統由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發展比較成熟的產品，國內外的模塊廠商已經開發了很多，但是有一個模塊需要引起行業內的重視，那就是電機驅動部分，則是電機驅動部分最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣...
敏感的模擬元件，例如放大器和基準電壓源，必須參考和去耦至模擬接地層。具有低數字電流的 ADC 和 DAC（和其他混合信號 IC）一般應視為模擬元件，同樣接地并去耦至模擬接地層。乍看之下，這一要求似乎有些矛盾，因為轉換器具有模擬和數字接口，且通常有指定為模擬接地 (AGND) 和數字接地 (DGND)...
近年來，我國年工業生產總值不斷提高，但能耗比卻居高不下，高能耗比已成為制約我國經濟發展的瓶頸...
由于模擬系統在現代電子設備中起著至關重要作用，模擬系統測試優化已引起學術界和工業界廣泛關注。盡管現有方法能實現測試策略的自動生成，但是由于復雜結構和多變的運行環境的影響，模擬系統難以有效生成診斷策略。...
摘要 ：二極管是非常常用的基礎元器件，本文主要聊一聊其在電路設計中的應用，大概總結了二極管的如下作用防反、整流、穩壓、續流、檢波、倍壓、鉗位、包絡線檢測。...
普通二極管是P型半導體與N型半導體結合構成，而PIN則在P型半導體與N型半導體之間夾了一層I型半導體(即本征半導體)...
根據摻雜不同可以分為NPN管和PNP管，有E（發射極）、B（基極）、C（集電極）三個極，兩個PN結（發射結和集電結）。...
功率半導體器件與普通半導體器件的區別在于，其在設計的時候，需要多一塊區域，來承擔外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區域就是額外承擔高壓的部分。與沒有“N-drift”區的普通半導體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導體器件的有點之一。...
隨著新能源汽車銷量暴漲的東風，采用碳化硅功率器件可助力新能源汽車提升加速度、降低系統成本、增加續航里程以及實現輕量化等。碳化硅的優越性能使其在更多尖端領域有著迫切的需求。隨著航天技術的快速發展，作為航天器的重要組成部分——供配電系統和二次電源的發展面臨兩方面的挑戰，一方面是小型化和輕量化，另一方面是...
IGBT在結構上是NPN行MOSFET增加一個P結，即NPNP結構，在原理上是MOS推動的P型BJT。...
在現今IGBT表面結構中，平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個名詞的時候，可能會顧名思義地認為，平面型IGBT的電流就是水平流動的...
二極管正向導通時，電子存儲在P區，空穴存儲在N區，此現象叫做電荷存儲效應。外加反向電壓時，電子和空穴分別往相反方向移動，形成反向漂移電流，同時與其他多數載流子復合，待電子和空穴明顯減小后，反向恢復過程完成，二極管截至。...
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅動功率，且開關速度優異。可以說具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率MOSFET的特性，并為器件選擇提供指導。最后，解釋了Microsemi公司Advanced Powe...
并聯是元件之間的一種連接方式，其特點是將2個同類或不同類的元件、器件等首首相接，同時尾尾亦相連的一種連接方式。通常是用來指電路中電子元件的連接方式，即并聯電路。...
Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區別在于它們可以處理的電流類型。一般來說，MOSFET更適合高頻開關應用，而IGBT更適合高功率應用。...
晶閘管（Silicon Controlled Rectifier）簡稱SCR,由于電流容量大，耐電壓高，以及開通可控性。...
AD202和AD204是通用型雙端口、跨前耦合隔離放大器可用于輸入信號必須測量、處理和/或在沒有電偶連接的情況下傳輸的應用范圍--這些工業標準隔離放大器提供完整的隔離功能，信號和功率隔離都是在一個緊湊的塑料SIP或DIP式封裝中提供的。...
Photo-Diode 光電二極管，內部結構是由一個PN結組成的半導體器件。它和常用二極管一樣，有單向導通的特性。色彩測量、發射光譜儀、氣體探測器、渾濁度計等應用通常都是采用光電二極管來實現精密光學測量。...
關注我們的微信
下載發燒友APP
電子發燒友觀察
版權所有 ? 湖南華秋數字科技有限公司
長沙市望城經濟技術開發區航空路6號手機智能終端產業園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發燒友 （電路圖） 湘公網安備43011202000918
工商網監
湘ICP備2023018690號-1
