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今天我們將圍繞交錯式 ADC 轉換器展開。當 ADC 轉換器交錯時，兩個或多個具有定義的時鐘關系的 ADC 轉換器用于同時對輸入信號進行采樣并產生組合輸出信號，從而導致采樣帶寬為多個單獨的 ADC 轉換器。...
那個低噪放，當時的情況是組長已經調成功過了，但是因為用的是銦(好像是這個金屬，是可以像泥土一樣按壓的，但是遇熱就化了)，沒有像銅皮一樣焊在上面，而是靠其本身的粘性，沾在電路上。...
通過對現有功率器件封裝方面文獻的總結，從器件封裝結構散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。...
運算放大器的自激震蕩是實際在電路設計和測試時經常遇到的一個問題，一旦自激振蕩，那該電路一定要進行重新設計，而且持續的自激振蕩會損壞器件。...
對于MOSFET，米勒效應（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應。由于米勒效應，MOSFET柵極驅動過程中，會形成平臺電壓，引起開關時間變長，開關損耗增加，給MOS管的正常工作帶來非常不利的影響。...
三極管有三個端口，分別是基極(Base)，集電極（collector）和發射極(Emitter)。...
當集電極電流Icq有微小變化時，會在發射極電阻Re上產生壓降，而Re上的壓降又會影響b-e之間的電壓，從而會影響Icq，達到穩定工作點。...
使用數模轉換器 （DAC） 的電機控制、無線電控制、音頻樣本生成和波形生成是需要 MCU 具有更高精度模擬功能的典型應用。由于 MCU 不是無線電的天然配套設備，因此它們通常需要專用的高精度模擬組件或外圍設備才能在無線電信號存在時“表現良好”。...
數字電位器 （dpots） 是無處不在的組件，具有各種封裝、電阻和分辨率。然而，除了通常的電阻與設置的線性函數之外，幾乎沒有人實現任何東西。這一事實給需要寬范圍（即數十倍）增益調整動態范圍的應用帶來了麻煩。...
本設計理念描述了一種從基于555的自由運行振蕩器產生可變占空比波形的新方法。該電路的寬調制范圍、對寬占空比值范圍內的高度線性控制以及出色的線性度使其成為基于 PWM（脈寬調制）的控制應用的理想選擇。...
8B/10B 編碼數據對時鐘恢復電路很友好，因為它具有游程長度限制。它還適用于交流耦合，因為它是直流平衡的。8B/10B 編碼涉及將 8 位八位字節轉換為 10 位代碼組。在每個代碼組中，1 和 0 的數量之差絕不會超過兩個。通過監測連續代碼組中 1 和 0 的數量，計算出運行差異。...
如果運算放大器具有阻性輸出阻抗，對于此運算放大器（LF411），單位增益約為 0.1 - 10 Ω，我們預計該電容器會導致高于截止頻率的 -90° 相移。讓我們看看發生了什么。...
運算放大器內部不可避免的組件不匹配會導致 0 V 差分輸入產生非零正或負輸出電壓。輸入失調電壓是必須施加到輸入端子之一的電壓，以補償不匹配，從而實現 0 V 輸入的 0 V 輸出。...
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領域主要優勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業大放異彩。...
前面給大家分享了MOS管的結構，符號，閾值電壓，四種工作狀態分別對應的漏電流公式和跨導的定義公式，相信大家對MOS管的工作原理有了一定的了解，這篇給大家介紹后續電路分析中不可缺少的MOS管的三個二級效應。...
根據上一篇對CMOS工作原理的分析，我們可以將MOS管的工作狀態分為以下4個區域，以NMOS為例。...
首先我們先了解什么是MOSFET?全稱是金屬氧化物半導體場效應管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)這是MOSFET的簡易符號，表示了三個端子：柵(G)、源(S)和漏(D)。 因為這種器件是對稱的，因而可以源漏互換。 大家都知道，在...
因為晶體管放大器之前已經分析過MOSFET電路增益的計算，輸出電阻，輸入電阻的計算，還有頻率特性。 想要設計一個各項指標滿足要求的放大電路，比較復雜。...
這次我們把范圍擴大到NPN和PNP倆種管子，也給大家一些例子，例子由易到難，如果全部都能答上來，那三極管這里你算是吃透了。...
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