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• PWM態(tài)存在開關(guān)管的ZCS導(dǎo)通現(xiàn)象如何解決？

  在諧振電流過零前Q2驅(qū)動(dòng)脈沖到來，Q2導(dǎo)通；但此時(shí)Q1的體二極管D1也在續(xù)流，因此，電流從D1到Q2迅速換流，Q2為ZCS導(dǎo)通。...

  536次閱讀 · 0評(píng)論 二極管PWM

• mosfet與igbt對(duì)比優(yōu)缺點(diǎn)

  在具有最小Eon損耗的ZVS 和 ZCS應(yīng)用中，MOSFET由于具有較快的開關(guān)速度和較少的關(guān)斷損耗，因此能夠在較高頻率下工作。...

  8372次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET整流器IGBT開關(guān)管

• 模擬電子技術(shù)的十年新發(fā)展計(jì)劃

  未來十年，模擬電路將不斷發(fā)展，以利用成千上萬的專用于模擬任務(wù)的設(shè)備。前幾年的模擬設(shè)計(jì)取決于一些設(shè)備的詳細(xì)性能：放大器的輸入級(jí)，或典型PLL電路的元件——這些可以作為電路圖繪制，并通過仔細(xì)檢查單個(gè)設(shè)備的行為來理解和改進(jìn)。...

  1664次閱讀 · 0評(píng)論 混合信號(hào)模擬設(shè)計(jì)無線通信模擬芯片無線電處理器

• MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)(二)

  前面解決了MOS管的接法問題，接下來談?wù)凪OS管的開關(guān)條件。...

  4836次閱讀 · 0評(píng)論 MOS管電平N溝道NMOS管PMOS管
  

• MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)(一)

  MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方...

  1284次閱讀 · 0評(píng)論 MOS管p溝道高電平符號(hào)寄生二極管
  

• 一文看懂TSV

  肖特基的硅片上制作孔專利 此后， IBM開始在集成電路領(lǐng)域發(fā)力，并在垂直電互連方面取得了突破。...

  2031次閱讀 · 0評(píng)論 集成電路memsTSV

• 英飛凌FP100R12KT4 IGBT模塊內(nèi)部拆解分析

  該模塊由塑料外殼封裝起來，底部為導(dǎo)熱鈑金，導(dǎo)熱鈑金貼在散熱器上，用四個(gè)螺絲固定。Pin腳焊在陶瓷襯板上。...

  8623次閱讀 · 0評(píng)論 英飛凌變頻器IGBT伺服電機(jī)控制

• 國內(nèi)企業(yè)逐步切入，國產(chǎn)碳化硅器件存在突圍機(jī)會(huì)

  在車載充電器領(lǐng)域，碳化硅MOSFET的滲透率已很高。電機(jī)控制器將是近幾年碳化硅MOSFET要更高速發(fā)展的關(guān)鍵因素。...

  787次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET光伏逆變器碳化硅

• 深入探討精密數(shù)據(jù)采集信號(hào)鏈的噪聲分析

  在很多應(yīng)用中，模擬前端接收單端或差分信號(hào)，并執(zhí)行所需的增益或衰減、抗混疊濾波及電平轉(zhuǎn)換，之后在滿量程電平下驅(qū)動(dòng)ADC輸入端。今天我們探討下精密數(shù)據(jù)采集信號(hào)鏈的噪聲分析，并深入研究這種信號(hào)鏈的總噪聲貢獻(xiàn)。...

  749次閱讀 · 0評(píng)論 噪聲adc數(shù)據(jù)采集信號(hào)鏈差分信號(hào)

• 基于二極管的限幅電路

  限幅電路（Clipper）顧名思義是將信號(hào)幅值進(jìn)行限制，篩選出符合的幅值。 帶負(fù)偏差串接正限幅電路 Series positive clipper with negative bias，正幅值的波形被削減，保留負(fù)幅值的波形的基礎(chǔ)上偏移負(fù)電壓...

  1066次閱讀 · 0評(píng)論 二極管限幅電路

• 淺談晶振在數(shù)字電路中的重要性

  在石英晶體的兩個(gè)電極上施加電場(chǎng)會(huì)使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形，反之，如果在晶體兩側(cè)施加機(jī)械壓力就會(huì)在晶體上產(chǎn)生電場(chǎng)。...

  1053次閱讀 · 0評(píng)論 晶振數(shù)字電路晶體諧振器

• 功率二極管和功率晶體管的國內(nèi)外研究總結(jié)

  對(duì) Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國內(nèi)外最新研究進(jìn)行了概括總結(jié)，展望了Ga2O3在未來的應(yīng)用與發(fā)展前景。...

  555次閱讀 · 0評(píng)論 功率器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體

• 功分器和合路器的區(qū)別 100W功率放大器的原理圖

  作為功分器來講，信號(hào)從IN輸入，當(dāng)信號(hào)到達(dá)A、B二點(diǎn)時(shí)為同頻同相信號(hào)。所以R上無電流流過即無功率損耗, R在這里起到改善隔離的作用。...

  6251次閱讀 · 0評(píng)論 功分器合路器

• SiC MOSFET為何替代不了IGBT？

  IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是國際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，IGBT 被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。...

  2373次閱讀 · 0評(píng)論 IGBT特斯拉半導(dǎo)體器件碳化硅

• SAR切換電容ADC的基本原理

  用了這么久ADC,從沒細(xì)看過ADC的內(nèi)部原理和如何獲得最佳精度，今天看到一篇ST的官方文檔講的不錯(cuò)，這里整理分享給大家。...

  1686次閱讀 · 0評(píng)論 微控制器轉(zhuǎn)換器SARSTadc

• 如何將運(yùn)算放大器用作差分放大器查找電壓值的電壓差

  運(yùn)算放大器最初是為模擬數(shù)學(xué)計(jì)算而開發(fā)的，從那時(shí)起，它們已被證明在許多設(shè)計(jì)應(yīng)用中都很有用，它們可以使用求和放大器電路執(zhí)行兩個(gè)給定電壓值的加法，并使用差分放大器執(zhí)行兩個(gè)電壓值之間的差。除此之外，運(yùn)算放大器還通常用作反相放大器和同相放大器。...

  3184次閱讀 · 0評(píng)論 放大器運(yùn)算放大器差分放大器增益減法器

• 關(guān)于MOS管開關(guān)時(shí)電壓電流波形問題

  如圖，為什么在Vce下降前ic就開始上升了呢？...

  4271次閱讀 · 0評(píng)論 MOS管波形ZVS電壓電流
  

• 如何判斷MOS管的工作狀態(tài)

  MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種：增強(qiáng)型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。...

  3873次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS管源極

• 三極管與MOS管的正確應(yīng)用

  適合發(fā)射極接GND集電極接負(fù)載到VCC的情況。只要基極電壓高于射極電壓（此處為GND）0.7V，即發(fā)射結(jié)正偏（VBE為正），NPN型三極管即可開始導(dǎo)通。...

  882次閱讀 · 0評(píng)論 三極管MOS管

• SiC和GaN的共源共柵解決方案

  GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計(jì)的此類設(shè)備，其中許多每天運(yùn)行數(shù)小時(shí)，因此節(jié)省的能源將是巨大的。...

  722次閱讀 · 0評(píng)論 電動(dòng)汽車led逆變器SiCGaN
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