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邁巨推出高集成度鋰電池安全管理芯片AMG8816

邁巨微電子隆重推出新產品： AMG8816 ，該產品是一款專為 3-16 串鋰電池包設計的高集成度智能電池管理（BMS）主控芯片，以高集成度、多層級的全面保護機制、高精度數據采集、靈活電源管理、低功耗與智能管理模式為核心，兼顧性能、成本與可靠性，能為鋰電池系統提供了一站式解決方案。 AMG8816產...

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深度排查恩智浦MCX N系列支持的六種電源模式

前言在上周文章-MCX N系列之電源管理中，小編帶大家了解了MCX N系列的電源架構以及不同的電源配置，本篇文章將介紹MCX N系列支持的六種電源模式，分別為： Active Sleep Deep Sleep Power Down Deep Power Down VBAT 任意的復位行為都會使芯...

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ADALM2000實驗：變壓器

變壓器還可以升高電壓以實現長距離傳輸，并降低電壓以實現安全配電。如果沒有變壓器，配電網絡中已經很嚴重的電力浪費將大到驚人。也可以將直流(DC)電壓升壓或降壓，但這些技術比交流變壓器更復雜，而且在操作過程中涉及到將直流電壓轉換為某種形式的交流信號。此外，這樣的轉換通常效率低下且/或成本高昂。交流電的...

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如何在沒有軟啟動方程的情況下測量和確定軟啟動時序？

問題: 如果DC-DC器件具有兩個輸出，但用作單路兩相輸出，這會如何影響軟啟動時序？答案: 如果器件有兩個獨立的軟啟動引腳，每個引腳都有各自的電流源，現在將二者并聯連接，形成單路輸出設計，此時電流源值會加倍，相同的輸出電容將表現出原來一半的時序。為了實現相同的軟啟動時序，軟啟動電容值也需要加倍。...

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WBG 器件給柵極驅動器電源帶來的挑戰

碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅動器電源必須滿足這些寬帶隙半導體的獨特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應用中設計柵極驅動器電源時需要考慮的關鍵因素。圖 1：RECOM 眾多 DC/DC 模塊針對 WBG 柵極驅動器應用進行優化中的一部分 SiC 和 GaN 是寬帶...

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開關模式電源問題分析及其糾正措施：檢測電阻器違規

本文旨在解決DC-DC開關穩壓器的反饋級設計中面臨的復雜難題，重點關注檢測電阻器(RSENSE)元件。RSENSE對于確保反饋網絡（負責維持輸出電壓）接收來自電感電流的準確信號而言至關重要。失真的信號可能會使電感紋波看起來比實際更大或更小，從而導致反饋網絡出現意外行為。...

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高性能電壓監控器詳解—-- 第一部分

本文闡述了高性能電壓監控器的價值，討論了其基本定義、工作原理、技術規格、拓撲結構和極性。某些高性能電壓監控器旨在幫助基于微處理器的系統提升可靠性，防止掉電狀況下系統出錯。本文提供了一些示例。...

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實現不間斷能源的智能備用電池第四部分：基于MAX32625的BBU架的操作

摘要本文詳細介紹了ADI公司用于開放計算項目開放機架第3版(OCP ORV3)備用電池單元(BBU)架的硬件和軟件。其主要功能是建立BBU模塊之間的通信，并通過為此類應用精心打造的圖形用戶界面(GUI)向用戶呈現可讀數據和信息。引言備用電池架是OCP ORV3架構和數據中心應用中電源管理系統的...

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必易微高性能連續導通模式PFC控制器KPE2851X/KPE2852

在現代電力系統中，功率因數校正（Power Factor Correction，簡稱 PFC）已經成為電源設計中不可忽視的重要因素之一，直接關系到電網的穩定性、能效以及對環境的影響。 2023 年，必易微推出了臨界導通模式 (CRM) 的高性能 PFC 控制器 KP2806(A)。PFC 工作在臨界...

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AI數據中心電力飆升，安森美高能效MOSFET如何見招拆招？

安森美的中低壓 T10 PowerTrench MOSFET 采用了新型屏蔽柵極溝槽技術，降低了開關損耗和導通損耗，并進而顯著降低了其 Qg，RDS(ON) 也降至 1mOhm 以下。...

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瑞薩電子RA2L1微控制器雙向3KW UPS電源方案帶來不間斷電力供應能力

在現代企業的運營中，電力供應的穩定與連續是至關重要的。無論是數據中心、醫療設施還是工業制造環境，片刻的電力中斷都可能引發數據丟失、設備損壞甚至安全事故，因此，不間斷電源（UPS）十分重要，其可確保業務的連續性，從而避免因突然斷電而造成的經濟損失和潛在的風險。針對這一趨勢，瑞薩推出雙向3KW UP...

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400nA超低功耗升壓DC/DC轉換器大幅提升電池驅動時間

這次介紹適用于一次電池驅動時間應用的超低功耗升壓DC/DC。 XC9145： 400nA超低功耗升壓DC/DC轉換器由于超低功耗，無論MCU在休眠模式還是活躍模式下，都可以在無需開關控制的情況下始終保持高效率。 XC9145系列通過超低功耗電路將消耗電流降低至400nA，并采用PWM/PFM控制方...

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2.1 3.3V Vbus電源靜電保護方案

方案優點：用于滿足IC VCC 3.3V的靜電浪涌保護，根據電源所處環境選擇合適保護電流的ESD器件；高速傳輸接口選擇超低電容ULC0511CDN，保證信號完整性的同時，通過靜電測試。滿足IEC61000-4-2，等級4，接觸放電30KV，空氣放電30KV。...

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1.0 1.8V VCC電源靜電保護方案

方案優點：用于滿足IC VCC 1.8V的靜電浪涌保護，根據電源所處環境選擇合適保護電流的ESD器件；I/O接口選擇ESD01811CDN,，保證信號完整性的同時，通過靜電測試。滿足IEC61000-4-2，等級4，接觸放電30KV，空氣放電30KV。...

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英飛凌CoolSiC? MOSFET G2，助力下一代高性能電源系統

所有現代硅功率器件都基于溝槽技術，并已取代了平面技術，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，溝槽設計在性能優勢方面與Si功率MOSFET技術的發展有許多相似之處。采用碳化硅溝槽設計還有一個顯著優勢，即可靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明顯低于橫向界面。這就為性能和魯棒性特征與可靠性的匹配提供了新的優化...

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