[4.2.1]--4.1MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理_clip002
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![[2.4.1]--2.4大注入效應(yīng)_clip001](https://file1.elecfans.com/web2/M00/86/1C/wKgZomRmTLmAEjQKAABnDDTBkto501.png)
![[3.11.3]--3、發(fā)射極電流集邊效應(yīng)_clip002](https://file1.elecfans.com/web2/M00/86/1D/wKgZomRmTNaAF8SSAABfmX8zmb8613.png)
![[2.8.1]--2.8PN結(jié)的開關(guān)特性_clip002](https://file1.elecfans.com/web2/M00/86/1C/wKgZomRmTMCASYKuAABg0nBsZS8187.png)
![[2.8.1]--2.8PN結(jié)的開關(guān)特性_clip001](https://file1.elecfans.com/web2/M00/86/1C/wKgZomRmTL-AHV12AABlUBfSd2U648.png)
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![[2.8.1]--2.8PN結(jié)的開關(guān)特性_clip003](https://file1.elecfans.com/web2/M00/86/1C/wKgaomRmTMCAe5JDAABI4fUrnn8417.png)
![[3.11.2]--2、有效基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)_clip001](https://file1.elecfans.com/web2/M00/86/1C/wKgaomRmTNWAaoJoAABj9y1_9uU513.png)
![[7.4.1]--7.4全站儀電子平板法測(cè)圖](https://file1.elecfans.com/web2/M00/86/28/wKgaomRmTsGAQpiLAAAMx54rYK8001.png)
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