? ? ? ? ?東芝日前宣布，他們成功研發(fā)出了世界首款4比特3D QLC閃存。對于閃存技術的未來發(fā)展而言，這可謂是相當重大的消息。

　　閃存是依靠內(nèi)含電荷的浮柵晶體管來進行工作的。這些內(nèi)存區(qū)塊的排列方式要么是二維平面（平面NAND），要么以更為空間效率的豎列被堆疊起來（3D NAND）。

　　為了最大化存儲空間，這些內(nèi)存塊——不管是在二維平面還是三維空間——可以被分割進更多的電荷電平以存儲更多數(shù)據(jù)。每存儲單元擁有4級電荷（2比特）的閃存被稱作多層單元（MLC），擁有8級電荷（3比特）的閃存則被稱作三層單元（TLC）。

　　四層單元（QLC）顯然是閃存技術發(fā)展的下一步。通過將每一個存儲單元分割成16個電荷電平（每單元4比特數(shù)據(jù)），它能夠實現(xiàn)存儲容量上的進一步擴大。在曾經(jīng)的一段時間里，從TLC升級到QLC看上去似乎難度頗高，因為精確區(qū)分電荷電平所需要的生產(chǎn)精度是會成倍增加的。但在自己最新的3D NAND閃存當中（使用了64層堆棧式QLC存儲單元），東芝就成功做到了這一點。

　　東芝的QLC技術實現(xiàn)了每閃存顆粒768Gb的容量，相比之前512Gb TLC顆粒顯然是巨大的提升。東芝指出，新的QLC顆粒能以16顆粒封裝，從而實現(xiàn)單設備1.5TB的容量——這被東芝稱為目前單獨一個單元的最大容量。

　　對于普通用戶而言，東芝的新技術意味著未來的大容量閃存可能會更便宜。不管是MLC、TLC還是QLC，它們的優(yōu)勢都是大幅增加存儲密度，從而拉低閃存的價格。但值得注意的是，閃存的速度和耐久度在容量提升的同時將會受到影響。

　　這個問題會在QLC身上延續(xù)下去，因為在每次讀取數(shù)據(jù)時需要區(qū)分的電荷電平變得更多了。但如果你希望以更低廉的價格買到更大容量的存儲設備，東芝的成功依然是個好消息。

　　東芝已經(jīng)在本月早些時候開始出貨3D QLC NAND閃存的樣品，以供客戶進行評估。至于相關產(chǎn)品會在何時上市銷售，這目前還不得而知。