什么是瓷片電容
瓷片電容（ceramiccapacitor）是一種用陶瓷材料作介質，在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，再經高溫燒結后作為電極而成的電容器。通常用于高穩定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。
瓷片電容的分類
瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數的電容器，用于高穩定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。
按瓷介電容電介質又分：1類電介質（NP0，C0G），2類電介質（X7R，2X1）和3類電介質（Y5V，2F4）瓷介電容器。EIARS-198。
瓷片電容的作用
MLCC（1類）—微型化，高頻化，超低損耗，低ESR，高穩定，高耐壓，高絕緣，高可靠，無極性，低容值，低成本，耐高溫。主要應用高高頻電路中。
MLCC（2類）—微型化，高比容，中高壓，無極性，高可靠，耐高溫，低ESR，低成本。主要應用于中，低頻電路中作隔直，耦合，旁路和濾波等電容器使用。
瓷片電容計算公式詳解
瓷片電容的容量識別方法（根據標識計算電容容量的方法）如下：
瓷片電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同，分直標法、色標法和數標法3種。
電容的基本單位用法拉（F）表示，其它單位還有：毫法（mF）、微法（μF）/mju:/、納法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000納法（nF），1納法=1000皮法（pF）
1、容量大的電容其容量值在電容上直接標明，如10μF/16V；
2、容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數字表示；
字母表示法：
1m=1000μF
1P=1pF（如470P=470pF）
1P2=1.2PF
1n=1000PF；
數字表示法：三位數字的表示法也稱電容量的數碼表示法。三位數字的前兩位數字為標稱容量的有效數字，第三位數字表示有效數字后面零的個數，它們的單位都是pF。
如：
102表示標稱容量為10×10？pF=1000pF；
104表示標稱容量為10×（10^4）pF=100000pF；
470表示標稱容量為47pF；
223表示標稱容量為（22×（10^3））pF（即22000pF）。
在這種表示法中有一個特殊情況，就是當第三位數字用“9”表示時，是用有效數字乘上10的-1次方來表示容量大小。
如：229表示標稱容量為22x10^（-1）pF=2.2pF。
瓷片104電容的計算方法
瓷片電容的識別方法：電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同，分直標法、色標法和數標法3種。在國際單位制里，電容的單位是法拉，簡稱法，符號是F，由于法拉這個單位太大，所以常用的電容單位有毫法（mF）、微法（μF）、納法（nF）和皮法（pF）等，換算關系是：
1法拉（F）=1000毫法（mF）=1000000微法（μF）
1微法（μF）=1000納法（nF）=1000000皮法（pF）
瓷片電容104是0.1UF，瓷片104電容的計算方法：0.1UF=100NF=100000PF=104。
瓷片電容的優點
1.容量損耗隨溫度頻率具高穩定性
2.特殊的串聯結構適合于高電壓極長期工作可靠性
3.高電流爬升速率并適用于大電流回路無感型結構
瓷片電容規格有哪些
瓷片電容用高介電常數的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成的電容器。
瓷片電容（瓷介電容）作用主要有三個方面：
1、容量損耗隨溫度頻率具高穩定性；
2、特殊的串聯結構適合于高電壓極長期工作可靠性；
3、高電流爬升速率并適用于大電流回路無感型結構。通常用于高穩定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器如消除高頻干擾。
瓷片電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。
陶瓷有I類瓷，II類瓷，III類瓷之分，I類瓷，NP0，溫度特性，頻率特性和電壓特性佳，因介電常數不高，所以容量做不大；II類瓷，X7R次之，溫度特性和電壓特性較好；III類瓷，介電常數高，所以容量可以做很大，但溫度特性和電壓特性不太好。瓷片電容器一般體積不大。另外，再強調一個重要特點：瓷介電容器擊穿后，往往呈短路狀態。（這是它的弱點）而薄膜電容器失效后，一般呈開路狀態
瓷片電容規格Ⅱ類瓷也叫做高介電常數型（HighDielectricConstantType），是適用於作旁路、耦合或用在對損耗和電容量穩定性要求不高的電路中的具有高介電常數的一種電容器。該類陶瓷介質是以在類別溫度范圍內電容量非線性變化來表徵。其特性符合以下標準：
用途：1）旁路和耦合；2）對Q值和容量穩定性要求一般的分步電路。