去耦電容和旁路電容的區(qū)別與聯(lián)系

在電子電路中，去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用，電容所處的位置不同，稱呼就不一樣了。

對于同一個電路來說，旁路（bypass）電容是把輸入信號中的高頻噪聲作為濾除對象，把前級攜帶的高頻雜波濾除，而去耦（decoupling，也稱退耦）電容是把輸出信號的干擾作為濾除對象。

在供電電源和地之間也經(jīng)常連接去耦電容，它有三個方面的作用：一是作為本集成電路的蓄能電容；二是濾除該器件產(chǎn)生的高頻噪聲，切斷其通過供電回路進(jìn)行傳播的通路；三是防止電源攜帶的噪聲對電路構(gòu)成干擾。

旁路電容是把輸入信號中的干擾作為濾除對象，而去耦電容是把輸出信號的干擾作為濾除對象，防止干擾信號返回電源。這應(yīng)該是他們的本質(zhì)區(qū)別。去耦電容相當(dāng)于電池，避免由于電流的突變而使電壓下降，相當(dāng)于濾紋波。具體容值可以根據(jù)電流的大小、期望的紋波大小、作用時間的大小來計算。去耦電容一般都很大，對更高頻率的噪聲，基本無效。旁路電容就是針對高頻來的，也就是利用了電容的頻率阻抗特性。只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關(guān)噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據(jù)諧振頻率一般是0.1u，0.01u等?，而去耦合電容一般比較大，是10u或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)，以及驅(qū)動電流的變化大小來確定。

去耦電容（decoupling）也稱退耦電容，是把輸出信號的干擾作為濾除對象。去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲（c對高頻阻力小，將之瀉至GND）。?

2019-1-5 13:17 上傳去耦電容的充、放電作用使集成電路得到的供電電壓比較平穩(wěn)，減小了電壓振蕩現(xiàn)象；集成電路可以就近在各自的去耦電容器上吸收或釋放電流，不必通過電源線從較遠(yuǎn)的電源中取得電流，因此不會影響集成電路的速度；同時去耦電容器為集成電路的瞬態(tài)變化電流提供了各自就近的高頻通道，從而大大減小了向外的輻射噪聲并且相互之間沒有公共阻抗，因此抑制了共阻抗耦合。

由于去耦電容器在高頻時的阻抗將會減小到其自諧振頻率，因而可以有效地除去信號線中的高頻噪聲，同時相對于低頻來說，對能量沒有影響，所以可在每一個集成電路的電源地腳之間加一個大小合適的去耦電容器。在選擇去耦電容器類型時，應(yīng)考慮哪些低電感的高頻電容器。如高頻性能好的多層陶瓷電容器或者獨(dú)石電容器。

數(shù)字電路中，當(dāng)電路從一個狀態(tài)轉(zhuǎn)換為另一種狀態(tài)時，就會在電源線上產(chǎn)生一個很大的尖峰電流，形成瞬變的噪聲電壓，會影響前級的正常工作。這就是耦合。對于噪聲能力弱、關(guān)斷時電流變化大的器件和ROM、RAM等存儲型器件，應(yīng)在芯片的電源線（Vcc）和地線（GND）間直接接入去耦電容。?

數(shù)字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個電容的分布電感的典型值是5μH。?0.1μF的去耦電容有5μH的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說，對于10MHz以?下的噪聲有較好的去耦效果，對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。?1μF、10μF的電容，并行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。?每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個蓄能電容，可選10μF左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時表現(xiàn)為電感。要使用?鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴(yán)格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μ。