全球知名半導體制造商ROHM開發出非常適用于服務器和高端計算機等的電源PFC電路※1的、第3代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基勢壘二極管（以下稱“SiC-SBD”） “SCS3系列”。
本產品采用新結構，不僅繼承了量產中的第2代SiC-SBD所實現的業界最低正向電壓※2（VF=1.35V、25℃）的特性，同時還確保了高抗浪涌電流特性。因此，還可用于服務器和高端計算機等的電源PFC電路，非常有助于提高應用的效率。
本產品已于2016年3月開始出售樣品，計劃于2016年4月開始逐步投入量產。前期工序的生產基地為ROHM Apollo Co.， Ltd. （日本福岡縣），后期工序的生產基地為ROHM Korea Corporation（韓國）。
今后，ROHM將通過擴大SiC元器件產品的陣容，繼續為電力電子設備的節能化作出貢獻。
＜背景＞
近年來，在太陽能發電系統、工業用各種電源裝置、電動汽車及家電等電力電子領域，為提高功率轉換效率以實現進一步節能，更高效率的功率元器件產品備受期待。SiC器件與以往的Si器件相比，具有優異的材料特性，在這些領域中的應用日益廣泛。尤其是在服務器等這類要求更高電源效率的設備電源中，SiC-SBD產品因其快速恢復特性可有效提高效率而被用于PFC電路來提高設備效率。在這些用途中，抗浪涌電流※3特性成為重要的參數。一直以來，ROHM的第1代、第2代SiC-SBD產品均深獲客戶好評。為了進一步擴大應用范圍，ROHM 采用新產品結構，成功開發出保持業界最高水平的低VF特性、并實現高抗浪涌電流特性的產品。
