3、肖特基二極管
以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管稱為肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode--SBD），簡(jiǎn)稱為肖特基二極管。
肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)在于：
反向恢復(fù)時(shí)間很短（10~40ns），正向恢復(fù)過(guò)程中也不會(huì)有明顯的電壓過(guò)沖；
在反向耐壓較低的情況下其正向壓降也很小，明顯低于快恢復(fù)二極管。
因此，其開關(guān)損耗和正向?qū)〒p耗都比快速二極管還要小，效率高。
肖特基二極管的弱點(diǎn)在于：
當(dāng)反向耐壓提高時(shí)其正向壓降也會(huì)高得不能滿足要求，因此多用于200V以下的低壓場(chǎng)合；
反向漏電流較大且對(duì)溫度敏感，因此反向穩(wěn)態(tài)損耗不能忽略，而且必須更嚴(yán)格地限制其工作溫度。
肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬（金、銀、鋁、鉬、鉑等材料制造成阻擋層）、二氧化硅消除邊緣區(qū)域的電場(chǎng)（提高管子耐壓）、N一外延層、N型硅基片、N+陰極層及陰極金屬等構(gòu)成。如圖1和圖2所示，在N型基片和陽(yáng)極金屬之間形成肖特基勢(shì)壘。
