3、肖特基二極管
以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管稱為肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode--SBD），簡稱為肖特基二極管。
肖特基二極管的優點在于：
反向恢復時間很短（10~40ns），正向恢復過程中也不會有明顯的電壓過沖；
在反向耐壓較低的情況下其正向壓降也很小，明顯低于快恢復二極管。
因此，其開關損耗和正向導通損耗都比快速二極管還要小，效率高。
肖特基二極管的弱點在于：
當反向耐壓提高時其正向壓降也會高得不能滿足要求，因此多用于200V以下的低壓場合；
反向漏電流較大且對溫度敏感，因此反向穩態損耗不能忽略，而且必須更嚴格地限制其工作溫度。
肖特基二極管在結構原理上與PN結二極管有很大區別，它的內部是由陽極金屬（金、銀、鋁、鉬、鉑等材料制造成阻擋層）、二氧化硅消除邊緣區域的電場（提高管子耐壓）、N一外延層、N型硅基片、N+陰極層及陰極金屬等構成。如圖1和圖2所示，在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。
