肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。

　　一個典型的應用，是在雙極型晶體管 BJT 的開關電路里面， 通過在 BJT 上連接 Shockley 二極管來箝位，使得晶體管在導通狀態時其實處于很接近截止狀態，從而提高晶體管的開關速度。這種方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型數字 IC 的 TTL內部電路中使用的技術。

　　肖特基（Schottky）二極管的最大特點是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時要全面考慮。肖特基二極管一般用在電源次級輸出整流上面。

　　作用還是整流，其優勢是正向壓降低，反向恢復時間快，所以整體損耗會比其他的二極管低很多。B5819W為集電極電流1A 基極電壓40V的貼片肖特基管，1N5819為參數相同的插件式肖特基管，兩個管只是封裝不同。簡單來說就是一個是貼片的 一個是插接件式的。

　　SBD具有開關頻率高和正向壓降低等優點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開關電源（SMPS）和功率因數校正（PFC）電路中功率開關器件的續流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，

　　只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超快速恢復二極管（UFRD）。目前UFRD的反向恢復時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬開關為100kHz的SMPS，由于UFRD的導通損耗和開關損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發展趨勢。因此，發展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關注的熱點。

　　肖特基二極管特性

　　1、肖特基二極管的正向壓降比快恢復二極管正向壓降低很多，所以自身功耗較小，效率高。

　　2、由于反向電荷恢復時間極短，所以適宜工作在高頻狀態下。

　　3、能耐受高浪涌電流。

　　4、以前的肖特基管反向耐壓一般在200V以下，但現在最新技術可以做到高達1000V的產品，市場應用前景十分廣闊。

　　5、目前市場上常見的肖特基管最高結溫分100℃、125℃、150％、175℃幾種（結溫越高表示產品抗高溫特性越好。即工作在此溫度以下不會引起失效）。

　　肖特基二極管常見型號

　　1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。

　　2、肖特基二極管的結構肖特基二極管在結構原理上與 PN 結二極管有很大區別，它的內部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N 外延層（砷材料）、N 型硅基片、N 陰極層及陰極金屬等構成。

　　在 N 型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。

　　當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N 型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。

　　肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。

　　采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管（雙二極管）式兩種封裝形式。

　　常用的有引線式肖特基二極管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200 等型號。也就是常說的插件封裝。

　　肖特基二極管型號大全

　　封裝SMA:SS12、SS13、SS14、SS15、SS16、SS24、SS25、SS26、SS34、SS35、SS36

　　封裝SMB：SS24、SS25、SS26、SS34、SS35、SS36M7、SB240-SR260、SR2100、SR340-SR360、SR3100、SR540-SR560、SR5100、1N4007、1N5819